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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>2018年NAND Flash市場(chǎng)供過于求 NAND Flash顆粒/Wafer合約價(jià)跌幅顯著

2018年NAND Flash市場(chǎng)供過于求 NAND Flash顆粒/Wafer合約價(jià)跌幅顯著

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2023-10-01 14:05:00471

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國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)崛起撬動(dòng)全球市場(chǎng),但需求不足跌價(jià)成必然 精選資料分享

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目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情,DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展,價(jià)格平穩(wěn)或小漲;NAND Flash則因供過于求,價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季,而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
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NAND Flash報(bào)價(jià)暫時(shí)回跌,SSD控制器將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)整合期

連續(xù)多季走強(qiáng)的NAND Flash報(bào)價(jià),在2018年第一季可望暫時(shí)回跌,然由于3D NAND Flash制程工序繁復(fù),會(huì)使晶圓廠的實(shí)際產(chǎn)能下滑,故NAND Flash顆粒的供應(yīng)量在2018年仍難看到明顯成長,下半年NAND Flash報(bào)價(jià)可能會(huì)再度因供需緊張而走強(qiáng)。
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2017年第四季NAND Flash供貨商營收成長僅6.8%

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2018-02-28 16:51:02944

NAND Flash供過于求價(jià)格走跌,這種情形或持續(xù)到2018年上半年

高于5%,預(yù)期NAND Flash市場(chǎng)將進(jìn)入供過于求態(tài)勢(shì),2018年第一季固態(tài)硬盤、NAND Flash顆粒wafer合約價(jià)皆將翻轉(zhuǎn)走跌。
2018-07-10 14:40:00794

NAND閃存市場(chǎng)持續(xù)走低的原因:NAND組件過于求了

2017年經(jīng)歷市況樂觀的一年后,NAND閃存(flash市場(chǎng)2018年將繼續(xù)明顯降溫。根據(jù)分析師表示,去年持續(xù)一整年的NAND組件短缺現(xiàn)象已經(jīng)轉(zhuǎn)為供過于求了,從而導(dǎo)致價(jià)格持續(xù)走低。
2018-08-07 11:44:063570

2018上半年3D NAND市場(chǎng)低迷,下半年寄希望iPhone能重啟拉貨動(dòng)力

2018上半年3D NAND市場(chǎng)供應(yīng)量大幅增加,使得NAND Flash價(jià)格持續(xù)下滑,據(jù)中國閃存市場(chǎng)ChinaFlashMarket報(bào)價(jià),2018上半年NAND Flash綜合價(jià)格指數(shù)累計(jì)跌幅達(dá)35
2018-08-09 15:56:18535

2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性,6月NAND Flash價(jià)格呈下滑趨勢(shì)

NAND Flash價(jià)格在經(jīng)歷了2016年和2017年暴漲之后,2018上半年市場(chǎng)行情回歸理性,在原廠擴(kuò)大64層3D NAND產(chǎn)出下,NAND Flash基本已回到2016年的價(jià)格水平。隨著各家
2018-08-11 09:35:002864

NAND Flash價(jià)格平均跌幅預(yù)估將近10%,最根本的原因是市場(chǎng)持續(xù)供過于求

高容量產(chǎn)品的備貨力度,雖位元出貨量獲得支撐,然而,NAND Flash仍是供過于求,第二季平均價(jià)格跌幅達(dá)15-20%。
2018-08-20 17:25:411083

NAND Flash市場(chǎng)供貨量增加,綜合價(jià)格指數(shù)已累計(jì)下滑28%

Flash市場(chǎng)bit供應(yīng)量會(huì)高于45%,而美光會(huì)高于行業(yè)水平,西部數(shù)據(jù)64層3D NAND2018年Bit產(chǎn)出量將超過70%。
2018-08-22 16:53:431607

長江存儲(chǔ)趕超將為NAND Flash市場(chǎng)帶來新變量

2018年全球NAND Flash價(jià)格一路走跌,由于市場(chǎng)需求增長平緩,業(yè)者預(yù)期下半年將延續(xù)跌勢(shì),隨著國際NAND Flash大廠紛紛加碼投資次時(shí)代技術(shù)堆疊,2019年QLC(Quad-Level
2018-08-29 17:46:266586

