NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器，也就是掉電不丟失類型，現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash，比如U盤、固態(tài)硬盤，手機(jī)存儲(chǔ)等等，電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2022-11-10 17:08:32
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Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33
1. TC58V64 的引腳配置TC58V64的引腳配置如圖所示。在圖中未看到地址引腳，這是因?yàn)槔脭?shù)據(jù)輸人輸出引腳（I／O 1 ～I(xiàn)／O 8 ），能夠以時(shí)分方式賦予數(shù)據(jù)。NAND閃速存儲(chǔ)器只能
2018-04-11 10:10:52
TC58V64的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示。閃速存儲(chǔ)器的容量增大，則塊數(shù)也將增加，但內(nèi)部的基本結(jié)構(gòu)沒(méi)有改變。NAND 閃速存儲(chǔ)器的特點(diǎn)①按順序存取數(shù)據(jù)；②存儲(chǔ)器內(nèi)部以塊為單元進(jìn)行分割，而各塊又以頁(yè)為單位進(jìn)行
2018-04-11 10:11:54
真正的云存儲(chǔ)系統(tǒng)將會(huì)是一個(gè)多區(qū)域分布、遍布全國(guó)、甚至于遍布全球的龐大公用系統(tǒng)，使用者需要通過(guò)ADSL、DDN等寬帶接入設(shè)備來(lái)連接云存儲(chǔ)，而不是通過(guò)FC、 SCSI或以太網(wǎng)線纜直接連接一***立的、私有的存儲(chǔ)設(shè)備上。
2019-10-11 09:11:15
我們經(jīng)常都把手機(jī)的存儲(chǔ)卡說(shuō)成是“內(nèi)存卡”，偶爾也聽說(shuō)內(nèi)存幾百G的，而還有名詞flash,nor flash, nand flash等等，相信蠻多人都暈坨坨的。這里科普一下。 我們都知道存儲(chǔ)器是用來(lái)存
2016-03-15 12:35:10
閃存被廣泛用于移動(dòng)存儲(chǔ)、數(shù)碼相機(jī)、 MP3 播放器、掌上電腦等新興數(shù)字設(shè)備中。由于受到數(shù)碼設(shè)備強(qiáng)勁發(fā)展的帶動(dòng)， NAND 閃存一直呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)的超高速增長(zhǎng)， NAND 可望在近期超過(guò) NOR 成為閃存技術(shù)的主導(dǎo)。
2018-06-14 14:34:31
首先討論HDD及其功能，并比較儲(chǔ)存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來(lái)的專欄中，我們將專門討論SSD，并探索在可預(yù)見的未來(lái)將持續(xù)發(fā)展的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存趨勢(shì)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">儲(chǔ)存 vs 存儲(chǔ)器 電子數(shù)據(jù)
2017-07-20 15:18:57
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（又稱易失性存儲(chǔ)器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器（...
2021-07-26 08:30:22
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲(chǔ)信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲(chǔ)器的分類存儲(chǔ)器分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器；所謂易失性存儲(chǔ)器是指設(shè)備掉電，存儲(chǔ)的信息自動(dòng)清除，而非易失性存儲(chǔ)器具有存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的功能。易失性存儲(chǔ)器主要指
2021-12-10 06:54:11
從個(gè)人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個(gè)人電腦各種存儲(chǔ)器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
匯編語(yǔ)言程序目錄一、CPU對(duì)存儲(chǔ)器的讀寫二、內(nèi)存地址空間三、將各類存儲(chǔ)器看作一個(gè)邏輯器件——統(tǒng)一編址四、內(nèi)存地址空間的分配方案——以8086PC機(jī)為例一、CPU對(duì)存儲(chǔ)器的讀寫CPU想要進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫
2021-12-10 08:04:16
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
了一個(gè)紅圈。隨著設(shè)備日益縮小，已經(jīng)沒(méi)有空間或沒(méi)有必要安裝這些完整的模塊了，因此，可能只需要在設(shè)備的主電路板上直接安放一個(gè)或多個(gè)這樣的芯片。大多數(shù)人很可能沒(méi)有意識(shí)到他們擁有多少帶 DDR 存儲(chǔ)器的產(chǎn)品或
2022-11-23 07:15:34
AHB MC是一種符合高級(jí)微控制器總線體系結(jié)構(gòu)（AMBA）的片上系統(tǒng)（SoC）外圍設(shè)備。它由ARM有限公司開發(fā)、測(cè)試和許可。
AHB MC利用了新開發(fā)的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器控制器（DMC）和靜態(tài)存儲(chǔ)器控制器
