在我們的項目中，時常會有參數(shù)或數(shù)據(jù)需要保存。鐵電存儲器的優(yōu)良性能和操作方便常常被我們選用。FM25xxx FRAM存儲器就是我們經(jīng)常使用到的一系列鐵電存儲器，這一篇我們將討論FM25xxx FRAM存儲器的驅(qū)動設(shè)計、實現(xiàn)及使用。
2022-12-08 14:56:55
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存儲領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
支持MX25V1606FM2I03MX29LV320EBTI-70GMX25L51245GMI-10GMX29GL128FDT2I-11GMX25U8035FM2IMX35UF1G14AC-Z4IMX25
2021-11-12 09:48:20
24C02是什么？24C02存儲器有哪些功能呢？24C02存儲器的基本讀寫操作流程是怎樣的？
2022-01-21 07:22:24
FM24V02-GTR - 256Kb Serial 3V F-RAM Memory - Ramtron International Corporation
2022-11-04 17:22:44
各位高手，我在使用28335 SPI與FM25L256鐵電存儲器進行調(diào)試時，用示波器能測DSp 28335的SPICLK引脈沖輸出，SPI_SIMO引腳上也有數(shù)據(jù)發(fā)送出來的脈沖，但是就是讀不到從
2014-06-14 10:33:27
FM25V02-GTR - 256Kb Serial 3V F-RAM Memory - Ramtron International Corporation
2022-11-04 17:22:44
FM25VN02-GTR - 256Kb Serial 3V F-RAM Memory - Ramtron International Corporation
2022-11-04 17:22:44
概述：FM25640是RAMTRON公司生產(chǎn)的一款64Kb的 FRAM 串行存儲器。它具有100億次的讀寫次數(shù)，掉電數(shù)據(jù)可保持10年。該器件支持SPI的模式0&3，最大可達到5 MHz的總線速度，結(jié)構(gòu)容量為8192×8位。它采用8腳DIP封裝。
2021-05-18 07:15:49
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲器映射存儲器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲器分配地址的過程就稱為存儲器映射，具體見圖 5-5。如果給存儲器再分配一個地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲器的分類介紹
2021-04-06 07:14:25
擦除，擦除后又可重新寫入新的程序?！ ?、可電改寫只讀存儲器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-12-21 17:10:53
，擦除后又可重新寫入新的程序?！ ?、可電改寫只讀存儲器（EEPROM）： EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容，其編程電壓和清除電壓均與微機CPU的5V工作電壓相同，不需另加電壓。它既有
2017-10-24 14:31:49
本帖最后由 chenxuyang1991 于 2012-9-6 14:24 編輯本程序利用Ginkgo I2C適配器底層接口函數(shù)對AT24C02存儲器進行讀寫控制，程序?qū)懭氲臄?shù)據(jù)顯示出來，程序代碼
2018-10-23 11:52:07
AT24C02存儲器讀寫測試程序
2020-12-15 06:02:54
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了?。?？AT89C52手??冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
摘要：介紹鐵電存儲器（FRAM）的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808為例說明并行FPGA與8051系列
2014-04-25 13:46:28
E9820A快照存儲器模塊，產(chǎn)品概述
2019-04-09 07:24:56
E9830A延遲存儲器模塊，產(chǎn)品概述
2019-07-26 11:16:03
EN25B64是一款64MBFLASH存儲器，它為雙列16腳貼片封裝，支持2.7V~3.6V 的電壓輸入。
2021-04-23 06:35:54
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
MT47H64M16NF-25E:M動態(tài)隨機存取存儲器：規(guī)格：存儲器類型易失存儲器格式DRAM技術(shù)SDRAM - DDR2存儲容量1Gb （64M x 16）存儲器接口并聯(lián)時鐘頻率400MHz寫
2020-06-30 16:26:14
