加州，埃爾塞貢多: 2022年4月22日：納微半導體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo全新發(fā)布的首款折疊屏旗艦vivo X Fold
2022-04-24 10:45:24
3432 
倍思120W氮化鎵充電器是一款120W氮化鎵 (GaN）+碳化硅（SiC) 充電器。 有2個USB Type-C輸出接口和1個USB Type-A輸出接口，Type-A接口內部為紅色。 支持全協(xié)議
2021-08-31 16:37:3010637 
納微半導體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊共同發(fā)布的K50冠軍版電競手機所標配120W氮化鎵充電器中。
2022-03-14 13:40:021264 65W氮化鎵電源原理圖
2022-10-04 22:09:30
氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業(yè)化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2022-11-10 06:36:09
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
(86) ，因此在正常體溫下，它會在人的手中融化。
又過了65年，氮化鎵首次被人工合成。直到20世紀60年代，制造氮化鎵單晶薄膜的技術才得以出現。作為一種化合物，氮化鎵的熔點超過1600℃，比硅高
2023-06-15 15:50:54
，不是 20W 那種小功率，65W 能充筆記本，還支持雙機同時快充。59.9 元氮化鎵到底是一個什么概念？選取了市面八款同樣規(guī)格的 65W 雙口氮化鎵充電器進行對比，可以看到，業(yè)界普遍售價均在百元以上
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發(fā)光二極管中，它與常用的硅屬于同一元素周期族，硬度高熔點高穩(wěn)定性強。氮化鎵材料是研制微電子器件的重要半導體材料，具有寬帶隙、高熱導率等特點，應用在充電器方面，主要是集成氮化鎵MOS管，可適配小型變壓器和高功率器件，充電效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
是什么因素導致充電器充電效率高，功率大的
2023-09-27 06:25:41
氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
2021-03-09 06:33:26
橋式拓撲結構中放大了氮化鎵的頻率、密度和效率優(yōu)勢，如主動有源鉗位反激式（ACF）、圖騰柱PFC 和 LLC（CrCM 工作模式）。隨著硬開關拓撲結構向軟開關拓撲結構的轉變，初級 FET 的一般損耗方程可以被最小化。更新后的簡單方程使效率在 10 倍的高頻率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環(huán)保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環(huán)節(jié)產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
；這也說明市場對于充電器功率的市場需求及用戶使用的范圍；隨著小米65W的充電器的發(fā)布，快速的走進氮化鎵快充充電器時代。目前市面上已經量產商用的氮化鎵方案主要來自PI和納微半導體兩家供應商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的節(jié)能。這些電力足以為30多萬個家庭提供一年的電量。 任何可以直接從電網獲得電力的設備（從智能手機充電器到數據中心），或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備，均可受益于氮化鎵等技術，從而提高電源管理系統(tǒng)的效率和規(guī)模。（白皮書下載：GaN將能效提高到一個新的水平。）
2020-11-03 08:59:19
%1。這相當于30億千瓦時以上的節(jié)能。這些電力足以為30多萬個家庭提供一年的電量?！ ∪魏慰梢灾苯訌碾娋W獲得電力的設備(從智能手機充電器到數據中心)，或任何可以處理高達數百伏高電壓的設備，均可受益于氮化
2018-11-20 10:56:25
氮化鎵功率晶體管的引入，氮化鎵器件市場發(fā)生了巨變;塑料封裝氮化鎵器件可以成為陶瓷封裝氮化鎵器件經濟高效的替代品，并成為實現新一代高功率超小型功率模塊的關鍵所在。塑料封裝、大功率氮化鎵器件使設計人員能夠
2017-08-15 17:47:34
從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創(chuàng)建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