2023-08-02 06:26:35
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的
存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。
存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)
儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀
存儲(chǔ)器）?！ ?/div>
2019-06-28 08:29:29
文章目錄前言一、存儲(chǔ)器類型二、探究S3C2440啟動(dòng)地址1.為什么nand啟動(dòng)地址是4096？2.為什么nor啟動(dòng)地址是0x4000,0000 + 4096？前言本文記錄的是S3C2440啟動(dòng)
2022-02-15 07:30:08
SST26VF064B存儲(chǔ)器IoT設(shè)備設(shè)計(jì)需要考慮哪些問(wèn)題？非易失性存儲(chǔ)器怎么選擇？
2021-06-15 07:57:36
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個(gè)停車場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來(lái)存地址信號(hào)，通過(guò)刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過(guò)延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫信號(hào)，用來(lái)讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車的狀態(tài)（在不在車庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
Nand驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)象棋小子 1048272975Nand flash具有大容量、改寫速度快、接口簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，為固態(tài)大容量存儲(chǔ)提供了廉價(jià)有效的解決方案。各種電子產(chǎn)品中如手機(jī)存儲(chǔ)器
2015-07-26 11:33:25
到底什么是云存儲(chǔ)？云存儲(chǔ)系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？云存儲(chǔ)有哪些技術(shù)前提？
2021-06-02 06:27:45
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
SD NAND是一種基于NAND閃存技術(shù)的存儲(chǔ)設(shè)備，與其他存儲(chǔ)設(shè)備相比，它具有以下幾個(gè)顯著的優(yōu)點(diǎn)：
高可靠性：SD NAND針對(duì)嵌入式系統(tǒng)的特殊需求進(jìn)行了設(shè)計(jì)，具有更高的可靠性。它內(nèi)置了閃存控制器
2024-01-05 17:54:39
與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲(chǔ)的高性價(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲(chǔ)裝置。
2019-09-03 07:22:10
外存儲(chǔ)器 外儲(chǔ)存器是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲(chǔ)存器，此類儲(chǔ)存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)?！ ⊥?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器有哪些 外存儲(chǔ)器有哪些 1、軟盤存儲(chǔ)器 讀寫數(shù)據(jù)的最小單位是扇區(qū)，存取速度慢
2019-06-05 23:54:02
flash中運(yùn)行。嵌入式系統(tǒng)多用一個(gè)小容量的nor flash存儲(chǔ)引導(dǎo)代碼，用一個(gè)大容量的nand flash存放文件系統(tǒng)和內(nèi)核。
1.2 存儲(chǔ)器RAM介紹
RAM有兩大類，一種稱為靜態(tài)RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
市場(chǎng)2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到1，500億美元，其中NAND Flash超過(guò)570億美元，而中國(guó)市場(chǎng)消耗了全球產(chǎn)能的32％，這意味著中國(guó)已成為全球主要的市場(chǎng)，為了擺脫長(zhǎng)期對(duì)外采購(gòu)的依賴，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器
2021-07-13 06:38:27
1. 嵌入式的外部存儲(chǔ)器嵌入式系統(tǒng)中，外部的存儲(chǔ)器一般是Nand flash和Nor flash，都稱為非易失存儲(chǔ)器。存儲(chǔ)器的物理構(gòu)成包含頁(yè)內(nèi)地址，頁(yè)（Page），塊（Block）。可以得出存儲(chǔ)器
2021-12-10 08:26:49
的測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生。本文提出了一種多功能存儲(chǔ)器芯片的測(cè)試系統(tǒng)硬件設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)，對(duì)各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲(chǔ)器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
