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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>如何訪問NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?

如何訪問NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?

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2019-03-27 06:55:23

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。4.串行訪問(Serial access)讀取一個(gè)數(shù)據(jù)的時(shí)間是25ns,而一些舊的nand flash是30ns,甚至是50ns。5.輸入輸出端口是地址和數(shù)據(jù)以及命令一起multiplex復(fù)用的。6.
2018-06-12 10:13:36

Nand Flash引腳(Pin)的說明

?!?b class="flag-6" style="color: red">Nand flash的一些典型(typical)特性】1.頁(yè)擦除時(shí)間是200us,有些慢的有800us。2.塊擦除時(shí)間是1.5ms.3.頁(yè)數(shù)據(jù)讀取數(shù)據(jù)寄存器的時(shí)間一般是20us。4.串行訪問
2018-07-18 15:48:43

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probe過程中:clk_enable //打開nand flash控制器的clock時(shí)鐘,request_mem_region //去申請(qǐng)驅(qū)動(dòng)所需要的一些內(nèi)存等相關(guān)資源
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nand能讀出數(shù)據(jù)但是寫不進(jìn)去

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芯片選型小技巧 | Nor Flash和Nand Flash區(qū)別與共性

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IMX6UL u-boot讀取nand數(shù)據(jù)錯(cuò)誤怎么解決?

中央處理器:imx6ul我正在嘗試從nand flash中讀取數(shù)據(jù),發(fā)現(xiàn)有些數(shù)據(jù)總是固定為0xFn或0xnF,如下所示:數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤規(guī)則是每?jī)纱?b class="flag-6" style="color: red">讀取。第二次讀取數(shù)據(jù)中2018字節(jié)的高quad位固定
2023-04-06 06:15:15

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。然而,我很難找到描述 LPC55S69 的兩個(gè)內(nèi)核如何訪問芯片上的靜態(tài) RAM 和閃存資源的應(yīng)用說明或技術(shù)規(guī)范。NXP 是否提供此類應(yīng)用說明?我在哪里可以找到這個(gè)?我用各種搜索短語(yǔ)搜索了論壇,例如“雙關(guān)心內(nèi)存
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LPCXpresso55S16如何從閃存中動(dòng)態(tài)分配內(nèi)存?

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2023-06-09 06:57:01

MOVC實(shí)現(xiàn)讀取程序存儲(chǔ)區(qū)域的靜態(tài)數(shù)據(jù)

實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)總線,因此一個(gè)數(shù)據(jù)周期需要兩個(gè)總線周期。16位地址可訪問64K外部地址空間。 外部內(nèi)存地址與內(nèi)部內(nèi)存地址是平行的,因此都有0x0001,但是訪問外部存儲(chǔ)器通過MOVX指令實(shí)現(xiàn)。-----------------AVR:程序存儲(chǔ)空間與SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間獨(dú)立編址。...
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NOR與NAND的區(qū)別在哪

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NOR啟動(dòng)與NAND啟動(dòng)的區(qū)別(轉(zhuǎn)載)

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2018-03-12 10:19:26

NOR型flash與NAND型flash的區(qū)別

同時(shí)指定邏輯塊號(hào)和塊內(nèi)偏移。應(yīng)用程序?qū)?b class="flag-6" style="color: red">NAND芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小,一般是8KB,然后每塊又分成頁(yè),頁(yè)的大小一般是512字節(jié)。要修改NAND芯片中一個(gè)字節(jié),必須重寫整個(gè)數(shù)據(jù)
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NOR型flash與NAND型flash的區(qū)別

整個(gè)數(shù)據(jù)塊。 2)NOR閃存是隨機(jī)存儲(chǔ)介質(zhì),用于數(shù)據(jù)量較小的場(chǎng)合;NAND閃存是連續(xù)存儲(chǔ)介質(zhì),適合存放大的數(shù)據(jù)。 3) 由于NOR地址線和數(shù)據(jù)線分開,所以NOR芯片可以像SRAM一樣連在數(shù)據(jù)
2014-04-23 18:24:52

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PC端訪問服務(wù)器并讀取服務(wù)器端的數(shù)據(jù) 怎么寫??? 需要訪問數(shù)據(jù)庫(kù)嗎?聽說還要服務(wù)器那邊的用戶名和密碼才能訪問數(shù)據(jù)庫(kù)不需要兩臺(tái)pc機(jī)的通信的程序 求大神。。。。。
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2020-06-15 04:35:15

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starterware boot 讀取 nand page 與 sy***ios 中 讀取nand page 時(shí)間差異很大你好:遇到的問題為:starterware boot 讀取 nand
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一次讀取數(shù)據(jù)占用內(nèi)存很大

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2015-08-31 09:40:29

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2019-07-15 05:01:51

了解內(nèi)存:如何在嵌入式C語(yǔ)言中使用結(jié)構(gòu)

內(nèi)存訪問邊界限制,我們可以通過一次內(nèi)存訪問讀取地址3和4。但是,邊界限制迫使處理器兩次訪問內(nèi)存。那么,如果它使數(shù)據(jù)操作更加困難,為什么還要將內(nèi)存訪問限制在某些邊界呢?存在內(nèi)存訪問邊界限制是因?yàn)閷?duì)地
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什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片?