2019-08-01 07:38:40
封裝技術的效率。三維散熱是GaN封裝的一個很有前景的選擇。
生活更環(huán)保
為了打破成本和大規(guī)模采用周期，一種新型功率半導體技術需要解決最引人注目應用中現有設備的一些缺點。氮化鎵為功率調節(jié)的發(fā)展創(chuàng)造了機會
2019-03-14 06:45:11
應對能力以及供應鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無線基礎設施獨一無二的出色半導體技術，硅基氮化鎵有望以LDMOS成本結構實現優(yōu)異的氮化鎵性能，并且具備支持大規(guī)模需求的商業(yè)制造擴展能力。 MACOM
2018-08-17 09:49:42
GaN如何實現快速開關？氮化鎵能否實現高能效、高頻電源的設計？
2021-06-17 10:56:45
納微集成氮化鎵電源解決方案及應用
2023-06-19 11:10:07
，只應用在高端充電器上。一些小功率的，高性價比的充電器無法享受到氮化鎵性能提升所帶來的紅利。目前，國內已經有多家廠商推出了用于33-100W大功率充電器的合封芯片，通過將氮化鎵開關管，控制器以及驅動器
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半導體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導體在快速充電市場的應用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
納維半導體?氮化鎵功率集成電路的性能影響?氮化鎵電源集成電路的可靠性影響?應用示例：高密度手機充電器?應用實例：高性能電機驅動器?應用示例；高功率開關電源?結論
2023-06-16 10:09:51
功率氮化鎵電力電子器件具有更高的工作電壓、更高的開關頻率、更低的導通電阻等優(yōu)勢，并可與成本極低、技術成熟度極高的硅基半導體集成電路工藝相兼容，在新一代高效率、小尺寸的電力轉換與管理系統(tǒng)、電動機
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 編輯
整合意法半導體的制造規(guī)模、供貨安全保障和電涌耐受能力與MACOM的硅上氮化鎵射頻功率技術，瞄準主流消費
2018-02-12 15:11:38
應用。MACOM的氮化鎵可用于替代磁控管的產品，這顆功率為300瓦的硅基氮化鎵器件被用來作為微波爐里磁控管的替代。用氮化鎵器件來替代磁控管帶來好處很多：半導體器件可靠性更高，氮化鎵器件比磁控管驅動電壓
2017-09-04 15:02:41
多個方面都無法滿足要求。在基站端，由于對高功率的需求，氮化鎵（GaN）因其在耐高溫、優(yōu)異的高頻性能以及低導通損耗、高電流密度的物理特性，是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器（PA）芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
測試背景地點：國外某知名品牌半導體企業(yè)，深圳氮化鎵實驗室測試對象：氮化鎵半橋快充測試原因：因高壓差分探頭測試半橋上管Vgs時會炸管，需要對半橋上管控制信號的具體參數進行摸底測試測試探頭：麥科信OIP
2023-01-12 09:54:23
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-250H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:14:59
`SUMITOMO的GaN-HEMT SGN2729-600H-R為S波段雷達應用提供2.7至2.9 GHz的高功率，高效率和更高的一致性，具有50V工作電壓和高達120μsec脈沖寬度的脈沖條件
2021-03-30 11:24:16
封應用的市場空白，推出了一款內置D-mode氮化鎵功率管的合封芯片ETA80G25。據悉，這款芯片主打超高性價比，價格與同規(guī)格超結開關管幾乎持平，讓小功率的充電器，也能吃上氮化鎵的紅利。同時合封芯片還大大簡化
2021-12-27 15:02:50
第四季度上市。新型USB-C供電(USB-C PD)充電器將搭載Quick Charge 5技術，可使智能手機在5分鐘內將電量從0%充至50%。*該產品是一款通用型適配器，可提供傳統(tǒng)供電模式和3.0
2021-08-12 10:55:49
由于換了三星手機，之前的充電器都不支持快充了，一直想找一款手機電腦都能用的快充充電器，「倍思GaN2 Pro氮化鎵充電器」就是這樣一款能滿足我的充電器，這篇文章就來說下這款充電器的選購過程
2021-09-14 08:28:31