Access Memory”的縮寫，被譯為隨機(jī)存儲(chǔ)器。所謂“隨機(jī)存取”，指的是當(dāng)存儲(chǔ)器中的消息被讀取或?qū)懭霑r(shí)，所需要的時(shí)間與這段信息所在的位置無(wú)關(guān)。這個(gè)詞的由來(lái)是因?yàn)樵缙谟?jì)算機(jī)曾使用磁鼓作為存儲(chǔ)器，磁鼓是順序讀寫設(shè)備，而RAM可隨讀取其內(nèi)部任意地址的數(shù)據(jù)，時(shí)間都是相同的，因
2021-12-10 07:09:20
存儲(chǔ)器有哪些分類？由哪些部分組成？常見的儲(chǔ)存器有哪些？如何選擇儲(chǔ)存器？
2021-11-04 06:44:30
影響存儲(chǔ)器訪問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
執(zhí)行(XIP)和代碼映射(Code Shadowing)。本文討論了這兩種存儲(chǔ)器架構(gòu)的特點(diǎn)，并且介紹了新出現(xiàn)的DDR MobileRAM。 移動(dòng)電話從簡(jiǎn)單的語(yǔ)音通信設(shè)備到奇妙的多功能多媒體設(shè)備的持續(xù)
2009-10-08 15:53:49
STM32的存儲(chǔ)器由哪些組成？怎樣去啟動(dòng)STM32存儲(chǔ)器？
2021-09-24 07:03:23
存儲(chǔ)器可分為哪幾類？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
未來(lái)DDR4、NAND Flash存儲(chǔ)器芯片該如何發(fā)展
2021-03-12 06:04:41
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來(lái)不知道為什么，求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
方便移動(dòng)設(shè)備應(yīng)用.存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持增長(zhǎng)的帶寬需求及更少的功耗.非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器與傳統(tǒng)的NOR閃存相比，被證實(shí)可以減少功耗。存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)存儲(chǔ)器子系統(tǒng)架構(gòu)是嵌入式設(shè)計(jì)者面臨的主要挑戰(zhàn).存儲(chǔ)器參數(shù)
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問(wèn)這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
有兩個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教板上各位大牛，謝謝了。
1、6657芯片中是不是沒(méi)有程序存儲(chǔ)器，是不是必須要外接flash才能存入程序？
2、如果使用外接的flash程序存儲(chǔ)器，如何從外部設(shè)備啟動(dòng)呢？有沒(méi)有這樣的例程或者手冊(cè)可以供我參考？我想外接一個(gè)flash存儲(chǔ)器（通過(guò)SPI或者EMIF外接）作為程序存儲(chǔ)器，謝謝！
2018-06-21 18:24:08
隨著CPU速度的迅速提高，CPU與片外存儲(chǔ)器的速度差異越來(lái)越大，匹配CPU與外部存儲(chǔ)器的方法通常是采用Cache或者片上存儲(chǔ)器。微處理器中的片上存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)通常包含指令Cache、數(shù)據(jù)Cache或者片上存儲(chǔ)器。
2019-11-11 07:03:58
兩種：NOR Flash：允許隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的任何區(qū)域，以編碼應(yīng)用為主，其功能多與運(yùn)算相關(guān)Nand Flash：主要功能是存儲(chǔ)資料，適合儲(chǔ)存卡之類的大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。本章以K9F1G08U0E芯片為例講解Nand Flash。如下為此芯片的數(shù)據(jù)手冊(cè)：
2016-07-06 16:58:53
跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后
2011-11-19 11:53:09
跨越溝壑的橋梁--一種非易失性的RAM。當(dāng)一個(gè)電場(chǎng)被加到鐵電晶體時(shí)，中心原子順著電場(chǎng)的方向在晶體里移動(dòng)。當(dāng)原子移動(dòng)時(shí)，它通過(guò)一個(gè)能量壁壘，從而引起電荷擊穿。內(nèi)部電路感應(yīng)到電荷擊穿并設(shè)置存儲(chǔ)器。移去電場(chǎng)后
2011-11-21 10:49:57
閃速存儲(chǔ)器根據(jù)單元的連接方式，如表所示，可分成NAND、NOR、DINOR（Divided bit Line NOR）及AND幾類。NAND閃速存儲(chǔ)器單元的連接方式如圖 1 所示，NOR閃速存儲(chǔ)器
2018-04-09 09:29:07
的NOR以及硅盤中應(yīng)用的NAND閃速存儲(chǔ)器，在寫入時(shí)為高 V th ；而AND及DINOR閃速存儲(chǔ)器中，在寫人時(shí)為低 V th 。
2018-04-10 10:52:59
NAND FLASH在儲(chǔ)存測(cè)試系統(tǒng)中的應(yīng)用
0 引言
計(jì)算機(jī)技術(shù)的高速發(fā)展，存儲(chǔ)系統(tǒng)容量從過(guò)去的幾KB存儲(chǔ)空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來(lái)要達(dá)到的PB存儲(chǔ)空間，
2009-11-07 10:21:25857 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器原理圖解
