加州，埃爾塞貢多: 2022年4月22日：納微半導體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold
2022-04-24 10:45:24
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2022年1月18日，納微半導體正式宣布，其新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機所標配的120W超快閃充迷你充電器中。
2022-01-19 09:29:022551 
GaNFast?功率芯片為一加ACE手機實現(xiàn)超快充，電量從1%到100%只需充電17分鐘 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多 2022年8月11號訊 - 納微半導體（納斯達克股票代碼: NVTS），氮化
2022-08-12 16:36:508132 
的RAM將不會滿足所需，宏旺半導體ICMAX LPDDR4X 8GB滿足5G時代手機、平板和超薄筆記本對運行內存的要求， 大容量國內行業(yè)領先單顆8GB，可提供每秒34.1GB的數(shù)據(jù)傳輸速率，同時最大
2019-08-17 10:10:01
65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業(yè)化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
今日，國內原創(chuàng)耳機品牌1MORE 萬魔耳機在上海發(fā)布了首款電競耳機——1MORE Spearhead 電競頭戴式耳機?；顒蝇F(xiàn)場，華語流行天王暨“1MORE創(chuàng)意官”也親臨現(xiàn)場，與之一起開啟“1MORE的電競時代”。
2020-05-20 06:06:16
你的運動軌跡，同時將數(shù)據(jù)同步到手機端生成地圖，支持微信運動模式，與好友共享運動樂趣！F1智能手表是一款可以打電話的智能電話手表，就像手機一樣獨立插卡及自由撥打，接聽電話，短信接收等功能，實現(xiàn)就算不帶
2018-05-18 11:32:23
(IGBT)，現(xiàn)在出現(xiàn)了氮化鎵(GaN)晶體管，可讓切換電源的體積大幅縮小?！ ±?，Navitas半導體推出尺寸最小的65W USB-PD (Type-C)電源轉換器參考設計NVE028A，正是
2018-10-23 16:12:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡向長期
2019-08-20 08:01:20
手機快充是如何實現(xiàn)的？
2021-09-26 07:17:28
手機電池充不進電去，測電池電壓為0V，怎么處理一下呀
2014-08-05 21:06:31
，以及基于硅的 “偏轉晶體管 “屏幕產品的消亡。
因此，氮化鎵是我們在電視、手機、平板電腦、筆記本電腦和顯示器中，使用的高分辨率彩色屏幕背后的核心技術。在光子學方面，氮化鎵還被用于藍光激光技術（最明顯
2023-06-15 15:50:54
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經(jīng)量產商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的選擇?！ ∩罡h(huán)?！ 榱舜蚱瞥杀竞痛笠?guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現(xiàn)有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會，使其在高電壓應用中的貢獻遠遠超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
65W 雙口氮化鎵充電器可以同時對兩臺設備進行 PD 快充，支持手機 + 手機、筆記本 + 手機等不同設備搭配使用。偵測到兩臺設備同時供電需求時，智能調整輸出功率為45W + 18W，實現(xiàn)雙口同時快充
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
容易使用。通過簡單的“數(shù)字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。dV/dt 回轉率控制和欠壓鎖定等功能，確保了氮化鎵功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的設計的機會，從而極為有效地縮短了產品上市
2023-06-15 15:32:41
`從研發(fā)到商業(yè)化應用，氮化鎵的發(fā)展是當下的顛覆性技術創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產生了明確而深刻的影響，并實現(xiàn)了利用傳統(tǒng)半導體技術無法實現(xiàn)
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網(wǎng)應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。 數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
板上看出，得益于使用合封氮化鎵器件，芯片無需輔助散熱措施即可滿足27W的連續(xù)輸出，并且合封將控制器和開關管集成在一顆芯片內，初級的元件也十分精簡，可滿足高性價比的氮化鎵快充設計。鈺泰半導體
2021-11-28 11:16:55
GaNFast功率半導體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數(shù)進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:14:59
）1.1脈沖條件脈沖寬度：120μsec，占空比10％筆記Tc（op）= + 25°CSG36F30S-D基站用晶體管SGN350H-R氮化鎵晶體管SGN1214-220H-R氮化鎵晶體管
2021-03-30 11:24:16
由于換了三星手機，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
