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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>一文介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫過程

一文介紹ram的結(jié)構(gòu)和讀寫過程

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,所以ram是易失性存儲器。本文主要介紹ram結(jié)構(gòu)讀寫過程?! ?.ram結(jié)構(gòu)它由三部分電路組成:    1)行、列地址譯碼器:它是個(gè)二進(jìn)制譯碼器,將地址碼翻譯成行列對應(yīng)的具體地址,然后去選
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2022-10-10 09:03:28

請問誰寫過AT25F1024 EEPROM的讀寫程序嗎?

有誰寫過AT25F1024這款EEPROM的讀寫程序嗎?最好是基于DSP2812或者DSP28335的例程。自己調(diào)試了許久,未能成功。
2019-02-14 06:35:21

資料下載:單片機(jī)片外RAM,串行的

的STC8H8K信號采集版”介紹了通過并行接口擴(kuò)展單片機(jī)片外內(nèi)存的方法。在STC8H8K單片機(jī)運(yùn)行在40MHz總線的情況下,完成片外RAM讀寫僅僅需要0.5微妙。這在很多情況下可以滿足單片機(jī)數(shù)據(jù)訪問的要求了。但是通過單片機(jī)的...
2021-07-01 08:45:13

野火【fireFlasher Mini脫機(jī)下載器】首次體驗(yàn)脫機(jī)燒寫過程

個(gè)開發(fā)板燒寫不同的程序,運(yùn)行,驗(yàn)證正確性,燒寫過程真的很方便,完全可以使用脫機(jī)使用。 下步,測試其他型號的便利性。加密,遠(yuǎn)程燒錄的其他功能。
2023-05-08 18:11:33

COF結(jié)構(gòu)智能屏

        COF(chip on FPC)智能屏是基于迪低功耗雙核T5L0 ASIC,將整個(gè)智能屏核心電路放到液晶模組
2021-12-28 15:44:28

T5L平臺COB結(jié)構(gòu)智能屏

     迪T5L平臺COB結(jié)構(gòu)智能屏是基于迪自主研發(fā)的高性價(jià)比雙核T5L系列芯片,將整個(gè)智能屏核心電路放到PCB板子上,集成整合觸摸屏(電阻觸摸和電容觸摸
2022-06-15 13:49:45

RAM掉電保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

摘要:本文介紹了在單片機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域中RAM讀寫存儲器中數(shù)據(jù)在掉電時(shí)的三種保護(hù)方法及相應(yīng)的設(shè)計(jì)電路和軟件設(shè)計(jì)方法,以便更可靠地保護(hù)RAM中的數(shù)據(jù)。關(guān)鍵詞:RAM 掉電保護(hù)
2010-05-31 09:47:4129

支持B類CPU卡的5V接觸式讀寫器設(shè)計(jì)

針對A類接口的讀寫器不能對B類CPU卡進(jìn)行讀寫的問題,介紹一種可以對3V的B類卡片進(jìn)行讀寫的5V接觸式IC卡讀寫器,闡述了其硬件電路結(jié)構(gòu)和單片機(jī)固件程序,介紹了對其進(jìn)行操作的簡單
2010-10-08 16:27:190

靜態(tài)RAM結(jié)構(gòu)組成原理圖

圖2.2 (1)靜態(tài)RAM結(jié)構(gòu)組成原理圖
2008-04-01 17:36:398708

1024 X4位RAM(2114)的結(jié)構(gòu)框圖

1024 X4位RAM(2114)的結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-04 15:29:046231

雙端口RAM的并口設(shè)計(jì)應(yīng)用

雙端口RAM的并口設(shè)計(jì)應(yīng)用 摘要:IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨(dú)立的數(shù)據(jù)、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口R
2010-03-03 19:25:551754

UHF射頻讀寫器的設(shè)計(jì)

滿足市場需求,提高讀寫器的讀寫效率,提出了一種超高頻讀寫器的設(shè)計(jì)方案,介紹讀寫器的系統(tǒng)硬件結(jié)構(gòu),在此基礎(chǔ)上闡述了RFID讀寫器的軟件設(shè)計(jì)流程以及防沖撞算法的實(shí)現(xiàn)。相對
2011-11-03 15:20:5780

HDFS數(shù)據(jù)讀寫過程(1)#大數(shù)據(jù)分析

大數(shù)據(jù)分析
學(xué)習(xí)硬聲知識發(fā)布于 2023-07-11 14:43:18

HDFS數(shù)據(jù)讀寫過程(2)#大數(shù)據(jù)分析

大數(shù)據(jù)分析
學(xué)習(xí)硬聲知識發(fā)布于 2023-07-11 14:43:43

單片機(jī)C51程序燒寫過程

【LabVIEW從入門到精通】5.2.4.1b 單片機(jī)C51程序燒寫過程
2016-01-08 15:47:020

單片機(jī)擴(kuò)展外部ROM或RAM讀寫時(shí)序

單片機(jī)擴(kuò)展外部ROM或RAM讀寫時(shí)序,PPT介紹。
2016-12-12 21:36:199

pygitd的代碼編寫過程

pygit是一個(gè)大約500行Python代碼工具,實(shí)現(xiàn)了一些git功能,包括創(chuàng)建庫、將文件添加到索引、提交、將自身推送到GitHub上去。 本文給出了一些代碼編寫過程,并詳細(xì)介紹了相關(guān)代碼。 Git
2017-09-30 10:08:070