由于市場(chǎng)持續(xù)供過于求,DRAM與NAND Flash第四季價(jià)格開始走跌

的可能性,終結(jié)價(jià)格連九季上漲的超級(jí)周期(super cycle)。而NAND Flash均價(jià)在第三季下跌約10%之后,第四季因受中美貿(mào)易摩擦波及,預(yù)估跌幅將大于第三季,擴(kuò)大至約10~15%,渠道市場(chǎng)主流3D TLC顆粒合約價(jià)跌幅甚至將超過15%。
2018-10-11 16:17:19899

TLC NAND Flash Wafer合約價(jià)下跌13-17%,創(chuàng)單月跌幅新高

至于NAND Flash Wafer價(jià)格方面,以過去經(jīng)驗(yàn)而言,跌幅通常在供應(yīng)商財(cái)報(bào)季末壓力下才會(huì)較為顯著,但目前隨著各模組廠年終盤點(diǎn)將至,預(yù)期11月中以后的備貨動(dòng)能都將處于平淡。加上對(duì)明年上半年各類產(chǎn)品需求的展望趨向悲觀,因此已有供應(yīng)商提前開始降價(jià)求售3D TLC主流容量的產(chǎn)品。
2018-11-08 17:03:134605

三星、美光3D-NAND Flash產(chǎn)出比重已逾50%

產(chǎn)出比重將正式超越50%,成為 NAND Flash市場(chǎng)的主流制程,此外,由于新一代iPhone的備貨需求將至,以及SSD應(yīng)用需求穩(wěn)健成長,預(yù)估下半年整體NAND Flash市場(chǎng)仍維持供需較為吃緊的態(tài)勢(shì)。
2018-11-16 08:45:591150

NAND Flash各類產(chǎn)品合約價(jià)仍走跌 第三季平均價(jià)格跌幅達(dá)10-15%

影響,加上英特爾CPU缺貨、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等因素,導(dǎo)致旺季不旺。自年初以來的供給過剩仍難以消弭,NAND Flash各類產(chǎn)品合約價(jià)仍走跌,第三季平均價(jià)格跌幅達(dá)10-15%。
2018-11-19 17:27:39673

預(yù)估明年第一季NAND Flash合約價(jià)將再跌10%

展望2019年上半年,盡管原廠對(duì)擴(kuò)充產(chǎn)能態(tài)度保守,甚至開始抑制擴(kuò)產(chǎn),但由于淡季影響,加上市場(chǎng)庫存水位仍高,供過于求的情況只會(huì)更加顯著,預(yù)估第一季NAND Flash合約價(jià)將再進(jìn)一步走跌,跌幅約10%。
2018-12-20 16:04:592694

2018NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過于求 供需失衡態(tài)勢(shì)難止

根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2018NAND Flash市場(chǎng)經(jīng)歷全年供過于求,且2019年筆記本電腦、智能手機(jī)、服務(wù)器等主要需求表現(xiàn)仍難見起色,預(yù)計(jì)產(chǎn)能過剩難解。在此情況下,供應(yīng)商將進(jìn)一步降低資本支出以放緩擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)程,避免位元成長過多導(dǎo)致過剩狀況加劇。
2019-01-11 09:13:212632

NAND Flash價(jià)格綜合季跌幅近20% 第二季或有扭轉(zhuǎn)

集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出,受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊,2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%,是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過于求以來跌幅最劇的一季。
2019-03-22 16:45:49472

三星出手,NAND Flash價(jià)格本季止穩(wěn)

三星上季大砍NAND Flash和DRAM報(bào)價(jià)后,NAND Flash價(jià)格接近虧損邊緣,決定本季起不再降價(jià)。
2019-05-08 08:47:553185