的設計和集成度，已經(jīng)被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據(jù)估計，如果全球采用硅芯片器件的數(shù)據(jù)中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數(shù)據(jù)中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
1MHz 以上。新的控制器正在開發(fā)中。微控制器和數(shù)字信號處理器（DSP），也可以用來實現(xiàn)目前軟開關電路拓撲結構，而目前廣泛采用的、為1-2 MHz范圍優(yōu)化的磁性材料，已經(jīng)可被使用了。
氮化鎵功率芯片
2023-06-15 15:53:16
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業(yè)界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網(wǎng)絡向
2019-08-02 08:23:59
運行時的電性能和效率要比傳統(tǒng)的硅材料高得多。對于已被實際使用的碳化硅半導體和氮化鎵半導體來說，其耐受電壓（高于標稱電壓，用于保持可靠性的基礎電壓）的需求是不同的。例如，碳化硅耐電壓大于或等于1000
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數(shù)字信號，轉化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐嫾?納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
氮化鎵，由鎵（原子序數(shù) 31）和氮（原子序數(shù) 7）結合而來的化合物。它是擁有穩(wěn)定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
2023-06-15 15:41:16
=rgb(51, 51, 51) !important]射頻氮化鎵技術是5G的絕配，基站功放使用氮化鎵。氮化鎵（GaN）、砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）是射頻應用中常用的半導體材料。[color
2019-07-08 04:20:32
有龐大的半導體需求， 是另二個發(fā)展的亮點。至于智能手機，則在短短幾個月內就成了過氣明星，不再是臺積電的成長動能之一，意味著2018年來自智能手機的半導體需求將會明顯趨緩，也就是今年的手機市場將會非常沒有
2018-01-29 15:41:31
傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級產品，導通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導體產品 - 晶體管封裝：DFN-8參數(shù)FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
朋友叫我做一塊板子，要求輸入5V電壓，輸出30路5V1A，每一路輸出有單獨開關。沒想到這塊板子他是拿去給手機充電的，充電過程中充壞了幾個手機，檢查說是手機電路板漏電燒了，我一時也想不明白為什么會充壞
2020-12-07 17:07:48
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
，DPAK MOSFET的優(yōu)勢在于組件厚度和封裝工藝的簡便性。在此參考設計中，F(xiàn)PC級使用兩個并聯(lián)的IPD50R280CE，LLC級使用2個IPD50R1K4CE。 120W TV電源參考設計之主要組件
2018-11-30 17:19:29
，DPAK MOSFET的優(yōu)勢在于組件厚度和封裝工藝的簡便性。在此參考設計中，F(xiàn)PC級使用兩個并聯(lián)的IPD50R280CE，LLC級使用2個IPD50R1K4CE?！ ?b class="flag-6" style="color: red">120W TV電源參考設計之主要組件
2018-10-10 15:09:08
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現(xiàn)場出現(xiàn)的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何實現(xiàn)小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
氮化鎵技術非常適合4.5G或5G系統(tǒng)，因為頻率越高，氮化鎵的優(yōu)勢越明顯。那對于手機來說射頻GaN技術還需解決哪些難題呢？
2019-07-31 06:53:15
大幅降低電流在保護板上的損耗，隨著手機充電功率達到200W，電池端的電流達到20A。傳統(tǒng)硅MOS溫升明顯，甚至需要輔助導熱措施來為其散熱。使用氮化鎵代替硅MOS之后，可以無需導熱材料，降低快充過程中
2023-02-21 16:13:41
、努比亞、魅族在內的六款氮化鎵快充充電器。加上華為在P40手機發(fā)布會上，也發(fā)布了一款65W 1A1C氮化鎵快充充電器，成為第七家入局氮化鎵快充的手機廠商。從各大知名手機品牌的布局來看，氮化鎵快充普及趨勢
2021-04-16 09:33:21
2C1A二合一氮化鎵超極充、綠聯(lián)140W 2C1A氮化鎵充電器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產品使用，性能質量獲得客戶的高度認可。
輸出VBUS開關管均來自威兆半導體
2023-06-16 14:05:50
，其中第一梯隊有英諾賽科、納微、EPC等代表企業(yè)。其中英諾賽科是目前全球首家采用8英寸增強型硅氮化鎵外延與芯片大規(guī)模量產的企業(yè)，也是躋身氮化鎵產業(yè)第一梯隊的國產半導體企業(yè)代表。
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經(jīng)過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數(shù)十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