前言   大家好,我們一般在STM32項(xiàng)目開發(fā)中或者在其他嵌入式開發(fā)中,經(jīng)常會(huì)用到存儲(chǔ)芯片存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今天我和大家來介紹一款存儲(chǔ)芯片,我這里采用(雷龍) CS創(chuàng)世 SD NAND 。   SD
2024-01-05 17:54:39

使用M24M01eeprom無(wú)法獲取數(shù)據(jù)的原因?

0xFFFF 開始順序讀取并繼續(xù)進(jìn)一步讀取來確認(rèn)它。但是如果我使用地址作為 0x51 并從位置 0x010000 開始讀取(16 位中的內(nèi)存地址將為 0x0000),那么我將無(wú)法獲取數(shù)據(jù)
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使用ST25RU3993閱讀器讀取gen2標(biāo)簽時(shí)報(bào)錯(cuò)怎么解決?

實(shí)驗(yàn)室的另一個(gè)讀卡器可以訪問內(nèi)存,所以它應(yīng)該適用于這個(gè)讀卡器。該標(biāo)簽基于 EM4325 芯片,我正在嘗試訪問位于 0xEC 及以后的系統(tǒng)內(nèi)存數(shù)據(jù)表說這些頁(yè)面沒有讀取保護(hù)。
2022-12-06 06:35:51

利用SRIO接口從FPGA向6678的共享內(nèi)存發(fā)送數(shù)據(jù),請(qǐng)問相比于單核從共享內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)會(huì)慢多少?

段發(fā)送數(shù)據(jù),第一段數(shù)據(jù)由核0處理,第二段數(shù)據(jù)由核1處理,第三段……第八段數(shù)據(jù)由核7處理。想問一下,這種機(jī)制相比于單核從共享內(nèi)存讀取數(shù)據(jù)會(huì)慢多少,因?yàn)槎嗪?b class="flag-6" style="color: red">訪問共享內(nèi)存肯定存在沖突問題,謝謝!另外,每個(gè)核處理完各自的數(shù)據(jù)會(huì)不停的輪詢讀寫共享內(nèi)存的標(biāo)志位,以此判斷數(shù)據(jù)新的數(shù)據(jù)是否到達(dá)!
2018-06-25 01:31:27

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

,降低了成本。 flash 分為 nor flash 和 nand flash: nor flash 數(shù)據(jù)線和地址線分開,可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能,可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦
2023-05-19 15:59:37

可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品的全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品

,優(yōu)化了控制器,這些產(chǎn)品還提供更快的讀/寫速度。讀取速度提高約8%,而寫入速度提高將近20%。 市場(chǎng)對(duì)于能夠支持智能手機(jī)、平板電腦等應(yīng)用的NAND閃存的需求繼續(xù)增長(zhǎng)。帶控制器的嵌入式內(nèi)存尤其供不應(yīng)求,因?yàn)?/div>
2018-09-13 14:36:33

哪位高手能實(shí)現(xiàn)LabVIEW與遠(yuǎn)程Oracle數(shù)據(jù)庫(kù)的訪問,重謝

實(shí)現(xiàn)LabVIEW訪問Oracle數(shù)據(jù)庫(kù),從中讀取一些數(shù)據(jù)進(jìn)行判斷并顯示,必有重謝,哪位高手可以幫幫我呢,拜托了!
2017-03-20 15:03:12

基于FPGA的SD NAND圖片顯示實(shí)現(xiàn)

的----將存儲(chǔ)在SD NAND內(nèi)的兩張圖片通過FPGA讀取,并通過VGA的方式在顯示器上輪回顯示。1、目標(biāo)使用 SD NAND數(shù)據(jù)讀寫控制器讀取事先存儲(chǔ)在 SD NAND的圖片數(shù)據(jù),將讀取的圖片數(shù)據(jù)
2023-01-06 17:06:04

基于FPGA的SD卡的數(shù)據(jù)讀寫實(shí)現(xiàn)(SD NAND FLASH)