/ xzl1019 未來 5 年 GaN 預測的最大市場是移動快速充電，預計到 2025 年市場將達到 7 億美元 xi.ii 硅設計繼續(xù)被選擇用于低功率、大外殼、低性能充電器從 5 W – 20 W，大多數新的更高功率、旗艦智能手機充電器設計（從 45 W 到 100 W）都是 GaN。如有侵權，請聯系作者刪除
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity預計，到2025年，電動汽車解決方案中每臺汽車的半導體構成部分將增加50％或更多。本文將探討氮化鎵（GaN）電子器件，也涉及到一點碳化硅（SiC），在不增加汽車成本的條件下
2018-07-19 16:30:38
的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統(tǒng)的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的電阻和電容，開關速度可提高一百倍。
為了充分利用氮化鎵功率芯片的能力，電路的其他部分也必須在更高的頻率下有效運行。近年加入控制芯片之后，氮化鎵充電器的開關頻率，已經從 65-100kHz，提高到
2023-06-15 15:53:16
推廣應用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學的森勇介教授，一直在從事高品質的半導體研究，這一次，我們就氮化鎵的研發(fā)情況、研究成果對未來的應用前景產生的影響，森教授進行了訪談。目前，功率半導體的應用廣泛，其
2023-02-23 15:46:22
行業(yè)標準，成為落地量產設計的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個系統(tǒng)性能的關鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
納微半導體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級
2020-10-27 09:28:22
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩(wěn)定性等優(yōu)越性質，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
鎵具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢，氮化鎵充電器的充電器件運行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100倍。
更重要的是，氮化鎵相比傳統(tǒng)的硅，可以在更小的器件空間內處理更大的電場，同時提供更快的開關速度。此外，氮化鎵比硅基半導體器件，可以在更高的溫度下工作。
2023-06-15 15:41:16
鎵充電器可謂吸引了全球眼球，小巧的體積一樣可以實現大功率輸出，比APPLE原廠30W充電器更小更輕便。[color=rgb(51, 51, 51) !important]將內置氮化鎵充電器與傳統(tǒng)充電器
2019-07-08 04:20:32
組件連手改變電力電子產業(yè)原本由硅組件主導的格局。氮化鎵材料具有低Qg、Qoss與零Qrr的特性，能為高頻電源設計帶來效率提升、體積縮小與提升功率密度的優(yōu)勢，因此在服務器、通訊電源及便攜設備充電器等領域
2021-09-23 15:02:11
概述：NV6127是一款升級產品，導通電阻更小，只有 125 毫歐，是氮化鎵功率芯片IC。型號2：AON6268絲?。?268屬性：分立半導體產品 - 晶體管封裝：DFN-8參數FET 類型：N 通道
2021-01-13 17:46:43
客戶希望通過原廠FAE盡快找到解決方案，或者將遇到技術挫折歸咎為芯片本身設計問題，盡管不排除芯片可能存在不適用的領域，但是大部分時候是應用層面的問題，和芯片沒有關系。這種情況對新興的第三代半導體氮化鎵
2023-02-01 14:52:03
高頻150W PFC-LLC與GaN功率ic(氮化鎵)
2023-06-19 08:36:25
的測試，讓功率半導體設備更快上市并盡量減少設備現場出現的故障。為幫助設計工程師厘清設計過程中的諸多細節(jié)問題，泰克與電源行業(yè)專家攜手推出“氮化鎵電源設計從入門到精通“8節(jié)系列直播課，氮化鎵電源設計從入門到
2020-11-18 06:30:50
如何實現小米氮化鎵充電器是一個c to c 的一個充電器拯救者Y7000提供了Type-c的端口，但這個口不可以充電，它是用來轉VGA,HDMI,DP之類了，可以外接顯示器，拓展塢之類的。要用氮化鎵
2021-09-14 06:06:21
如何設計GaN氮化鎵 PD充電器產品？
2021-06-15 06:30:55