服務(wù)器存儲器的容量需求愈來愈大，過去主要是向上游存儲器原廠采購，未來在質(zhì)量、價格、供貨穩(wěn)定等面向逐漸穩(wěn)定下，此領(lǐng)域的趨勢將會由存儲器模塊廠分一杯羹。威剛目前標準型DRAM產(chǎn)品線營收比重仍超過40%，隨著
2022-02-18 14:29:54
了一個紅圈。隨著設(shè)備日益縮小，已經(jīng)沒有空間或沒有必要安裝這些完整的模塊了，因此，可能只需要在設(shè)備的主電路板上直接安放一個或多個這樣的芯片。大多數(shù)人很可能沒有意識到他們擁有多少帶 DDR 存儲器的產(chǎn)品或
2022-11-23 07:15:34
，無寫入延遲，且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲器陣列。無需進行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個總線周期。相比串行閃存和串行EEPROM，FM25V10的耐用性高出8個數(shù)量級以上，所消耗的有效功率卻不到其十分之一
2008-10-08 09:23:16
stm32擴展鐵電存儲器FM16W08的程序怎么寫？？有參考 的嗎讀寫程序該怎么操作??！
2013-12-26 21:47:03
串行存儲器A25L010資料下載內(nèi)容包括：A25L010引腳功能
2021-03-29 06:31:18
串行存儲器A25L016資料下載內(nèi)容包括：A25L016引腳功能A25L016內(nèi)部方框圖
2021-03-30 06:14:40
什么是EEPROM存儲器？
2021-11-01 07:24:44
外存儲器 外儲存器是指除計算機內(nèi)存及CPU緩存以外的儲存器，此類儲存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)?！ ⊥?b class="flag-6" style="color: red">存儲器有哪些 外存儲器有哪些 1、軟盤存儲器 讀寫數(shù)據(jù)的最小單位是扇區(qū)，存取速度慢
2019-06-05 23:54:02
基礎(chǔ)）AT24C02存儲器容量為256*8（2kB），通信接口采用雙線串行接口（SCL時鐘線、SDA串行數(shù)據(jù)線）；雙線數(shù)據(jù)傳送協(xié)議為：ISO/IEC7816-3同步協(xié)議。寫字節(jié)時序：根據(jù)上述寫字節(jié)時序，得到寫字節(jié)函數(shù)代碼：//函數(shù)功能：寫入AT24C02一字節(jié)//入口參數(shù)：寫入地址、寫入數(shù)據(jù)v
2021-12-02 07:18:23
單片機中的數(shù)據(jù)存儲器ram
2020-12-29 07:15:44
DSP的地址線A00接在SRAM的A0上?！ ? 小結(jié) 本文主要介紹了如何根據(jù)實際需要來自動地調(diào)節(jié)存儲器接口寬度。由于C32可以非常靈活地調(diào)整其存儲器接口寬度，使得存儲器接口電路的設(shè)計更加的靈活，因此非常適用于電機或電力系統(tǒng)等實時系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集與處理。
2019-06-14 05:00:08
本文介紹一種基于虛擬存儲器的USB下載線設(shè)計。
2021-05-27 06:07:33
您好!IAM使用FM25V01 128 kBIT（16 K×8）串行（SPI）F RAM。在將數(shù)據(jù)存儲到Flash中之后，希望從FLASH讀取完整內(nèi)存區(qū)域的數(shù)據(jù)。是否有任何工具或設(shè)備，如PROM程序員直接讀取傾倒數(shù)據(jù)讀取這個FRAM。請幫忙。如果你知道任何工具建議我。
2019-09-25 13:41:48
本文介紹了一種0．13微米CMOS T藝下FPGA中嵌入式存儲器模塊的設(shè)計與實現(xiàn)。
2021-04-09 06:02:09
比較高的客戶有用到。簡直是大海撈針?？赡苓€有很多人不太了解這個產(chǎn)品，我簡單介紹一下，詳細了解可打咨詢熱線:(0755)82124969或QQ21444289鐵電存儲器FUJITSU FRAM 鐵電
2014-03-13 10:00:54
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競爭對手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級芯片的可靠性。隨著對嵌入式存儲器需求的持續(xù)增長，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專用存儲器設(shè)計方法。
2019-11-01 07:01:17
電存儲器ＦＲＡＭ，則可很好地解決成本問題，同時又可得到更高的數(shù)據(jù)存儲可靠性。鐵電存儲器是ＲＡＭＴＲＯＮ公司的專利產(chǎn)品，該產(chǎn)品的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這一特殊材料使得鐵電存儲器產(chǎn)品同時擁有隨機存儲器
2019-04-28 09:57:17
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
proteus 可以仿真鐵電存儲器FM25640嗎？或者直接用哪兒器件可以替代仿真嗎？