Programmable read only memory)是指帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器,是一種掉電后數(shù)據(jù)不丟失的存儲(chǔ)芯片。EEPROM 可以在電腦上或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有信息,重新編程。 這類產(chǎn)品容量小,讀取速度慢,且
2022-12-16 17:18:37

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本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2022-02-17 06:54:13

如何在外部Winbond W25N02JW SPI NAND Flash中訪問文件

樣本代碼顯示在外部 Winbond W25N02JW SPI NAND Flash 中訪問文件。 文件系統(tǒng)為 FAT32。 用戶可以將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在 SPI NAND Flash 中作為數(shù)據(jù)記錄器
2023-08-29 07:21:07

如何將數(shù)據(jù)寫入FIFO的第一個(gè)地址,并從第一個(gè)地址讀取數(shù)據(jù)?

發(fā)送和接收數(shù)據(jù)的問題:我把我的數(shù)據(jù)發(fā)送到FX2LP,當(dāng)我想再讀取它時(shí),數(shù)據(jù)被移動(dòng)。如何將數(shù)據(jù)寫入FIFO的第一個(gè)地址,并從第一個(gè)地址讀取數(shù)據(jù)?接收數(shù)據(jù)JPG158.2 K 以上來自于百度翻譯 以下
2019-06-18 09:12:45

導(dǎo)致ARM內(nèi)存屏障的原因究竟有哪些

指令的基本原則如下:所有在內(nèi)存屏障指令之前的數(shù)據(jù)訪問必須在內(nèi)存屏障指令之前完成;所有在內(nèi)存屏障指令后面的數(shù)據(jù)訪問必須等待內(nèi)存屏障指令執(zhí)行完;多條內(nèi)存屏障指令是按順序執(zhí)行的。ARM有三種內(nèi)存屏障指令
2022-05-09 09:32:35

怎么確定訪問地址、設(shè)置內(nèi)存控制器?

數(shù)據(jù)怎么傳輸?各引腳怎么配合?怎么確定訪問地址、設(shè)置內(nèi)存控制器?
2021-11-05 08:27:58

無(wú)法讀取nand flash的設(shè)備ID該怎么辦?

NAND閃存,但沒有任何運(yùn)氣。(目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)NAND啟動(dòng)),這里所用的程序是嘗試從U-BooD讀取NAND的設(shè)備ID,如果成功的話,NAND和處理器之間的通信將一致。當(dāng)我嘗試打印MfFyID和DavyID
2019-10-29 09:30:45

無(wú)法找到訪問寫入期間讀取數(shù)據(jù)

字節(jié),以便讀取從我發(fā)送的地址的數(shù)據(jù)。SPI端口確實(shí)支持在字節(jié)寫入期間讀取數(shù)據(jù)字節(jié)到讀取緩沖器中,但是無(wú)論如何我無(wú)法找到訪問寫入期間讀取數(shù)據(jù)。接收緩沖器不能直接訪問,只能通過SPI5BUF(我
2019-06-14 12:09:07

請(qǐng)問NAND FLASH的數(shù)據(jù)讀取只能按頁(yè)讀取嗎?

NAND FLASH的數(shù)據(jù)讀取只能按頁(yè)讀取嗎?想按字節(jié)讀取可以實(shí)現(xiàn)嗎?
2019-09-26 08:31:39

請(qǐng)問LABVIEW怎么同過TCP訪問儀表的庫(kù)去讀取數(shù)據(jù)?

這是同事用VB.net寫通訊代碼,通過VB去訪問儀表庫(kù)讀取數(shù)據(jù)。現(xiàn)在想改成LABVIEW去讀取數(shù)據(jù),請(qǐng)問應(yīng)該怎么做啊,求幫助,感謝各位大神。
2018-05-21 12:19:42

請(qǐng)問SD NAND是怎樣的芯片?是SD卡嗎?

),專門用來讀取nand flash 中的數(shù)據(jù),寫flash 不要求高速。這樣的話,就等于是通過 單片機(jī)和 “nand 控制器” 同時(shí)控制nand flash芯片了。單片機(jī)負(fù)責(zé)寫入,花費(fèi)15個(gè)I/O口
2018-06-13 14:14:34

請(qǐng)問怎么隨機(jī)讀取oob區(qū)數(shù)據(jù)?

我按頁(yè)讀取NAND FLASH,可以讀取oob數(shù)據(jù),但是隨機(jī)讀取,怎么也定位不到oob區(qū)?請(qǐng)問怎么隨機(jī)讀取oob區(qū)數(shù)據(jù)?
2019-07-01 04:19:17

請(qǐng)問我是否可以將天線連接到我的spartan-3e板并從中發(fā)送信號(hào)?

