2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR的功能及特征

CYPRESS在包括汽車、工業(yè)、家庭自動化和家電、醫(yī)療產(chǎn)品和消費電子業(yè)務(wù)領(lǐng)域。主要向客戶提供市場領(lǐng)先的MCU、無線 SoC、存儲器、模擬 IC和USB 控制器的解決方案。在快速發(fā)展的物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域獲得了優(yōu)勢和橫跨傳統(tǒng)市場的業(yè)務(wù)覆蓋。Cypress代理英尚微給大家分享一款具有擴展溫度的2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR。

FM25V20A-DGQTR功能介紹

FM25V20A-DGQTR是采用先進鐵電工藝的2Mbit非易失性存儲器。鐵電隨機存取存儲器或FRAM是非易失性的，并且執(zhí)行類似于RAM的讀取和寫入操作。它提供了121年的可靠數(shù)據(jù)保留，同時消除了由串行閃存，EEPROM和其他非易失性存儲器引起的復(fù)雜性，開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。

與串行閃存和EEPROM不同，F(xiàn)M25V20A-DGQTR以總線速度執(zhí)行寫操作。沒有寫入延遲。每個字節(jié)成功傳輸?shù)皆O(shè)備后，立即將數(shù)據(jù)寫入存儲器陣列。下一個總線周期可以開始而無需數(shù)據(jù)輪詢。此外，與其他非易失性存儲器相比，該產(chǎn)品具有顯著的寫入耐久性。FM25V20A-DGQTR能夠支持1014個讀/寫周期，或比EEPROM多1000萬倍的寫周期。

這些功能使FM25V20A-DGQTR非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用，例如數(shù)據(jù)收集（可能是關(guān)鍵的寫入周期數(shù)）到要求嚴格的工業(yè)控制，而串行閃存或EEPROM的長時間寫入會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失。

FM25V20A-DGQTR為串行EEPROM或閃存的用戶提供了可觀的好處，可作為硬件的替代產(chǎn)品。FM25V20A-DGQTR使用高速SPI總線，從而增強了FRAM技術(shù)的高速寫入能力。該設(shè)備包含一個只讀的設(shè)備ID，該ID允許主機確定制造商，產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本。在–40℃至+105℃的擴展溫度范圍內(nèi)保證器件的規(guī)格。

特征

邏輯組織為256K×8的2Mbit鐵電隨機存取存儲器（FRAM）

高耐用性10萬億（1014）讀/寫

121年的數(shù)據(jù)保留

NoDelay?寫道

先進的高可靠性鐵電工藝

極快的SPI

高達33MHz的頻率

直接更換串行閃存和EEPROM的硬件

支持SPI模式0（0，0）和模式3（1，1）

復(fù)雜的寫保護方案

使用寫保護（WP）引腳進行硬件保護

使用禁止寫入指令進行軟件保護

適用于1/4、1/2或整個陣列的軟件塊保護

設(shè)備ID

制造商ID和產(chǎn)品ID

低功耗

在33MHz時有3.0mA有功電流

400μA待機電流

12μA睡眠模式電流

低壓操作：VDD=2.0V至3.6V

擴展溫度：–40℃至+105℃

8引腳薄型雙扁平無引線（DFN）封裝

符合有害物質(zhì)限制（RoHS）

? ? ? 責(zé)任編輯:tzh

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鐵電存儲器(FRAM)的核心技術(shù)是鐵電晶體材料，這種特殊材料使鐵電存儲器同時擁有隨機存取記憶體(RAM)和非易失性存儲器的特性，芯片能在常溫、沒有電場的情況下，數(shù)據(jù)保持此狀態(tài)達100年以上，鐵電

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復(fù)旦微電推出NAND Flash及EEPROM存儲器新品

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基本上，我想將數(shù)據(jù)寫入/讀取 I.MX RT1170 評估板中的非易失性存儲器 (MX25L4006EM2R-12G)。1）是否有任何示例應(yīng)用程序可供參考？像 LPUART、LPI2C 等....

2023-04-19 09:07:12

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA（存儲器到存儲器）

本章教程講解DMA存儲器到存儲器模式。存儲器到存儲器模式可以實現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標地址上（內(nèi)部SRAM），最后對比源數(shù)據(jù)和目標地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準確。

2023-04-17 15:28:08

XMC串行閃速存儲器——XM25QH64C/XM25QH128C

XM25QH64C/XM25QH128C是64Mbit/128Mbit串行閃速存儲器，可直接從雙/四SPI接口執(zhí)行代碼，存儲語音、文本和數(shù)據(jù)，提供的靈活性和性能遠超普通串行閃速存儲器，非常適合于

2023-04-14 10:42:55

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非易失性存儲器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點

在嵌入式系統(tǒng)中，F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過多種不同的串行協(xié)議（包括SPI或串行外圍設(shè)備接口）來連接存儲設(shè)備。在單片機中也集成了多種不同類型的SPI

2023-04-07 16:42:42

MRAM實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代

具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需

2023-04-07 16:41:05

與FRAM相比Everspin MRAM具有哪些優(yōu)勢？

/寫存儲器，在斷電時無需外部電池即可保留數(shù)據(jù)。Everspin不支持/ZZ睡眠功能。/ZZ可能需要上拉。表1概述：MB85R8M2TPBS與MR3A16ACMA35原作者：宇芯電子

2023-04-07 16:26:28

非易失性存儲器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲器與基于處理器的系統(tǒng)最常用的功能集成在一起，主要功能包括非易失性存儲器，實時時鐘，低VDD復(fù)位，看門狗定時器，非易失性事件計數(shù)器，可鎖定的64位序列號區(qū)域以及

2023-04-07 16:23:11

適合高級汽車市場ADAS應(yīng)用的非易失性存儲器MB85RS2MLY介紹

隨著萬物智聯(lián)時代的到來，智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司提供的一款2Mbit FeRAM——MB85RS2MLY

2023-04-07 11:24:48

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2Mbit串行FRAM存儲器FM25V20A-DGQTR的功能及特征

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