比特位的技術(shù)），實現(xiàn)了具有極大存儲容量的硅芯片。 目前，最先進的3D NAND閃存可在單個硅片上容納高達1Tbit或1.33Tbit的數(shù)據(jù)。 譬如，英特爾（Intel）和美光科技（Micron）的開發(fā)聯(lián)盟和三星電子各自將制造技術(shù)與64層堆棧和QLC（四層單元）技術(shù)相結(jié)合，該技
2019-08-10 00:01:00
7050 9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:151204 NAND Flash存儲器在移動設(shè)備應(yīng)用市場的需求趨緩。根據(jù)IHS初步統(tǒng)計資料顯示，受到品牌廠與網(wǎng)絡(luò)廠商大舉推出云端儲存服務(wù)影響，第三季智能手機與平板設(shè)備內(nèi)建NAND Flash存儲器的需求已開始減少。
2013-11-26 11:16:171180 
受益于智能手機搭載的NAND Flash存儲容量持續(xù)提升，以及PC、服務(wù)器、資料中心積極導(dǎo)入固態(tài)硬盤（SSD），NAND Flash需求正快速成長，各家存儲器廠亦由2D NAND Flash加速轉(zhuǎn)進
2017-02-07 17:34:128497 
通過3D堆疊技術(shù)將存儲層層堆疊起來，促成了NAND 技術(shù)進一步成熟。
2018-04-16 08:59:5212117 
什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動SSD市場爆炸性成長？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
3D NAND技術(shù)資料：器件結(jié)構(gòu)及功能介紹
2019-09-12 23:02:56
這段時間以來，最熱的話題莫過于iPhone X的Face ID，關(guān)于用它刷臉的段子更是滿天飛。其實iPhone X 實現(xiàn)3D視覺刷臉是采用了深度機器視覺技術(shù)(亦稱3D機器視覺)。由于iPhone X的推動，3D視覺市場或許將被徹底的激活。
2019-07-25 07:05:48
顏色等多種特效。同時也附有預(yù)覽功能，可以隨時邊看邊調(diào)整。制作好的 3D 旗幟動畫可以儲存成 GIF 格式的圖形文件和讓網(wǎng)頁使用。 名稱：Goodman 注冊碼：36959100
2008-06-04 13:06:09
什么是3D圖形芯片？3D圖像生成算法的原理是什么？
2021-06-04 06:29:06
制造業(yè)作為實體經(jīng)濟的主體，即是技術(shù)革新的主戰(zhàn)場，也是推重中國經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展的重點。尤其在如今世界各國對高端技術(shù)和制造業(yè)投入不斷加碼的大背景下，將3D打印等尖端技術(shù)運用于制造業(yè)，促進制造業(yè)升級，更是
2018-08-11 11:25:58
式和偏光式，主要應(yīng)用于家用消費領(lǐng)域，如3D顯示手機、3D顯示電視。3D顯示技術(shù)分類情況全球3D顯示技術(shù)經(jīng)歷了萌芽期、初步發(fā)展期、快速發(fā)展期，從1833年物理學(xué)家發(fā)明的世界第一個反光立體鏡，并創(chuàng)作的首幅
2020-11-27 16:17:14
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
浩辰3D作為由浩辰CAD公司研發(fā)的高端3D設(shè)計軟件，能夠提供更完備的2D+3D一體化解決方案，基于人們的實際應(yīng)用需求，幫助設(shè)計師更智能高效地進行創(chuàng)新設(shè)計，以高精確、強交互的設(shè)計數(shù)據(jù)來銜接工藝制造等
2021-06-04 14:11:29
1839年，英國科學(xué)家查理·惠斯頓爵士根據(jù)“人類兩只眼睛的成像是不同的”發(fā)明了一種立體眼鏡，讓人們的左眼和右眼在看同樣圖像時產(chǎn)生不同效果，這就是今天3D眼鏡的原理。1922年，世界上第一部3D電影
2012-09-20 14:57:53
NAND FLASH就是通過die堆疊技術(shù)，加大單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量的增長。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲容量，若采用48層TLC 堆疊技術(shù)，存儲密度可提升至256GB，輕松突破了平面
2020-11-19 09:09:58
Nand flash是flash存儲器的其中一種，Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND FLASH存儲器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-05 09:18:33
