SK海力士積極削減 3D NAND產(chǎn)能,閃存市場再迎曙光?

SK海力士表示，該公司將比今年早些時候更加積極地提前削減 3D NAND 晶圓的產(chǎn)能，并且重新考慮裝配其 M15 和 M16 晶圓廠的計劃，以減少企業(yè)資本支出。實際上，由于 3D NAND 存儲器市場出現(xiàn)了供過于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價格。比如今年早些時候，SK 曾計劃將 3D NAND 晶圓產(chǎn)量減少 10% 。不過本周的最新計劃，已經(jīng)調(diào)整到減產(chǎn) 15%（與 2018 相比）。

2019 年 2 季度，SK 海力士的 NAND 閃存出貨量環(huán)比增長了 40％，因為該公司增加了 72 層 3D NAND 的產(chǎn)量。傳統(tǒng)上 1 季度需求較緩但總體增長，但與此同時，3D NAND 的均價跌了 25％，這也是 SK 海力士決定減產(chǎn)的主要原因。

隨著 SK 海力士和其它 NAND 閃存制造商向更先進的 3D NAND 設(shè)計過渡 —— 層數(shù)更多，或啟用 3D QLC、每單元比特位密度更高 —— 某種程度上就會造成供應過剩，才導致將晶圓削減 10-15%，都不足以降低同等容量的產(chǎn)能。

SK 海力士目前為數(shù)據(jù)中心和主流SSD市場生產(chǎn) 72 層 3D NAND，512 Gb 96 層 3D TLD NAND 已于去年 11 月投產(chǎn)、且該公司計劃很快增加 96 層 3D NAND 的產(chǎn)量。

此外，SK 海力士最近開始提高 1 Tb“4D”TLC NAND 的產(chǎn)量 —— 這種電荷陷阱閃存（CTF）設(shè)計，采用了單元外設(shè)（PUC）架構(gòu)，有望顯著提升目前出貨的 3D NAND 的比特位密度，并進一步增強產(chǎn)能輸出。

最后，除了減少 3D NAND 晶圓的開工數(shù)量，SK 海力士還將放慢韓國清州附近 M15 工廠的潔凈室空間擴張速度（該工廠可生產(chǎn) DRAM 和 3D NAND），并延遲利川附近 M16 工廠的設(shè)備安裝。

雖然 SK 海力士沒有給出詳細的說明，但其表示 —— 與 2019 年相比，該決定將顯著降低 2020 年的資本支出，意味著該工廠的新產(chǎn)能或許不會在明年上線。