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是具備可以儲(chǔ)存圖像數(shù)據(jù)或文字?jǐn)?shù)據(jù)、程序等信息，在必要時(shí)
2010-03-01 16:58:2326119 高性能20納米級(jí)NAND閃存存儲(chǔ)器
SAMSUNG電子有限公司推出業(yè)界首個(gè)20納米級(jí)(nm) NAND芯片，用于安全數(shù)字(SD)存儲(chǔ)器卡和嵌入式存儲(chǔ)解決方案中。32
2010-05-17 12:15:021091 提出一種適用于未來(lái)高密度應(yīng)用的與非(NAND) 型共享選通管的三維多層1TXR 阻變存儲(chǔ)器概念。在0.13 m工藝下, 以一個(gè)使用8 層金屬堆疊的1T64R 結(jié)構(gòu)為例, 其存儲(chǔ)密度比傳統(tǒng)的單層1T1R 結(jié)構(gòu)高
2011-12-07 11:02:41
16 017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷了一場(chǎng)大規(guī)模的漲價(jià)模式，內(nèi)存出現(xiàn)了供需不平衡的狀態(tài)，大部分主導(dǎo)權(quán)主要集中在韓國(guó)。為此中國(guó)更加注重存儲(chǔ)器的發(fā)展。大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展正在崛起，但是存儲(chǔ)器的專利問(wèn)題或?qū)⒊蔀槲磥?lái)發(fā)展的阻礙。
2018-01-22 17:08:13893 
性能以外，還需要更高容量的儲(chǔ)存，才足以支持5G、人工智能(AI)、擴(kuò)增實(shí)境(AR)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導(dǎo)向的新一代應(yīng)用。以往容量?jī)H16GB、32GB的智能手機(jī)已無(wú)法滿足當(dāng)前的移動(dòng)應(yīng)用需求，從而為3D NAND快閃存儲(chǔ)器(flash)的進(jìn)展鋪路。
2018-06-07 07:44:00744 
國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）3日提出，繼移動(dòng)裝置后，物聯(lián)網(wǎng)、車用、第五代移動(dòng)通訊（5G ）擴(kuò)增實(shí)境（AR）/虛擬實(shí)境（VR）及人工智慧（AI）將為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中長(zhǎng)期發(fā)展五大驅(qū)動(dòng)力。為迎相關(guān)應(yīng)用，存儲(chǔ)器廠積極擴(kuò)增產(chǎn)能，并以儲(chǔ)存型（NAND Flash）為主要爭(zhēng)戰(zhàn)焦點(diǎn)。
2018-07-06 09:42:00473 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過(guò)于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2018-06-11 12:01:00922 現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器控制器中的磨損平衡技術(shù)已經(jīng)有顯著進(jìn)步，能夠克服快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存介質(zhì)固有的弱點(diǎn)，并幫助發(fā)揮出快閃存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲(chǔ)器儲(chǔ)存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲(chǔ)器控制器進(jìn)行應(yīng)用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 ，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而 NAND 則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
2018-04-09 15:45:33109972 紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)展儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）報(bào)捷，已自主開發(fā)完成最先進(jìn)的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計(jì)明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體三大支柱產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)，2015年半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額達(dá)835億美元。各類存儲(chǔ)器中，NAND Flash是一個(gè)亮點(diǎn)。其廣泛應(yīng)用于PC、手機(jī)、服務(wù)器等各類電子產(chǎn)品，2015年?duì)I收達(dá)到267億美元，占半導(dǎo)體存儲(chǔ)器市場(chǎng)總額的32%。
2018-08-13 09:01:001349 背景知識(shí)的情況下，可以比較簡(jiǎn)單地使用大容量的NAND Flash存儲(chǔ)器，降低了使用NAND Flash存儲(chǔ)器的難度和成本。
2018-12-31 11:29:002879 
外儲(chǔ)存器是指除計(jì)算機(jī)內(nèi)存及CPU緩存以外的儲(chǔ)存器，此類儲(chǔ)存器一般斷電后仍然能保存數(shù)據(jù)。本視頻主要介紹了外存儲(chǔ)器有哪些，分別是軟盤存儲(chǔ)器、硬盤存儲(chǔ)器、移動(dòng)存儲(chǔ)器、閃存盤（優(yōu)盤）、移動(dòng)硬盤以及固態(tài)硬盤（SSD）等。