通過低內阻和高開關速度，減小了損耗，降低了散熱要求。變壓器的縮小，以及無需散熱措施，氮化鎵的應用大幅減小了充電器的體積。鋰電池作為現代便攜設備的主要能量來源，出貨量非常巨大。隨著現在手機和平板大功率快充
2023-02-21 16:13:41
、努比亞、魅族在內的六款氮化鎵快充充電器。加上華為在P40手機發(fā)布會上，也發(fā)布了一款65W 1A1C氮化鎵快充充電器，成為第七家入局氮化鎵快充的手機廠商。從各大知名手機品牌的布局來看，氮化鎵快充普及趨勢
2021-04-16 09:33:21
2C1A二合一氮化鎵超極充、綠聯140W 2C1A氮化鎵充電器，英集芯的其它系列快充芯片已被小米、華為、三星等大品牌的產品使用，性能質量獲得客戶的高度認可。
輸出VBUS開關管均來自威兆半導體
2023-06-16 14:05:50
縮小產品尺寸，比如使目前的典型45W適配器設計可以采用25W或更小的外形設計。氮化鎵充電器可謂吸引了全球眼球，高速高頻高效讓大功率USB PD充電器不再是魁梧磚塊，小巧的體積一樣可以實現大功率輸出，比
2019-07-05 04:20:06
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證
氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩(wěn)定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
2023-06-25 14:17:47
射頻半導體技術的市場格局近年發(fā)生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業(yè)應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
日前，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術及設備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底
2014-01-24 16:08:55
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
雖然低電壓氮化鎵功率芯片的學術研究，始于 2009 年左右的香港科技大學，但強大的高壓氮化鎵功率芯片平臺的量產，則是由成立于 2014 年的納微半導體最早進行研發(fā)的。納微半導體的三位聯合創(chuàng)始人
2023-06-15 15:28:08
本帖最后由 小佑_ 于 2021-11-12 11:54 編輯
氮化鎵作為第三代半導體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領域得到了廣泛關注。作為國內領先的ACDC快充品牌，茂睿芯一直潛心研發(fā)
2021-11-12 11:53:21
了當時功率半導體界的一項大膽技術：氮化鎵（GaN）。對于強大耐用的射頻放大器在當時新興的寬帶無線網絡、雷達以及電網功率切換應用中的使用前景，他們表達了樂觀的看法。他們稱氮化鎵器件為“迄今為止最堅固耐用
2023-02-27 15:46:36
半導體（Navitas）今日市值也就9.4億美元，而且包括了第三代半導體的另一重要組成部分、收購自GeneSiC的碳化硅業(yè)務（想要更多了解的讀者可以參考《從納微看半導體產業(yè)并購》）。僅有氮化鎵業(yè)務
2023-03-03 16:48:40
的應用?！?b class="flag-6" style="color: red">氮化鎵就像一個超級增壓引擎，”我們的高壓新技術開發(fā)組總監(jiān)Steve Tom說，“它使得系統(tǒng)運行更快，動力更加強勁，并且能夠處理更高的功率。它周圍的驅動器、封裝和其它組件能夠真正地提高任何系統(tǒng)的性能
2022-11-16 07:42:26
會產生熱量。這些發(fā)熱限制了系統(tǒng)的性能。比如說，當你筆記本電腦的電源變熱時，其原因在于流經電路開關內的電子會產生熱量，并且降低了它的效率。由于氮化鎵是一款更好、效率更高的半導體材料，它的發(fā)熱量更低，所以
2018-08-30 15:05:50
深圳市三佛科技有限公司供應NCP1342安森美65W氮化鎵PD充電器芯片，原裝現貨型號：NCP1342品牌：安森美封裝:SOIC-8 SOIC-9 NCP1342
2023-07-05 15:24:23
8月22日報道，今天vivo旗下子品牌iQOO正式發(fā)布首款5G手機——iQOO Pro，這也是vivo的首款5G手機。iQOO是一個獨立于vivo運營的全新子品牌，于2019年2月12日正式成立。此次，vivo將首款5G手機在iQOO品牌發(fā)布，也足以看出vivo對這一品牌的重視。
2019-08-23 11:34:343055 從倍思推特了解到，倍思推出了全球最小的120W氮化鎵充電器，現已在kickstarter眾籌。