2015-07-27 17:24:15
32M16P-5B:JMX25L12835FM2I-10GiaUSB3740B-AI9-TRTS3DV642A0RUARA3V64S40GTP-60SN05041RGFRMX25L3206EM2I-12GW25Q16JVSSIQSN97006DSURMX25
2021-12-16 14:02:40
用SPI接口擴展外部Flash存儲器本應(yīng)用例使用SPMC75F2413A的SPI（Serial Peripheral Interface）功能實現(xiàn)對具有SPI接口的Flash存儲設(shè)備進行操作。完成
2009-09-21 09:19:30
系統(tǒng)設(shè)計存在設(shè)計基于閃存的可靠的嵌入式和存儲系統(tǒng)時仍然面對重大挑戰(zhàn)。隨著每代新產(chǎn)品的出現(xiàn)，目前存儲器技術(shù)要求尺寸越來越小，但耑要較大系統(tǒng)級變化來維持系統(tǒng)級討靠性和性能。NOR和NAND閃存的存儲器架構(gòu)
2018-05-17 09:45:35
`西鄉(xiāng)存儲器IC收購 西鄉(xiāng)存儲器IC回收公司銘盛電子科技公司長期收購廠家以及個人庫存各種IC內(nèi)存芯片二三極管電子料回收。136-3166-5055深圳市銘盛電子科技有限公司收購電子料，回收業(yè)務(wù)包括有
2021-05-17 17:11:47
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了啊？？AT89C52手冊上找不到怎么選擇外部存儲器說明，各位高手有誰知道啊 ？？[/mw_shl_code]
2019-03-29 01:54:26
CH32V103R8T6內(nèi)存不夠是否能接外部存儲器？如何使用外部存儲器？
2022-06-08 06:53:10
遠高于同等容量的EEPROM。在電子式電能表行業(yè)中,數(shù)據(jù)安全保存是最重要的。隨著電子表功能的發(fā)展,保存的數(shù)據(jù)量越來越大,這就需要大容量的存儲器,而大容量的EEPROM性能指標不是很高,尤其是擦寫次數(shù)和速度影響電能表自身的質(zhì)量。FM24C256在電能表中的使用,會提高電能表的數(shù)據(jù)安全存貯特性。
2019-07-11 06:08:19
可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。FM33256B-G提供256Kb的非易失性FRAM存儲器容量?？焖俚膶懭胨俣群蜔o限的耐用性使該存儲器可以用作額外
2023-04-07 16:23:11
非易失性存儲器的特點及應(yīng)用介紹
2012-08-20 12:54:28
介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-04-15 09:48:25
66 介紹鐵電存儲器(FRAM)的一般要領(lǐng)和基本原理，詳細分析其讀寫操作過程及時序。將FRAM與其它存儲器進行比較，分析在不同場合中各自的優(yōu)缺點。最后以FM1808 為例說明并行FRAM 與8051
2009-05-16 14:19:5310 海爾25F99存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-01 09:33:5911 海爾25T6D-S存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-01 09:56:138 海爾25TA存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-02 09:50:008 TCL 2501 (25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:31:407 TCL 2502 (25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-05 13:35:3015 TCL2566(24C02) (25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-06 08:39:0713 TCL AT25S168(25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 10:38:0718 TCL AT25U159-F3725E11(25英寸)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-12 10:39:0316 TCL CPU M05V3(24C02)存儲器數(shù)據(jù)
2009-06-18 18:34:4743 FM25C160 是美國Ramtron 公司生產(chǎn)的非易失性鐵電介質(zhì)讀寫存儲器。它具有高速讀寫，超低功耗和無限次寫入等特性。文中介紹了FM25C160 的性能特點﹑管腳定義﹑內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作
2009-11-12 14:11:0335 The FM25V02 is a 256-kilobit nonvolatile memoryemploying an advanced ferroelectric process.