介紹SLICEM里的LUT如何形成RAM資源

一個(gè)SLICEM里面有4個(gè)LUT,他們可以組合得到多種大小的RAM。首先就是四端口的32x2bits的RAM,支持一次性讀寫2bits,原理如下圖。四個(gè)LUT的寫數(shù)據(jù)端口DI1,DI2,寫使能WE,寫地址WA共用,稱為寫控制信號共用。讀地址A分別控制。
2018-10-30 10:28:4010404

MLX90640紅外陣列傳感器的綜合讀寫測試程序和工程文件免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是MLX90640紅外陣列傳感器的底層驅(qū)動(dòng)程序測試演示,是個(gè)完整的Keil工程,包含了EEPROM、寄存器和RAM讀寫過程,16位32位MCU都可以用。
2019-10-12 08:00:00111

STM32F0xx_SPI讀寫(Flash) 配置詳細(xì)過程

STM32F0xx_SPI讀寫(Flash)配置詳細(xì)過程
2020-04-07 11:40:284534

關(guān)于ram結(jié)構(gòu)讀寫過程的詳細(xì)講解

ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。ram工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入
2020-12-09 14:25:0514861

如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作

RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊,可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況,同樣它也是ROM,F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作。
2022-02-08 15:50:4912183

以太網(wǎng)工業(yè)級雙通道讀寫讀寫頭CK-FR102AN-E00開發(fā)手冊之讀寫過程與操作流程

本文重點(diǎn)介紹以太網(wǎng)工業(yè)級雙通道讀寫讀寫頭CK-FR102AN-E00開發(fā)手冊之讀寫過程與操作流程,歡迎發(fā)燒友交流與溝通! 1、讀寫讀寫過程 PLC、電腦發(fā)送讀寫數(shù)據(jù)命令到讀寫器,讀寫器響應(yīng)命令后獲取電子標(biāo)簽數(shù)據(jù),讀寫數(shù)據(jù)成功回復(fù)相關(guān)數(shù)據(jù)到PLC、電腦端
2021-02-03 22:03:54132

【ZYNQ Ultrascale+ MPSOC FPGA教程】第六章 FPGA片內(nèi)RAM讀寫測試實(shí)驗(yàn)

RAM是FPGA中常用的基礎(chǔ)模塊,可廣泛用于緩存數(shù)據(jù)的情況,同樣它也是ROM,F(xiàn)IFO的基礎(chǔ)。本實(shí)驗(yàn)將為大家介紹如何使用FPGA內(nèi)部的RAM以及程序?qū)υ?b class="flag-6" style="color: red">RAM的數(shù)據(jù)讀寫操作。
2021-03-15 06:09:4514

Host是如何與EC通信的(BIOS通過ACPI協(xié)議對EC RAM進(jìn)行讀寫)

提示:文章寫完后,目錄可以自動(dòng)生成,如何生成可參考右邊的幫助文檔文章目錄前言一、EC RAM是什么?二、使用步驟1.高級配置和電源接口(ACPI)規(guī)范2.EC RAM讀寫過程總結(jié)前言提示:這里可以
2021-12-04 11:36:1222

關(guān)于ram結(jié)構(gòu)讀寫過程

ram也叫主存,是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器。它可以隨時(shí)讀寫(刷新時(shí)除外)且速度很快,通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中的程序的...
2022-01-25 20:03:251

手機(jī)上的ROM和RAM技術(shù)原理

。本來的含義是:ROM是Read Only Memory的意思,也就是說這種存儲器只能讀,不能寫。而RAM是Random Access Memory的縮寫。這個(gè)詞的由來是因?yàn)樵缙诘挠?jì)算機(jī)曾經(jīng)使用磁鼓作為內(nèi)存,而磁鼓和磁帶都是典型的順序讀寫設(shè)備。RAM則可以隨機(jī)讀寫。
2023-03-30 14:53:271941

APB3接口的讀寫過程

APB3是一個(gè)低功耗低成本接口。所有信號在時(shí)鐘上升沿傳輸,每次傳輸需要兩個(gè)時(shí)鐘周期。
2023-03-31 17:26:211397

FPGA在一個(gè)時(shí)鐘周期可以讀取多個(gè)RAM數(shù)據(jù)嗎?

設(shè)計(jì)都涉及到對RAM讀寫操作。在FPGA芯片中,RAM也叫做存儲塊(Block RAM),可以存儲大量的數(shù)據(jù)。 FPGA中的RAM可以一次讀取多個(gè)數(shù)據(jù),這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM的結(jié)構(gòu)是一個(gè)多列的數(shù)據(jù)表格,其中每一列都是一個(gè)包含多個(gè)存儲單元的塊。通過在時(shí)鐘的一次上升沿來讀取RAM中的數(shù)據(jù),這個(gè)操作必須在一個(gè)
2023-10-18 15:28:20598

IC設(shè)計(jì)中關(guān)于ram的應(yīng)用

統(tǒng)計(jì)有效數(shù)據(jù)包的個(gè)數(shù)。 假設(shè)數(shù)據(jù)中存在pkt_id,pkt_id為0~63,則ram的深度為64。pkt_id用于作為讀寫地址。RAM讀延時(shí)為3個(gè)時(shí)鐘周期。
2023-11-17 17:36:16296

fpga雙口ram的使用

FPGA雙口RAM的使用主要涉及配置和使用雙端口RAM模塊。雙端口RAM的特點(diǎn)是有兩組獨(dú)立的端口,可以對同一存儲塊進(jìn)行讀寫操作,從而實(shí)現(xiàn)并行訪問。
2024-03-15 13:58:1481

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