2018-11-24 11:15:0260786 嚴(yán)格來(lái)講，是存儲(chǔ)器(memory)和儲(chǔ)存器(storage)。前者是指在運(yùn)算中的暫存器，譬如SRAM和DRAM；后者是數(shù)據(jù)永久儲(chǔ)存的器件，如NAND、HDD甚或仍在服役的磁帶。
2018-12-14 08:34:513579 數(shù)據(jù)爆炸式增長(zhǎng)，市場(chǎng)對(duì)大容量存儲(chǔ)器有了硬性需求，單個(gè)的存儲(chǔ)芯片已經(jīng)難以滿足設(shè)備運(yùn)行中大量數(shù)據(jù)流的讀取和儲(chǔ)存。
2019-04-02 10:37:203524 群聯(lián)搶搭儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）需求爆發(fā)商機(jī) ，今年在臺(tái)北國(guó)際電腦展（ Computex）展出的高端儲(chǔ)存系列產(chǎn)品受到市場(chǎng)矚目，預(yù)料在進(jìn)入5G后，將成為各大應(yīng)領(lǐng)用領(lǐng)域新寵，也成為群聯(lián)獲利利器。
2019-06-04 17:02:223029 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技（YMTC）本周早些時(shí)候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲(chǔ)器。
2019-09-09 10:22:161661 過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工可以說(shuō)是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:41742 良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進(jìn)
2020-06-09 13:46:16847 
嚴(yán)格來(lái)講，是存儲(chǔ)器（memory）和儲(chǔ)存器（storage）。前者是指在運(yùn)算中的暫存器，譬如SRAM和DRAM；后者是數(shù)據(jù)永久儲(chǔ)存的器件，如NAND、HDD甚或仍在服役的磁帶。
2020-08-20 17:34:41407 在市場(chǎng)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器供應(yīng)仍有缺口，導(dǎo)致價(jià)格繼續(xù)維持高位的情況下，包括國(guó)際大廠三星、SK海力士、東芝，以及中國(guó)廠商長(zhǎng)江存儲(chǔ)存紛紛宣布擴(kuò)產(chǎn)以增加產(chǎn)能之際，7日美商存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）也宣布擴(kuò)產(chǎn)，以補(bǔ)足市場(chǎng)供不應(yīng)求的缺口。
2020-09-03 16:42:01771 2019年全球市場(chǎng)“主要商品與服務(wù)份額調(diào)查”顯示，用于保存數(shù)據(jù)的NAND型閃存的市場(chǎng)份額排名依舊是三星電子第1、鎧俠（KIOXIA，原東芝存儲(chǔ)器）第2。不過(guò)，眼下中國(guó)企業(yè)開始崛起，有可能擠身前列。
2020-09-07 16:18:55801 
獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲(chǔ)器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444025 
Nand flash是flash存儲(chǔ)器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855 
最近Techinsights舉辦了一場(chǎng)關(guān)于存儲(chǔ)技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，Jeongdong Choe博士介紹了他對(duì)最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:46752 移動(dòng)存儲(chǔ)器就是一種外接式的存儲(chǔ)設(shè)備，常見的有U盤、磁盤、硬盤、光盤、內(nèi)存卡以及軟盤。
2022-01-29 17:18:008646 存儲(chǔ)器的歷史始于1984年，彼時(shí) Masuoka 教授發(fā)明了 NAND Flash（NAND 閃存）。1989年，東芝首款 NAND Flash 上市。2001年，許多Flash廠商推出MLC
2022-11-25 14:57:351637 摘要：本文主要對(duì)兩種常見的非易失性存儲(chǔ)器——NAND Flash和NOR Flash進(jìn)行了詳細(xì)的比較分析。從存儲(chǔ)容量、性能、成本等方面進(jìn)行了深入探討，以幫助讀者更好地理解這兩種存儲(chǔ)器的特性和應(yīng)用。
2023-09-27 17:46:06490 隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求日益增長(zhǎng)。作為一種新型的非易失性存儲(chǔ)器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等優(yōu)勢(shì)，在各個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。本文將對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)器的工作原理、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、性能指標(biāo)及應(yīng)用領(lǐng)域進(jìn)行詳細(xì)解析，以期為讀者提供一個(gè)全面的了解。
2023-09-27 18:26:171446 非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。
2024-03-22 10:54:1515 
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