長江儲(chǔ)存導(dǎo)入量產(chǎn)NAND Flash,每月產(chǎn)出5千片

2018 年下半年開始跌價(jià)的Nand Flash 價(jià)格,因?yàn)?019 年的第1 季跌幅已深,第2 季跌價(jià)情況已經(jīng)有所收斂,加上新應(yīng)用的陸續(xù)出籠,使得整體市場(chǎng)狀況有比以前較為好轉(zhuǎn)的情況。
2019-05-08 09:58:103715

2019年6月DRAM與NAND Flash跌價(jià)趨勢(shì)持續(xù)

DRAM與NAND Flash持續(xù)維持下降走勢(shì)。
2019-07-06 11:38:563485

東芝帶動(dòng)NAND Flash漲價(jià) 下半年行情有文章可做

東芝存儲(chǔ)器公司于四日市廠區(qū)于6月15日遭遇長約13分鐘的跳電狀況。研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦TrendForce存儲(chǔ)器儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)評(píng)估,此事件將使得Wafer短期報(bào)價(jià)面臨漲價(jià)壓力,第三季2D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格可能上漲,3D NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格跌幅則可能微幅收斂。
2019-07-11 11:07:042855

NAND Flash價(jià)格翻轉(zhuǎn)向上,再漲五成都不過份

NAND Flash近期市況熱門,日韓貿(mào)易戰(zhàn)更讓NAND Flash價(jià)格看漲。
2019-07-16 15:24:002906

NAND Flash營收季增10.2% 帶動(dòng)合約價(jià)跌幅收斂

2019 年第三季 NAND Flash 產(chǎn)業(yè)營收季成長為 10.2%,達(dá)到約 119 億美元。一方面受惠于年底銷售旺季以及因應(yīng)美中貿(mào)易沖突客戶提前備貨需求增加,激勵(lì)整體位元出貨量成長近 15%;另一方面在供應(yīng)商庫存水位改善下,抑制了以低價(jià)對(duì) Wafer 市場(chǎng)倒貨的力道,進(jìn)而帶動(dòng)合約價(jià)跌幅收斂。
2019-11-25 15:04:24350

5G助推NAND FLASH發(fā)展

據(jù)分析機(jī)構(gòu)最新數(shù)據(jù),因數(shù)據(jù)中心對(duì)市場(chǎng)產(chǎn)生的帶動(dòng)作用影響,2019年第四季度的NAND Flash的總出貨量季增近10%,市場(chǎng)逐漸出現(xiàn)供不應(yīng)求現(xiàn)象。經(jīng)歷了一段降價(jià)期,NAND Flash存儲(chǔ)器終于迎來
2020-03-25 16:12:05854

什么是pSLC Nand Flash

NAND閃存結(jié)構(gòu)NAND Flash的內(nèi)部組織是由塊和頁構(gòu)成。每個(gè)塊包含多個(gè)頁
2020-07-22 11:56:265264

NAND Flash和NOR Flash二者之間的區(qū)別是什么

字節(jié)。 NAND Flash器件使用復(fù)雜的I/O口來串行地存取數(shù)據(jù)﹐只能通過I/O接口發(fā)送命令和地址,對(duì)NAND Flash內(nèi)部數(shù)據(jù)進(jìn)行訪問。各個(gè)產(chǎn)品或廠商的方法可能各不相同。8個(gè)引腳用來傳送控制、地址和數(shù)據(jù)信息
2020-11-03 16:17:0529749

NAND Flash 的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及NAND Flash的接口控制設(shè)計(jì)

Nand flashflash存儲(chǔ)器的其中一種,Nand flash其內(nèi)部采用非線性宏單元模式以及為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND FLASH存儲(chǔ)器具有容量較大和改寫速度快
2020-11-03 16:12:083855

全球NAND Flash三季度閃存市場(chǎng)情況曝光

日前,TrendForce公布了三季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)的主要情況。
2020-11-27 09:00:131799

華為大量備貨推升第三季NAND Flash位元出貨量

指出,在 2020 年 Q3,華為大量備貨,對(duì)消費(fèi)性、低容量的 MLC eMMC 以及元件端的 NAND wafer 也有影響,推升了 Q3 NAND Flash 的位元出貨量。 IT之家了解到,根據(jù)
2020-12-01 10:30:271575

