臺積電宣布7nm及5nm增強版新工藝

在日本的2019 VLSI Symposium超大規(guī)模集成電路研討會上，臺積電宣布了兩種新工藝，分別是7nm、5nm的增強版，但都比較低調(diào)，沒有過多宣傳。

7nm工藝的增強版代號為“N7P”（P即代表性能Performance），在原有第一代N7 7nm工藝的基礎(chǔ)上，繼續(xù)使用DUV深紫外光刻技術(shù)而沒有7nm+上的EUV極紫外光刻，設(shè)計規(guī)則不變，晶體管密度也不變，只是優(yōu)化了前線（FEOL）、后線（BEOL），能在同等功耗下帶來7％的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低10％。

5nm工藝的增強版代號為“N5P”，也是優(yōu)化前線和后線，可在同等功耗下帶來7％的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低15％。

臺積電N7P工藝已經(jīng)可用，但尚未宣布任何具體客戶。

臺積電此前曾表示，7nm、6nm都是長期工藝節(jié)點，會使用多年，5nm則相當(dāng)于一個升級過渡版本。

再往后，臺積電的下一個重大工藝節(jié)點3nm也已經(jīng)取得重大進展，技術(shù)研發(fā)非常順利，已經(jīng)有早期客戶參與進來，與臺積電一起進行技術(shù)定義，預(yù)計2022年初步量產(chǎn)。