首先討論HDD及其功能，并比較儲存(storage)和(memory)的不同特性。在接下來的專欄中，我們將專門討論SSD，并探索在可預(yù)見的未來將持續(xù)發(fā)展的數(shù)據(jù)儲存趨勢?！ ?b class="flag-6" style="color: red">儲存 vs 存儲器 電子數(shù)據(jù)
2017-07-20 15:18:57
`***的存儲矩陣，怎么存儲容量是16K*32的？一個字不是應(yīng)該等于兩個字節(jié)的嗎？為什么這里是四個字節(jié)？`
2015-09-01 18:09:10
3D成像技術(shù)的不斷發(fā)展，已經(jīng)在眾多領(lǐng)域得到應(yīng)用。而且隨著3D技術(shù)的不斷成熟，在門禁和安防方面的作用已經(jīng)顯得尤為突出。為了增強3D技術(shù)的面部識別能力，簡化智能門禁和智能視頻方案的開發(fā)，提供流暢
2020-12-16 16:14:53
Altium designer summer 09 怎么建立3D庫，及PCB怎么導(dǎo)出3D圖，請教各位前輩們
2016-11-23 19:48:22
，主要有兩種存儲芯片：NOR Flash和NAND Flash。對于大容量需求，通常會選擇NAND Flash。然而，使用NAND Flash會引發(fā)一些問題：
NAND Flash存在壞塊，需要壞塊
2024-01-24 18:30:00
做嵌入式開發(fā)的工程師肯定都接觸過DDR，DDR就是我們常說的內(nèi)存的大小，現(xiàn)在DDR已經(jīng)發(fā)展到DDR5系列了，存儲容量和存儲速度都得到了極大的提高。但嵌入式項目中目前用到最多的還是DDR3和DDR4
2020-09-16 15:30:27
NAND制程的M10Pe和M9V SSD。除原廠之外，下游的SSD品牌廠已陸續(xù)進入了新的制程階段，相較于64層3D NAND，96層3D NAND使單顆Die容量向1Tb普及，不僅將推動SSD容量
2022-02-06 15:39:12
等新興功能不斷提升智能手機、平板電腦和筆記本電腦的能力，用戶對設(shè)備的期望，以及支持這些日益豐富用戶體驗的技術(shù)需求也在水漲船高。我們的3D NAND技術(shù)使得用戶能夠獲得更高的存儲容量，從而支持其整個
2022-02-02 08:45:13
解析SRAM存儲容量及基本特點
2020-12-31 06:35:01
Nand驅(qū)動實現(xiàn)象棋小子 1048272975Nand flash具有大容量、改寫速度快、接口簡單等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，為固態(tài)大容量存儲提供了廉價有效的解決方案。各種電子產(chǎn)品中如手機存儲
2015-07-26 11:33:25
非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生表示，英特爾對大數(shù)據(jù)進行了分層：溫數(shù)據(jù)和熱數(shù)據(jù)，對存儲的需求已不僅僅表現(xiàn)在大容量存儲上，更多的是要求快速處理。2018年英特爾基于QLC和3D Xpoint技術(shù)將推動
2018-09-20 17:57:05
和Neytiri對世界美好的愿望和共同的追求，使雙方互相看到了地球人和納威人之間不可分割的聯(lián)系，而觀眾則通過先進的3D視頻處理技術(shù)，觀賞到了3D電影的逼真效果，感受到這部電影帶來的震撼。那么有誰知道，為什么說FPGA主導(dǎo)了3D視頻處理市場呢？
2019-08-06 08:26:38
在一個單片機的項目中，有規(guī)格書，怎樣估算存儲容量？哪些量是要存儲的，怎么判斷呢？多謝解答
2016-03-18 16:29:44
減少NAND閃存產(chǎn)能投資，以便減少NAND供應(yīng)，緩解市場對降價的預(yù)期。 64層和96層堆棧閃存命運各不同今年將是96層3D閃存爆發(fā)的元年。在64層堆棧之后，2018年下半年各大廠商也開始量產(chǎn)96層堆棧
2021-07-13 06:38:27
NAND Flash驅(qū)動，但是應(yīng)用又需要更大容量的存儲1Gb，2Gb，4Gb，8Gb等?！ 「咚傩?b class="flag-6" style="color: red">容量存儲芯片，且要自帶壞塊管理，能適用于各種單片機的SDIO接口，滿足更多客戶的需求?！ ∵@個時候我們
2019-09-25 15:46:34
`如何把3D文件(STEP)添加到3D庫?復(fù)制到3D庫不能用.`
2013-08-21 12:42:02
的，這個時候就需要存儲容量更大一些。 另外由于穿戴式產(chǎn)品的PCB尺寸很小，因此客戶希望存儲芯片面積小，方便焊接。最好不要用BGA封裝的。那么CS SD NAND 就成了他不二的選擇。為什么這么說容量
2019-04-25 16:08:09
MCU如何選擇大容量存儲NAND Flash，SD NAND是不二選擇，簡直就是"郎才女貌"。 Tel:*** |QQ 2852826868 深圳市雷龍發(fā)展有限公司是CS品牌國內(nèi)唯一代理商，公司創(chuàng)始人都為技術(shù)出身，專注存儲產(chǎn)品13年。`