明年首季NAND Flash供過于求態(tài)勢(shì)將更加明顯

(INTC.US)對(duì)位元產(chǎn)出皆較為積極的情況下,NAND Flash供過于求態(tài)勢(shì)將更加明顯,位元產(chǎn)出的季增幅達(dá)6%,預(yù)估價(jià)格將季跌約10~15%。
2020-12-15 09:31:301396

整體NAND Flash市場(chǎng)仍處于供過于求的狀態(tài)

群聯(lián)董事長潘健成9日表示,客戶需求樂觀,已與季節(jié)性變化脫鉤,但代工廠產(chǎn)能持續(xù)吃緊,情況可能延續(xù)至5月,因應(yīng)成本墊高、供給吃緊,已對(duì)客戶調(diào)漲NAND Flash控制芯片價(jià)格,甚至有部分調(diào)漲幅度達(dá)到5成。
2021-01-10 09:29:471679

NAND Flash控制器的設(shè)計(jì)與驗(yàn)證

Flash控制器正成為一種趨勢(shì)。 本文討論了Flash Memory的兩種主流實(shí)現(xiàn)技術(shù)即NAND Flash和NOR Flash 的特點(diǎn)和區(qū)別,分析了市場(chǎng)上存在的NAND Flash的典型規(guī)格及其
2021-03-29 10:07:0819

全球NAND flash市場(chǎng)占有率將增至7%

盡管目前芯片荒嚴(yán)重,NAND flash市場(chǎng)欣欣向榮,但是隨著長江存儲(chǔ)等中廠增產(chǎn),全球企業(yè)已經(jīng)開始為芯片“大泛濫”預(yù)做準(zhǔn)備。外界估計(jì),明年NAND flash價(jià)格可能受壓,市況或轉(zhuǎn)為供給過剩。
2021-05-10 15:22:132913

解讀NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A的應(yīng)用

以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例,對(duì)比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強(qiáng)型單片機(jī)系統(tǒng)中的應(yīng)
2021-06-03 18:01:483229

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案

Nand Flash文件系統(tǒng)解決方案(嵌入式開發(fā)一般考什么證書)-ST提供適用于SLC的NFTL(NAND Flash Translation Layer)和FAT類文件系統(tǒng)來解決NAND Flash存儲(chǔ)的問題。
2021-07-30 10:41:299

常見flash講解——NAND、SPI、EMMC

目錄存儲(chǔ)顆粒與外部控制器常見的flash對(duì)比內(nèi)置還是外接Flash使用難度flash選擇總結(jié)NAND Flash被淘汰的原因EMMC的優(yōu)勢(shì)存儲(chǔ)顆粒與外部控制器flash內(nèi)部有一個(gè)存儲(chǔ)顆粒
2021-12-01 19:51:1724

SPI Nand Flash簡介

1.SPI Nand Flash簡介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash,它和普通并行的Nand Flash相似,比如:SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733

NOR falsh、NAND flash、SDEMMC、QSPI flash、SPI flash

1、NOR flashNOR flash數(shù)據(jù)線和地址線分開,可以實(shí)現(xiàn)ram一樣的隨機(jī)尋址功能,可以讀取任何一個(gè)字節(jié)。但是擦除仍要按塊來擦。2、NAND flashNAND flash數(shù)據(jù)線和地址
2021-12-02 12:21:0630

nand_flash的初始化,如何從nand_flash中讀取數(shù)據(jù)

本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615

NOR FlashNAND FLASH的區(qū)別是什么

使用FlashMemory作為存儲(chǔ)介質(zhì)。 根據(jù)硬件上存儲(chǔ)原理的不同,Flash Memory主要可以分為NOR FlashNAND FLASH兩類。主要的差異如下所示: NAND FLASH讀取速度
2022-01-25 17:25:1259808

Nand Flash工作原理

FLASH芯片分為Nor FlashNand Flash,Nor Flash容量小有獨(dú)立的地址線,用于存儲(chǔ)較小的程序代碼如引導(dǎo)代碼和程序參數(shù),NAND FLASH容量大地址總線共用一組引線,Nand Flash用來安裝操作系統(tǒng)存放應(yīng)用程序及用戶數(shù)據(jù) 像IOS,Linux Andriod
2022-02-10 10:11:4532