2010-03-03 16:40:0339 mW。取消選擇該器件時，CMOS待機電流小于200 A。 型號AT28C256-25FM/883功能描述電可擦除可編程只讀存儲器 256K 11MIL
2023-12-08 15:05:01
本文主要介紹了鐵電存儲器FM20L08的原理及應(yīng)用。該存儲器不僅克服了EEPROM和Flash存儲器寫入時間長、擦寫次數(shù)少等缺點，而且增加了電壓監(jiān)控器和軟件控制的寫保護功能，1MB
2010-12-03 16:29:3355
FM3116是Ramtron公司基于I2C的具有多種功能的鐵電存儲器，具有存儲速度快，功耗低，非易失存儲等特點，提出了一種FM3116在復(fù)費率電能表中的應(yīng)用設(shè)計，并給出基于FM3116
2010-12-16 15:43:0649
介紹非易失性鐵電存儲器FM25H20的性能特點，內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理；給出單片機與FM25H20的寫操作接口電路圖，以及FM25H20的寫操作流程圖。歸納出任何一款8位數(shù)據(jù)總線寬
2010-12-20 17:15:0373 摘要：RAMTRON公司生產(chǎn)的并行接口高性能鐵電存儲器FM1808是NV-SRAM的理想替代產(chǎn)品。文中介紹了FM1808的性能特點、引腳功能和工作原理，同時重點介紹了鐵電存儲器的
2006-03-24 13:01:421718 
FM25V10 新型F-RAM系列產(chǎn)品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性
世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體
2008-09-23 08:45:122634 FM3116 鐵電存儲器在復(fù)費率電能表中的應(yīng)用
1 引言
????? 在單片機應(yīng)用和智能儀器中，存儲器已成為不可或缺
2008-10-14 13:30:41949 
帶RTC的I2C總線鐵電存儲器芯片-FM31256
FM31256是一種基于I2C總線、采用鐵電體技術(shù)的多功能存儲芯片。除了非易失存儲器外，該器件還具有實時時鐘、低電壓
2009-03-29 15:16:103182 
介紹了一種新型鐵電存儲器FM25CL64，同時還分析了TMS320VC5402D SP的SPI引導(dǎo)裝載模式，給出了一種基于鐵電存儲器FM25CL64的DSP脫機獨立運行系統(tǒng)的設(shè)計方案，并且該方案已成功地應(yīng)用到一種
2011-09-21 17:04:1374 Ramtron宣布推出世界上最低功耗的非易失性存儲器。該16 kb器件的型號為FM25P16，是業(yè)界功耗最低的非易失性存儲器，為對功耗敏感的系統(tǒng)設(shè)計開創(chuàng)了全新的機遇.
2012-02-07 09:00:551190 HL配套C實驗例程24c02存儲器，配合開發(fā)板學(xué)習(xí)效果更好。
2016-04-11 17:04:336 The FM25C160B is a 16-Kbit nonvolatile memory employing an advanced ferroelectric process.