2020-02-25 16:38:249396 8月7日，iQOO品牌一款新機通過3C認證。該網站顯示這款手機支持最高120W充電功率，由維沃移動通信有限公司生產制造，是一款5G手機。從這些信息來看，這款手機很有可能是iQOO最近官宣即將發(fā)布的iQOO 5手機。
2020-08-07 11:51:124041 
今天上午，iQOO手機官微發(fā)文正式宣布，iQOO 7將全系標配120W超快閃充，僅需15分鐘即可將電量充至100%。
2020-12-31 11:08:541831 上就曾搭載過120W超快閃充技術，完全充滿4000mAh電池僅需15分鐘，這也是目前為止充電功率最高的手機之一，而iQOO 7也將成為目前全球充電最快的驍龍888手機。 除了充電速度之外，iQOO
2020-12-31 11:17:033360 去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵充電器、65W單口氮化鎵充電器、Candy多彩
2021-02-19 16:59:273676 去年3月，努比亞發(fā)布了旗下首款氮化鎵充電器，功率達65W三口（2C1A），此后又推出了120W三口（2C1A）氮化鎵充電器、45W雙口（1A1C）氮化鎵充電器、65W單口氮化鎵充電器、Candy多彩氮化鎵充電器等等。
2021-02-20 14:47:012140 小米、紫米近日接連發(fā)布 33W 氮化鎵充電器，以 5W 充電頭的小巧體積實現了 33W 快充。據微博 @數碼閑聊站 爆料，小米即將發(fā)布 120W GaN 氮化鎵充電器，可以給小米 10 Ultra
2021-02-28 11:34:284004 iQOO 包裝依舊，配備了120W的充電器，并且充電器重量就已經有206g了，這也導致收到快遞時，小編懷疑自己收到了板磚，包裝居然有788.1g。
2021-03-16 11:08:0213189 氮化鎵是下一代功率半導體技術，運行速度比傳統(tǒng)硅快20倍，和傳統(tǒng)硅充電器相比，氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下，能實現3倍功率或3倍的充電速度。
2022-01-12 15:23:36912 下一代氮化鎵功率芯片 助力RedmiBook Pro實現輕巧快充 ? 加利福尼亞州埃爾塞貢多2022年6月29日訊 — 氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領導者納微半導體（納斯達克代碼：NVTS）宣布
2022-07-01 14:39:401410 
氮化鎵屬于第三代半導體材料，相對硅而言，氮化鎵間隙更寬，導電性更好，將普通充電器替換為氮化鎵充電器，充電的效率更高。
2023-02-14 17:35:504561 氮化鎵充電器什么意思？氮化鎵充電器的優(yōu)點？氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么？ 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵（GaN）材料制造的充電器。GaN是一種新型的寬禁帶半導體材料，具有高電子遷移率、高熱
2023-11-21 16:15:24981 氮化鎵充電器傷電池嗎？氮化鎵充電器怎么選？ 氮化鎵（GaN）充電器被廣泛認為是下一代充電器技術的關鍵。與傳統(tǒng)充電器相比，氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢，比如高效率、高功率密度和小尺寸等。然而，有些人擔心
2023-11-21 16:15:271668 隨著科技的發(fā)展，電子產品已經成為了我們生活中的必需品。而為了保持這些產品的正常運行，需要一種高效、快速、安全的充電方式。氮化鎵充電器就是一種基于氮化鎵半導體材料的先進充電技術。下面我們將詳細介紹氮化
2023-11-24 10:57:461249 
氮化鎵不是充電器類型，而是一種化合物。 氮化鎵（GaN）是一種重要的半導體材料，具有優(yōu)異的電學和光學特性。近年來，氮化鎵材料在充電器領域得到了廣泛的應用和研究。本文將從氮化鎵的基本特性、充電器的需求
2024-01-10 10:20:29255 ，而普通充電器通常采用硅半導體技術。氮化鎵材料具有許多優(yōu)點，例如高能效、高功率密度和低熱耗散等。相比之下，硅半導體材料的功率密度較低，效率不高，而且容易產生較多的熱量。因此，小米氮化鎵充電器在充電效率和發(fā)熱方面具有明
2024-01-10 10:28:551113 解一下Vivo氮化鎵充電器的工作原理。Vivo氮化鎵充電器采用了先進的半導體材料氮化鎵技術。與傳統(tǒng)的硅基充電器相比，氮化鎵充電器具有更高的功率密度和更高的能量轉換效率。由于氮化鎵材料具有更好的導熱性能，充電器在工作時不會發(fā)熱，
2024-01-10 10:32:15581
電子發(fā)燒友App
工商網監(jiān)
評論