GaN將在高功率、高頻率射頻市場及5G 基站PA的有力候選技術。未來預估5-10年內GaN 新型材料將快速崛起并占有多半得半導體市場需求。。。以下內容均摘自網(wǎng)絡媒體，如果不妥，請聯(lián)系站內信進行刪除
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯(lián)合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領域得到了廣泛關注。作為國內領先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發(fā)
2021-11-12 11:53:21
的獨特性意味著，幾乎所有這些材料都不能用作半導體。不過，透明導電氧化物氧化鎵（Ga2O3）是一個特例。這種晶體的帶隙近5電子伏特，如果說氮化鎵（3.4eV）與它的差距為1英里，那么硅（1.1eV）與它的差距
2023-02-27 15:46:36
半導體（Navitas）今日市值也就9.4億美元，而且包括了第三代半導體的另一重要組成部分、收購自GeneSiC的碳化硅業(yè)務（想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導體產業(yè)并購》）。僅有氮化鎵業(yè)務
2023-03-03 16:48:40
會產生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經(jīng)電路開關內的電子會產生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
設備、網(wǎng)聯(lián)汽車、?PC和可穿戴設備，并帶來卓越體驗。驍龍品牌標識醒目地出現(xiàn)在車隊的2023款賽車——梅賽德斯-AMG F1 W14 E PERFORMANCE的車身上，這款車于今日在英國銀石賽道亮相
2023-02-16 09:48:03
DU28120T射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V數(shù)字金屬氧化物半導體 射頻功率 MOSFET 晶體管 120W，2-175MHz，28V 數(shù)字
2022-11-29 10:41:01
2021年1月11日晚，iQOO正式發(fā)布了iQOO 7手機，這是今年第一款驍龍888旗艦機，還帶來了120W超級快充，15分鐘即可充滿。
2021-01-12 10:05:432157 小米、紫米近日接連發(fā)布 33W 氮化鎵充電器，以 5W 充電頭的小巧體積實現(xiàn)了 33W 快充。據(jù)微博 @數(shù)碼閑聊站 爆料，小米即將發(fā)布 120W GaN 氮化鎵充電器，可以給小米 10 Ultra
2021-02-28 11:34:284005 納微半導體今日宣布，小米正式發(fā)布新款智能手機小米 Civi，配備采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的 55W 氮化鎵充電器。
2021-10-08 11:45:091905 
隨著發(fā)布會預告更新，可見我們即將迎來22年度的首批新品發(fā)布熱潮，上周三星S22系列發(fā)布，這兩日Redmi與紅魔紛紛發(fā)布新機。一邊是RedmiK50電競版，一邊是游戲手機紅魔的最新系列，不知誰才會
2022-02-17 17:59:362834 
為熱愛狂奔的人，總會在同一賽道上迎面擁抱，極速相遇。K50電競版新伙伴，正式官宣。
2022-02-19 14:12:062106 隨著3月的到來，手機廠商加速了新機發(fā)布的節(jié)奏，Redmi今天官宣了K50宇宙“超大杯”的性能表現(xiàn)，讓網(wǎng)友們期盼的搭載天璣9000的K50超大杯終于開始預熱了！根據(jù)Redmi紅米手機官微公布的信息來看
2022-03-11 14:36:271735 
近期，關于聯(lián)發(fā)科天璣9000旗艦芯量產終端的消息越來越多，大量的粉絲和用戶都在關注著各大手機廠商。就在昨天，紅米公布了Redmi K50超大杯的實測成績，實屬驚艷！60分鐘《原神》測試，59幀溫度
2022-03-11 17:04:021448 
天璣9000的紅米K50 Pro和全球首發(fā)天璣8100的紅米K50正式發(fā)布。下面就讓我們來看看這兩款手機都有哪些亮點。 聯(lián)發(fā)科天璣9000與天璣8100組成天璣戰(zhàn)隊，為紅米 K50 Pro和紅米 K50帶來“狠”超想象的強勁性能和出色能效，搭配三星2K直屏、OIS光學防抖相機、VC液冷立體散
2022-03-18 13:15:244082 “豪橫高性能、恐怖低功耗”，這是Redmi官方在Redmi K50系列發(fā)布會上對于天璣9000芯片的夸贊。多年來，對于旗艦芯片、手機來說，高性能和低功耗之間似乎總是有著天生的矛盾，旗艦手機為用戶帶來
2022-03-21 09:12:306861 
近期發(fā)布會非常多，也好久沒有分享拆解類內容，今天小e翻出了疫情前拆解的Redmi K50電競版，大致整理出了拆解步驟，這次就來看看關于Redmi K50 電競版的拆解吧！ 作為電競版手機，需要性能
2022-05-06 16:04:113783 
下半年紅米將會推出K50系列新機型Redmi K50 Ultra。 據(jù)預測，Redmi K50 Ultra將配有2K高刷柔性直屏，處理器將搭載驍龍8+，該處理器以臺積電4nm制程工藝打造，性能及功耗方面都得到了進一步的優(yōu)化，并且在K50系列不盡人意的攝像方面，本次Redmi K50 Ultra將一雪前恥
2022-06-06 16:24:372144 8月11日，在“2022 雷軍年度演講”上，Redmi K50至尊版震撼發(fā)布，首發(fā)天馬全新一代柔性1.5K OLED直屏。
2022-08-12 11:34:552449 ? 集成的GaNFast氮化鎵功率芯片讓充電更快、更高效、更便捷。 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布旗下
2023-02-28 17:57:13823 杰華特聯(lián)合英諾賽科推出120W氮化鎵快充方案，打造大功率高端當前，高功率快充標配在市場上受到不少關注，不久前努比亞為其新品紅魔游戲手機標配的正是120W快充方案（內置InnoGaNINN650D02
2022-04-18 16:51:29744 
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