2017-09-11 14:09:563 該文檔是25AA02UID（IC存儲器EEPROM）中文資料用戶手冊，25AA02UID4的應(yīng)用特征、功率參數(shù)、應(yīng)用范圍和基本電路。還包括25AA02UID應(yīng)用電路圖和引腳配置圖，是最全的25AA02UID中文資料，歡迎大家免費下載。
2017-10-30 14:50:4315 這是一個256bit的非易失性存儲器FM25L256采用先進的鐵電的過程。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性和執(zhí)行讀取和寫入內(nèi)存一樣。它提供了可靠的數(shù)據(jù)保持10年，同時消除了復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級的可靠性問題所造成的EEPROM和其他非易失性存儲器。
2017-11-03 17:15:34124 FM25L256是由RAMTRON生產(chǎn)，以鐵電存儲介質(zhì)的256Kb（32K字節(jié)）串行3V非易失性存儲器，采用SPI總線控制，構(gòu)成的系統(tǒng)具有簡單，占用硬件資源少，存取快速的特點。同時，由于鐵電存儲器（以下簡稱FRAM）有著固有的優(yōu)勢，因此，可用于高可靠場合信息存儲設(shè)備。
2017-11-03 17:26:3822 FM25L256是由RAMTRON生產(chǎn)，以鐵電存儲介質(zhì)的256Kb（32K字節(jié)）串行3V非易失性存儲器，采用SPI總線控制，構(gòu)成的系統(tǒng)具有簡單，占用硬件資源少，存取快速的特點。下面將具體的來說說FM25L256的驅(qū)動測試。
2017-11-04 09:10:423595 該FM25W256是一個256千位非易失性存儲器采用先進的鐵電過程。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并執(zhí)行類似于RAM的讀寫。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。
2018-08-27 08:00:0086 本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是使用EEPROM存儲器24C02記憶開機次數(shù)的代碼免費下載。
2019-08-26 17:31:2125 存儲器屬于常見產(chǎn)品，在各類需要存儲功能的器件中均存在存儲器身影。本文中，小編將對單片機內(nèi)部的各大存儲器：程序存儲器、數(shù)據(jù)存儲器、特殊功能寄存器予以介紹。
2020-10-19 11:46:148889 存儲器，顧名思義是存儲設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中，存儲器是必不可少的重要組件。為增進大家對存儲器的了解，本文將對存儲器卡以及半導(dǎo)體存儲器的分類予以介紹。
2020-12-04 09:48:422242 對于存儲器，大家都有所了解，比如我們每天使用的手機內(nèi)就具備存儲器。為增進大家對存儲器的認識，本文將對只讀存儲器的種類予以介紹，并對相變存儲器、存儲器生命周期、技術(shù)進行對比。如果你對存儲器相關(guān)內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-12-06 10:31:007265 和橫跨傳統(tǒng)市場的業(yè)務(wù)覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴展溫度的2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR。
2021-05-13 14:35:021561 FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及可用于斷電（NMI）中斷或其他目的的通用比較器。該器件的工作電壓為2.7V至3.6V。
2021-05-17 16:43:53912 
賽普拉斯FM25V05-GTR是一款非易失性鐵電存儲器，采用先進鐵電工藝的512Kb非易失性存儲器。主要提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器
2021-06-08 16:32:20938 FM25CL64B-GTR是串行FRAM存儲器。存儲器陣列在邏輯上組織為8，192×8位，可使用行業(yè)標準的串行外圍設(shè)備接口（SPI）總線進行訪問。FRAM的功能操作類似于串行閃存和串行EEPROM
2021-06-08 16:35:041683 FM25V10-GTR是采用先進鐵電工藝的1Mbit非易失性存儲器。鐵電存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了151年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存
2021-06-08 16:39:521134 FM25V02A是使用高級鐵電工藝的256Kbit非易失性存儲器。FRAM是非易失性的；與RAM相同，它能夠執(zhí)行讀和寫操作。它提供151年的可靠數(shù)據(jù)保留時間，并解決了由串行閃存、EEPROM和其他非易失性存儲器造成的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性的問題。賽普拉斯代理英尚微電子提供技術(shù)相關(guān)支持。
2021-07-27 15:23:082426 存儲器介紹(嵌入式開發(fā)英文怎么說)-存儲器介紹，有需要的可以參考！
2021-07-30 16:10:0218 藍橋杯單片機硬件基礎(chǔ)藍橋杯單片機AT24C02存儲器電路圖：由上述電路硬件連接和AT24C02存儲器地址初值，可知該AT24C02存儲器的器件地址為：0xa0；AT24C02讀寫時序（IIC
2021-11-23 17:36:1927 下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，FM25N將補全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26378 
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