2019-10-10 16:55:02
3D打印技術(shù)是綜合了三維數(shù)字技術(shù)、控制技術(shù)、信息技術(shù)眾多技術(shù)的創(chuàng)新研發(fā)技術(shù)，具有設(shè)計樣式多元化、試制成本低、制作材料豐富等特點。通過數(shù)字化設(shè)計工具+3D打印技術(shù)相結(jié)的模式，可以幫助企業(yè)高效實現(xiàn)創(chuàng)新
2021-05-27 19:05:15
在3D打印機上使用SLC顆粒的SD NAND代替?zhèn)鹘y(tǒng)使用TLC或QLC顆粒的TF卡。內(nèi)置SLC晶圓，自帶壞塊管理，10W次擦寫壽命，1萬次隨機掉電測試。解決TF卡在3D打印機上常讀寫錯誤、壞死
2022-07-12 10:48:46
優(yōu)勢，或許，未來將有更多的玩家參與其中。存儲產(chǎn)品的3D時代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來，存儲產(chǎn)品也開始走向了3D時代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過程當中，也
2020-03-19 14:04:57
idf 4.0支持的的u盤，最大存儲容量是多少？是否支持1T的？
2023-02-17 08:31:56
在3D模式下能不能隱藏元件的3D，就是3D模式下只能看見PCB板
2019-04-18 05:51:13
專注于質(zhì)量控制和不斷增長的工業(yè) 4.0推動了 3D測量市場的增長。半導(dǎo)體3D自動光學(xué)檢測系統(tǒng)能夠以優(yōu)于納米級的分辨率，測試各類表面并自動聚焦測量工件獲取2D，3D表面粗糙度、輪廓等一百余項參數(shù)，主要
2022-06-20 15:31:10
NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用
0 引言
計算機技術(shù)的高速發(fā)展，存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間，到現(xiàn)在的T8；乃至不久的將來要達到的PB存儲空間，
2009-11-07 10:21:25857 MP3播放器存儲容量 容量是MP3播
2009-12-21 14:36:141542 電腦辭典存儲容量
2009-12-22 11:29:53786 數(shù)碼相機伴侶的存儲介質(zhì)/存儲容量
2009-12-23 09:59:19727 磁帶機的存儲容量
存儲容量是指在數(shù)據(jù)未被壓縮前磁帶機所能存儲的最大數(shù)據(jù)量。這個數(shù)值取決于兩個因素，一是單盒磁帶的存儲容量
2010-01-09 08:54:221983 磁帶機的壓縮后存儲容量
壓縮后存儲容量是指數(shù)據(jù)備份到磁帶機經(jīng)過壓縮后所能容納的數(shù)據(jù)量。這個數(shù)值取通常是壓縮前容量的兩倍。常見有以下
2010-01-09 08:55:301146 磁帶庫的最大存儲容量
最大存儲容量是指磁帶庫在裝滿磁帶的情況下所能存儲數(shù)據(jù)的最大容量。這個數(shù)值取決于兩個因素，一是單盒磁帶的存儲容量，
2010-01-09 09:35:281840 NAS網(wǎng)絡(luò)存儲器的最大存儲容量 最存儲大存儲容量是指NAS存儲設(shè)備所能存儲數(shù)據(jù)容量的極限，通俗的講，就是NA
2010-01-09 10:27:542196 外置及共享硬盤的存儲容量 硬盤的容量是以MB（兆）和GB（千兆）為單位的，早期的硬盤容量低下，大
2010-01-09 14:11:31586 IP網(wǎng)絡(luò)存儲的存儲容量 設(shè)備可以安裝的硬盤設(shè)備的總容量值，目前一般為單塊400G的硬盤，根據(jù)設(shè)備上的
2010-01-09 14:28:581063 移動硬盤的存儲容量 移動硬盤以硬盤為存儲介制，因此其存儲容量就是其內(nèi)部硬盤的存儲容量。移動硬盤存
2010-01-09 14:38:561506 什么是U盤的存儲容量
存儲容量是指該便攜存儲產(chǎn)品最大所能存儲的數(shù)據(jù)量，是便攜存儲產(chǎn)品最為關(guān)鍵的參數(shù)。一般
2010-01-30 10:25:101177 什么是MP3存儲容量
容量是MP3播放器的關(guān)鍵指標之一，本機容量即為MP3播放器的內(nèi)置內(nèi)存（Flash Memory）的容量大小，存
2010-01-30 10:39:00993 便攜存儲器的存儲容量 存儲容量是指該便攜存儲產(chǎn)品最大所能存儲的數(shù)據(jù)量，是便攜存儲產(chǎn)品最為關(guān)鍵的參數(shù)。一
2010-01-09 14:51:31709 隨著手機等移動終端設(shè)備集成4K攝影、4K高清顯示、3D投影/游戲等高端功能，個人終端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)資料的信息量正以爆發(fā)式的速度在增長，這對存儲容量的需求提出了挑戰(zhàn)。