嗨,大家好!我想問一下,我是否可以將天線連接到我的spartan-3e板并從中發(fā)送信號(hào)?以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi everyone! i want to ask if i can
2019-06-06 09:09:20

問題:讀取數(shù)據(jù)時(shí)報(bào)錯(cuò)內(nèi)存不足

大家好,最近在處理數(shù)據(jù)的時(shí)候遇到這樣一個(gè)問題,使用讀取電子表格來讀一個(gè)300M左右的TXT數(shù)據(jù)文件,運(yùn)行時(shí)間很長(zhǎng)并且報(bào)錯(cuò)內(nèi)存不足,有什么辦法能解決這個(gè)問題嗎?謝謝各位了
2012-01-18 22:55:31

大起大落的存儲(chǔ)芯片#存儲(chǔ)芯片 #內(nèi)存芯片 #SK #NAND #DRAM 芯球崛起#硬聲創(chuàng)作季

NANDRAM內(nèi)存芯片存儲(chǔ)芯片Nand flash時(shí)事熱點(diǎn)
電子師發(fā)布于 2022-10-20 09:08:40

遠(yuǎn)程訪問服務(wù)器的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存容量

遠(yuǎn)程訪問服務(wù)器的標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存容量              標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存容量是指遠(yuǎn)程訪問服務(wù)器隨機(jī)所帶的內(nèi)存容量大小。不同的產(chǎn)品隨機(jī)
2010-01-08 14:25:52691

遠(yuǎn)程訪問服務(wù)器的最大內(nèi)存容量

遠(yuǎn)程訪問服務(wù)器的最大內(nèi)存容量              最大內(nèi)存容量是指遠(yuǎn)程訪問服務(wù)器主板能夠最大能夠支持內(nèi)存的容量。
2010-01-08 14:26:26738

DMA_讀取GPIO電平到內(nèi)存

DMA_讀取GPIO電平到內(nèi)存,單片機(jī)程序
2016-01-12 18:19:5510

多寄存器Load/Store內(nèi)存訪問指令

5.4 多寄存器Load/Store內(nèi)存訪問指令 多寄存器Load/Store內(nèi)存訪問指令也叫批量加載/存儲(chǔ)指令,它可以實(shí)現(xiàn)在一組寄存器和一塊連續(xù)的內(nèi)存單元之間傳送數(shù)據(jù)。LDM用于加載多個(gè)寄存器
2017-10-18 15:56:191

內(nèi)存SRAM-NOR-NAND資料匯總(附程序及原理圖)

內(nèi)存SRAM-NOR-NAND資料匯總(附程序及原理圖)
2017-11-29 17:49:5012

英特爾和鎂光專注于NAND市場(chǎng)上的不同領(lǐng)域并宣布停止合作開發(fā)NAND內(nèi)存

據(jù)外媒報(bào)道,英特爾和鎂光宣布,它們不再合作開發(fā)下一代3D NAND內(nèi)存
2018-01-11 09:16:024070

三星五代V-NAND閃存芯片,使生產(chǎn)效率提高了30%以上

此外,新的V-NAND數(shù)據(jù)寫入速度僅延遲了500微妙,與前一代相比改進(jìn)了30%,讀取信號(hào)時(shí)間已降低到50微妙。值得一提的是新的96層V-NAND閃存芯片也更加節(jié)能,電壓從1.8V降至1.2V。
2018-07-27 17:11:00978

內(nèi)存卡和閃存卡的主要區(qū)別

內(nèi)存卡一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元,常說的內(nèi)存是RAM,表示既可以從中讀取數(shù)據(jù),也可以寫入數(shù)據(jù)。當(dāng)機(jī)器電源關(guān)內(nèi)存閉時(shí),存于其中的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。它是集成塊集中在一起的一小塊 電路板,它插在計(jì)算機(jī)中的內(nèi)存插槽
2018-11-24 10:47:1632729

如何訪問NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)

的存儲(chǔ)卡,如SD、索尼的MemoryStick、MMC等,都包含了一個(gè)非常簡(jiǎn)單的經(jīng)典結(jié)構(gòu),其中包含了獨(dú)立的部分一個(gè)控制器、一個(gè)PCB和tsop48或LGA-52包中的NAND內(nèi)存芯片。在這種情況下,恢復(fù)的整個(gè)過程非常簡(jiǎn)單我們只是解焊了內(nèi)存芯片,用PC-3000 FLASH直接讀
2020-09-09 09:37:376149

如何訪問NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?