NAND Flash價(jià)格大漲,中國市場(chǎng)或受影響最大

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李彎彎)2月17日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,美光將NAND Flash合約價(jià)格上調(diào)25%,而幾日前,西部數(shù)據(jù)也發(fā)布了NAND Flash的漲價(jià)通知。
2022-02-22 11:17:011655

美光出貨量環(huán)比下跌21% ,第四季NAND Flash營收恐續(xù)跌

第三季NAND Flash市場(chǎng)仍不敵需求疲弱沖擊,無論在消費(fèi)電子或服務(wù)器領(lǐng)域出貨皆劣于預(yù)期,導(dǎo)致第三季NAND Flash價(jià)格跌幅擴(kuò)大至18.3%。
2022-11-23 12:35:13340

NOR FLASHNAND FLASH基本結(jié)構(gòu)和特點(diǎn)介紹

非易失性存儲(chǔ)元件有很多種,如EPROM、EEPROM、NOR FLASHNAND FLASH,前兩者已經(jīng)基本被淘汰了,因此我僅關(guān)注后兩者
2023-06-29 09:06:051888

NAND Flash 原理深度解析(上)

,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用。本文則將為大家介紹Nand Flash的工作原理和自身的特性。 一、NAND Flash Wafer、PKG及SSD Nand Flash Die
2023-09-05 18:10:011626

NAND Flash接口簡單介紹

NAND Flash是一種非易失存儲(chǔ)器,也就是掉電不丟失類型,現(xiàn)在我們常見的存儲(chǔ)設(shè)備基本都是NAND Flash,比如U盤、固態(tài)硬盤,手機(jī)存儲(chǔ)等等,電腦傳統(tǒng)硬盤除外。
2023-09-11 14:48:23556

NAND Flash 原理深度解析(下)

Flash來看,NAND Flash的容量結(jié)構(gòu)為: 一個(gè)封裝好的顆粒一般有多個(gè)片選信號(hào),即NAND CE#,代表獨(dú)立的Chip Enable片選信號(hào)。 一個(gè)Target下有一個(gè)或多個(gè)Die/LUN
2023-09-22 18:10:02752

NAND Flash四季度漲幅預(yù)計(jì)10%以上

三星內(nèi)部認(rèn)為當(dāng)前NAND Flash供應(yīng)價(jià)格過低,計(jì)劃從今年四季度開始調(diào)漲NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)格,漲幅預(yù)計(jì)在10%以上。
2023-10-10 17:15:37818

NAND Flash合約價(jià)全面漲幅約8~13%

 據(jù)報(bào)告顯示,NAND Flash的第四季度合約價(jià)全面上漲,漲幅約為8~13%。這一漲幅超出了之前的預(yù)期。TrendForce在9月11日的報(bào)告中預(yù)計(jì),第四季度NAND Flash的均價(jià)有望持平或小幅上漲,環(huán)比漲幅約為0~5%。
2023-10-17 17:49:00981

全面漲價(jià) NAND Flash晶圓的漲幅有望領(lǐng)跑

據(jù)TrendForce集邦咨詢集邦咨詢研究顯示,由于供應(yīng)商嚴(yán)格控制產(chǎn)出,NAND Flash第四季度合約價(jià)全面起漲,漲幅約8~13%。
2023-10-22 13:06:38724

為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢?

為什么Nor Flash可以實(shí)現(xiàn)XIP,而Nand flash就不行呢? Flash存儲(chǔ)器是一種常用的非易失性存儲(chǔ)器,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。它們的價(jià)值在于它們可以快速讀取和寫入數(shù)據(jù),同時(shí)因?yàn)闆]有
2023-10-29 16:32:58647

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735

什么是NANDFlash 存儲(chǔ)器?

前言 NAND Flash 和 NOR Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出 NOR Flash 技術(shù),徹底改變了原先由 EPROM 和 EEPROM 一統(tǒng)天下
2024-03-01 17:08:45160

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