2014-09-24 14:02:48647 
11月21日消息，目前蘋果iPhone手機最高存儲容量為256GB。現(xiàn)在有微博網(wǎng)友爆料，蘋果將在明年將iPhone8高配版存儲容量升級為512GB。
2016-11-21 17:54:062531 騰訊微云昨日夜間發(fā)布公告，宣布普通用戶的免費存儲容量縮小為10G，原存儲文件已超過10G的普通用戶，仍然可以下載和訪問文件，但上傳新文件將受到限制。會員存儲容量不變，微云會員需要單獨購買，目前售價10元每月，擁有4T的存儲空間。
2016-12-16 10:02:471579 視頻監(jiān)控錄像存儲容量計算器V1.0
2016-12-23 02:42:46
0 物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展導(dǎo)致無論消費性電子、企業(yè)、工業(yè)、汽車市場對SSD的需求都急速攀升，為NAND Flash內(nèi)存、控制芯片、SSD模塊等供應(yīng)鏈業(yè)者帶來絕佳的成長機會，本活動邀集SSD領(lǐng)域重要廠商， 前瞻未來技術(shù)規(guī)格的演進與市場應(yīng)用趨勢。
2018-07-06 12:09:001472 紫光集團旗下長江存儲發(fā)展儲存型快閃存儲器（NAND Flash）報捷，已自主開發(fā)完成最先進的64層3D NAND芯片專利，預(yù)計明年完成生產(chǎn)線建置、2020年量產(chǎn)，震撼業(yè)界。
2018-08-13 09:45:002185 據(jù)外媒報道，加拿大滑鐵盧大學(xué)Linda Nazar教授宣布，其研究團隊首次實現(xiàn)四電子轉(zhuǎn)換，該技術(shù)將實現(xiàn)鋰－氧電池的電子存儲容量翻番。
2018-09-18 15:19:00583 華為Mate20系列產(chǎn)品的存儲容量是什么樣的，從工信部官網(wǎng)披露的消息看，該系列最高提供8+512GB的存儲。
2018-09-30 11:21:5619785 3D NAND Flash 作為新一代的存儲產(chǎn)品，受到了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注！但目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron
2018-10-08 15:52:39395 演進已滿足對存儲容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲技術(shù)相比，每存儲單位比特成本更低，其價值不言而喻。
2018-10-21 10:09:06955 長江存儲科技（YMTC）本周早些時候表示，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用專有Xtacking架構(gòu)的64層3D NAND存儲器。
2019-09-09 10:22:161661 隨著時間的推移，對可移植性的需求推動了新開放標準的發(fā)展。
2019-09-12 16:46:52460 美光宣布推出一系列全新micro SD存儲卡，稱為i300系列，其容量從32GB到1TB不等，以滿足視頻監(jiān)控市場和其他工業(yè)應(yīng)用的邊緣存儲需求，其中具有最大存儲容量的型號是美光i3001TB3microSDXC UHS-I，可容納1TB數(shù)據(jù)，是所有micro SD卡的最高容量。
2019-11-19 10:40:191045 閃存控制芯片及儲存解決方案整合服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商 群聯(lián)電子 （PHISON; TPEx:8299） 與長江存儲自2016年開始接洽合作，從最早期的32層 3D NAND導(dǎo)入驗證群聯(lián)eMMC控制芯片PS8226，至近期的64層3D NAND，群聯(lián)全系列的NAND控制芯片均有支持且已進入量產(chǎn)階段。
2020-05-07 14:48:091032 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達到創(chuàng)紀錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599 NAND 應(yīng)運而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰
2020-11-20 16:07:132330 依托于先進工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會
2020-11-20 17:15:443030 且速度更快，但是更加的昂貴，集成度不如DRAM高。 在實際應(yīng)用中的存儲器所需要的容量通常比所生產(chǎn)的芯片容量大得多，所以需要對多芯片進行組合以實現(xiàn)存儲容量的擴充。本文以SRAM芯片為例系統(tǒng)介紹常用的擴充存儲容量的方法。 通常微處理器的
