英特爾和美光聯(lián)合推出3D交叉點(diǎn)架構(gòu)高耐久性非易失性存儲(chǔ)器

本文是EDN和EE Times熱門(mén)技術(shù)的一部分：展望2016年的特色，我們的編輯們將在2015年審視一些有望在2016年及以后形成技術(shù)新聞的熱門(mén)趨勢(shì)和技術(shù)。

3D IC。 3D記憶。十多年來(lái)，這些術(shù)語(yǔ)已被用于指代各種技術(shù)，但迄今為止最成功的部分可能是便攜式設(shè)備中常見(jiàn)的異構(gòu)堆棧，將處理器與一個(gè)或兩個(gè)存儲(chǔ)器芯片相結(jié)合。非常平凡的東西。但2016年可以看到一些真正的進(jìn)步和牽引力在該領(lǐng)域。事實(shí)上，一些真正的3D產(chǎn)品已經(jīng)出貨。

英特爾和美光已經(jīng)宣布生產(chǎn)3D交叉點(diǎn)架構(gòu)高耐久性(1,000×NAND閃存)非易失性存儲(chǔ)器，他們聲稱(chēng)比DRAM密集10倍，比NAND快1000倍。

雙層交叉點(diǎn)數(shù)組的圖示視圖

英特爾和美光正在將其作為一種全新的內(nèi)存類(lèi)推廣，雖然它可能會(huì)或可能不會(huì)取代NAND閃存，但它確實(shí)可以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的可能性超越現(xiàn)有的內(nèi)存技術(shù)所允許的。位單元是電阻性的和無(wú)晶體管的，但公司尚未提供技術(shù)細(xì)節(jié)。

交叉點(diǎn)存儲(chǔ)器模具照片

此內(nèi)存的“3D-ness”當(dāng)然是指單元層的可堆疊性。但堆疊裸片是另一種3D方法。

Micron的混合存儲(chǔ)器立方體(HMC)使用堆疊DRAM裸片和硅通孔(TSV)來(lái)創(chuàng)建具有抽象接口的高帶寬RAM子系統(tǒng)(想想帶有PCIe的DRAM)。與標(biāo)準(zhǔn)DRAM相比，Micron表示HMC可以減少延遲和功耗，提高帶寬和可靠性，并節(jié)省約90%的PCB面積。

打包混合存儲(chǔ)器立方體

最受歡迎的3D類(lèi)別是3D NAND閃存。三星，東芝，Sandisk，以及英特爾和美光公司都宣布或開(kāi)始發(fā)布采用3D硅結(jié)構(gòu)的閃存，這種結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了通常的IC層。

3D NAND表示

有趣的是，宣布的內(nèi)存大小并沒(méi)有像人們?cè)诼?tīng)到32或48時(shí)所預(yù)期的那樣吹走現(xiàn)有的平面設(shè)備層芯片。我們目前正在看到128Gb-384Gb部件 - 令人驚訝的是，但在這些級(jí)別上已經(jīng)有平面NAND部件。

看來(lái)IC制造商目前正在從3D技術(shù)中獲得其他優(yōu)勢(shì)，例如更高的R/W性能。平面NAND，功耗更低，續(xù)航能力更強(qiáng)。他們也在使用更大的流程節(jié)點(diǎn);這里的成本節(jié)省可能會(huì)抵消因額外層次而導(dǎo)致的成本增加。