在開始處理一體FLASH數(shù)據(jù)恢復(fù)之前,我們應(yīng)該警告你,一體FLASH器件焊接的整個(gè)過程很復(fù)雜,需要良好的焊接技能和特殊設(shè)備。 如果您之前從未嘗試過焊接一體FLASH器件,那么最好在一些數(shù)據(jù)不重要的配件在設(shè)備上嘗試您的技能。 例如,您可以購(gòu)買其中的幾個(gè),以測(cè)試您的準(zhǔn)備和焊接技能。
2021-01-15 10:25:173299

如何訪問NAND內(nèi)存芯片并從中讀取數(shù)據(jù)?

現(xiàn)在很多現(xiàn)代的NAND閃存設(shè)備都采用了一種新型的架構(gòu),將接口、控制器和存儲(chǔ)芯片集成到一個(gè)普通的陶瓷層中。我們稱之為一體結(jié)構(gòu)封裝。
2021-06-15 09:56:252410

NOR falsh、NAND flash、SDEMMC、QSPI flash、SPI flash

1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開,可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能,可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630

nand_flash的初始化,如何從nand_flash中讀取數(shù)據(jù)

本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615

內(nèi)存是怎么讀取數(shù)據(jù)

你知道內(nèi)存是怎么讀取數(shù)據(jù)的嗎?知道數(shù)據(jù)是怎么一個(gè)一個(gè)字節(jié)發(fā)送的嗎?
2022-03-30 13:52:234486

如何有效地從內(nèi)核中訪問設(shè)備的全局內(nèi)存

當(dāng)訪問多維數(shù)組時(shí),線程通常需要索引數(shù)組的更高維,因此快速訪問是不可避免的。我們可以使用一種名為?共享內(nèi)存?的 CUDA 內(nèi)存來處理這些情況。共享內(nèi)存是一個(gè)線程塊中所有線程共享的片上內(nèi)存。共享內(nèi)存
2022-04-11 10:07:41937

驅(qū)動(dòng)訪問Linux IO內(nèi)存流程

在內(nèi)核中訪問IO內(nèi)存(通常是芯片內(nèi)部的各個(gè)I2C,SPI, USB等控制器的寄存器或者外部內(nèi)存總線上的設(shè)備)之前,需首先使用ioremap()函數(shù)將設(shè)備所處的物理地址映射到虛擬地址上。
2022-08-04 18:10:521081

NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別

閃存存儲(chǔ)設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495232

內(nèi)存讀取translation tables的邏輯介紹

TWU table walk unit:包含從內(nèi)存讀取translation tables的邏輯 一個(gè)完整的頁(yè)表翻譯和查找的過程叫作頁(yè)表查詢(Translation Table Walk
2023-11-26 16:04:34249

如何逐步設(shè)置并從ADC讀取一個(gè)結(jié)果

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何逐步設(shè)置并從ADC讀取一個(gè)結(jié)果.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-27 11:44:570

SD NAND在對(duì)講機(jī)領(lǐng)域的引領(lǐng)作用:高效安全存儲(chǔ)、快速數(shù)據(jù)訪問和可靠性的完美融合

這種存儲(chǔ)技術(shù)不僅能容納大量語(yǔ)音和數(shù)據(jù)文件,而且具有高速讀取的特點(diǎn),保障了實(shí)時(shí)通信的質(zhì)量。SD NAND還注重安全性,通過數(shù)據(jù)加密和訪問控制功能,確保對(duì)講機(jī)中的敏感信息受到保護(hù)。其耐用性使其能夠抵御對(duì)講機(jī)在使用中可能遇到的振動(dòng)和沖擊。
2023-12-28 00:00:00331

ug內(nèi)部錯(cuò)誤,內(nèi)存訪問違例怎么解決

ug內(nèi)部錯(cuò)誤,內(nèi)存訪問違例怎么解決 內(nèi)部錯(cuò)誤和內(nèi)存訪問違例是編程中常見的問題,它們可能會(huì)導(dǎo)致應(yīng)用程序崩潰、數(shù)據(jù)丟失或系統(tǒng)不穩(wěn)定。在本文中,我將詳細(xì)解釋內(nèi)部錯(cuò)誤和內(nèi)存訪問違例的原因,如何解決這些
2023-12-27 16:27:132140

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片發(fā)威!內(nèi)存條價(jià)格殺瘋了!果鏈驚現(xiàn)國(guó)產(chǎn)3D NAND!

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)根據(jù) IC Insights 統(tǒng)計(jì),2020年全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 1,267 億美元,其中DRAM和NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模較大,占比分別為53%和44
2022-04-17 15:21:464854

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