2020-12-06 09:48:005684 
NAND應(yīng)運而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲容量，在需要存儲海量數(shù)據(jù)的時代有著重大價值。 ? ? ? ?依托于先進工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存
2020-12-09 10:35:492766 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲廠商們還在128層“閃存高臺上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:373659 磁盤存儲器是以磁盤為存儲介質(zhì)的存儲器，它具備數(shù)據(jù)傳輸率高、存儲數(shù)據(jù)可以長期保存以及存儲容量大的優(yōu)點，那么一個磁盤存儲器的存儲容量應(yīng)該怎么去計算它的大小呢？
2022-01-29 16:37:0011406 全球存儲市場對NAND 閃存的需求不斷增長。這項技術(shù)已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當今閃存控制器的功能上，尤其是通過 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲要求變得更具挑戰(zhàn)性。
2022-07-15 08:17:25703 隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠
2022-10-14 11:08:38523 
隨著對新特性和功能需求的增加，大容量存儲在嵌入式工業(yè)應(yīng)用中的使用持續(xù)增長。雖然更復(fù)雜的GUI和應(yīng)用已經(jīng)通過增加NAND芯片容量而成為可能;更快的接口和各種托管NAND解決方案的可用性;尋找能夠應(yīng)對
2022-10-24 15:24:53338 
市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時避免了縮小時通常會發(fā)生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求，更好地提供差異化產(chǎn)品和解決方案，有望成為未來存儲創(chuàng)新的基礎(chǔ)。
2022-11-07 10:33:55448 在20nm 工藝節(jié)點之后，傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現(xiàn)更高的存儲容量，NAND集成工藝開始向三維堆疊方向發(fā)展。在三維NAND
2023-02-03 09:16:578266 3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲單元，具備卓越的精度，可支持在更小的空間內(nèi)，容納更高的存儲容量，從而有效節(jié)約成本、降低能耗，以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561729 
據(jù)悉，東京電子新技術(shù)的目標是能夠長時間儲存數(shù)據(jù)的3d nand閃存。該公司開發(fā)了一種新的通道孔蝕刻方法，該方法是將垂直孔快速深插入存儲單元。3D nand的存儲器容量可以通過將存儲器單元層垂直堆積來增加，如果層數(shù)增加，就需要性能更高的裝置。
2023-10-16 14:39:49368 通常我們將存儲容量表示為：字數(shù)X位數(shù)，比如64KX8位，其含義為，以8位構(gòu)成一個字，一共有64個字。這個概念要相當熟悉，后面理解題目很有用。
2024-01-09 14:54:25225 
近期，據(jù)外媒報道，索尼已順利推出適用于大容量機械硬盤的半導(dǎo)體激光器技術(shù)，該技術(shù)促使硬盤存儲容量翻番，將3.5英寸硬盤的儲存空間提升至30TB，相較現(xiàn)有的同類產(chǎn)品容量提升近乎兩倍。
2024-02-19 16:38:55483 2D NAND和3D NAND都是非易失性存儲技術(shù)（NVM Non-VolatileMemory），屬于Memory（存儲器）的一種。
2024-03-17 15:31:39279 
在CITE 2020上，紫光集團帶來了大量產(chǎn)品，其中包括長江存儲的128層QLC三維閃存和新華三半導(dǎo)體高端路由器芯片EasyCore等。作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長江存儲X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
2020-08-15 09:32:144019
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