0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

簡(jiǎn)述非易失性存儲(chǔ)器的類型

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-09-10 14:44 ? 次閱讀

非易失性存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory, NVM)是指即使在電源關(guān)閉或失去外部電源的情況下,仍能保持存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器。這類存儲(chǔ)器在數(shù)據(jù)保存方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值,特別是在需要長(zhǎng)時(shí)間保持?jǐn)?shù)據(jù)完整性的場(chǎng)合。以下是非易失性存儲(chǔ)器的主要類型及其特點(diǎn):

1. ROM(Read-Only Memory,只讀存儲(chǔ)器)

ROM是最早的非易失性存儲(chǔ)器之一,其主要特點(diǎn)是數(shù)據(jù)一旦寫入后就不能被修改或刪除。ROM內(nèi)部通常使用晶體管二極管半導(dǎo)體器件來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),通過改變晶體管的通道狀態(tài)來存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。ROM主要用于存儲(chǔ)固定不變的程序或數(shù)據(jù),如計(jì)算機(jī)的BIOS(基本輸入輸出系統(tǒng))程序、嵌入式系統(tǒng)的固件等。

2. PROM(Programmable Read-Only Memory,可編程只讀存儲(chǔ)器)

PROM是一種允許用戶通過特殊設(shè)備將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器內(nèi)部的非易失性存儲(chǔ)器。與ROM不同,PROM在出廠時(shí)是空白的,用戶可以根據(jù)需要寫入數(shù)據(jù)。PROM內(nèi)部通常包含行列式的熔絲或反熔絲,通過電流或激光等方式燒斷或改變其狀態(tài)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。一旦數(shù)據(jù)寫入,PROM就不能再被修改。

3. EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory,可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)

EPROM是一種可以通過特殊方式擦除并重新編程的非易失性存儲(chǔ)器。它利用紫外線照射來擦除存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù),并通過電流寫入新的數(shù)據(jù)。EPROM內(nèi)部包含可擦除的浮柵晶體管,這些晶體管在紫外線照射下會(huì)失去存儲(chǔ)的電荷,從而恢復(fù)到初始狀態(tài)。EPROM的擦除和編程過程相對(duì)復(fù)雜,需要專門的設(shè)備。

4. EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)

EEPROM是一種可以通過電場(chǎng)作用來擦除和重新編程的非易失性存儲(chǔ)器。與EPROM不同,EEPROM不需要紫外線照射來擦除數(shù)據(jù),而是通過施加高電壓或高電場(chǎng)來改變存儲(chǔ)單元的電荷狀態(tài)。EEPROM的擦除和編程過程相對(duì)簡(jiǎn)單,可以在設(shè)備內(nèi)部完成,因此更加靈活和方便。

5. Flash Memory(閃存)

Flash Memory是一種廣泛使用的非易失性存儲(chǔ)器,它結(jié)合了EEPROM和EPROM的優(yōu)點(diǎn),具有高速擦寫、高存儲(chǔ)密度和低功耗等特點(diǎn)。Flash Memory以塊為單位進(jìn)行數(shù)據(jù)的擦寫操作,而不是像EEPROM那樣以字節(jié)為單位。這使得Flash Memory在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和傳輸方面更加高效。Flash Memory被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中,如USB閃存驅(qū)動(dòng)器、固態(tài)硬盤(SSD)、智能手機(jī)和平板電腦等。

6. 其他類型

除了上述幾種常見的非易失性存儲(chǔ)器外,還有一些其他類型的NVM也在不斷發(fā)展和應(yīng)用中。例如:

  • FRAM(Ferroelectric RAM,鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) :利用鐵電材料的極化特性來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),具有高速讀寫、低功耗和長(zhǎng)壽命等優(yōu)點(diǎn)。
  • MRAM(Magnetic Random Access Memory,磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器) :利用磁性材料的磁化方向來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),具有非易失性、高速讀寫和長(zhǎng)壽命等特點(diǎn)。
  • PCM(Phase Change Memory,相變存儲(chǔ)器) :利用材料的相變來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),具有高速讀寫、高密度和低功耗等優(yōu)點(diǎn)。

總結(jié)

非易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)和各種電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用,它們能夠在電源關(guān)閉或失去外部電源的情況下保持?jǐn)?shù)據(jù)的完整性。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器的類型也在不斷增加和完善,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。以上介紹的ROM、PROM、EPROM、EEPROM和Flash Memory是目前最為常見和廣泛應(yīng)用的非易失性存儲(chǔ)器類型。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • ROM
    ROM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    562

    瀏覽量

    85623
  • 計(jì)算機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    7360

    瀏覽量

    87632
  • 非易失性存儲(chǔ)器

    關(guān)注

    0

    文章

    107

    瀏覽量

    23416
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    更小的非易失性存儲(chǔ)器特性分析

    目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點(diǎn)。在這種環(huán)境下,業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
    的頭像 發(fā)表于 12-18 10:02 ?5215次閱讀
    更小的<b class='flag-5'>非易失性存儲(chǔ)器</b>特性分析

    非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹

    非易失性存儲(chǔ)器的特點(diǎn)及應(yīng)用介紹
    發(fā)表于 08-20 12:54

    汽車系統(tǒng)非易失性存儲(chǔ)器的選擇

    切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù),以作將來檢索用途。目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型
    發(fā)表于 07-23 06:15

    EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)解析

    EVERSPIN非易失性存儲(chǔ)器嵌入式技術(shù)
    發(fā)表于 12-21 07:04

    非易失性存儲(chǔ)器平衡的方法

    非易失性存儲(chǔ)器平衡方法
    發(fā)表于 01-07 07:26

    非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

    存儲(chǔ)設(shè)備,包括Flash和EEPROM。一、Flash和EEPROM之間的差異Flash和EEPROM均被視為非易失性存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器意味著該設(shè)備能夠保存數(shù)據(jù)且無需持續(xù)供電,即使關(guān)閉電源也能保存
    發(fā)表于 04-07 16:42

    面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器

    面向納電子時(shí)代的非易失性存儲(chǔ)器  摘要   目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)器(NVM)技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是,閃存本身固有的
    發(fā)表于 12-25 09:37 ?701次閱讀

    非易失性存儲(chǔ)器FeRAM、MRAM和OUM

      本文對(duì)目前幾種比較有競(jìng)爭(zhēng)力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦?b class='flag-5'>非易失性存儲(chǔ)器做了一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。   鐵電存儲(chǔ)器(FeRAM)   鐵電存儲(chǔ)器是一種在斷電時(shí)不會(huì)丟失內(nèi)容的非易
    發(fā)表于 08-31 10:50 ?2227次閱讀
    <b class='flag-5'>非易失性存儲(chǔ)器</b>FeRAM、MRAM和OUM

    非易失性存儲(chǔ)器的分類和未來發(fā)展預(yù)測(cè)

    非易失性存儲(chǔ)器是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫為標(biāo)準(zhǔn),可分
    的頭像 發(fā)表于 12-23 13:31 ?1.2w次閱讀

    關(guān)于非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器的區(qū)別詳解

    非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
    發(fā)表于 01-23 11:33 ?1.7w次閱讀

    非易失性存儲(chǔ)器和易失性存儲(chǔ)器有什么全部詳細(xì)資料對(duì)比

    非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)是在關(guān)閉計(jì)算機(jī)或者突然性、意外性關(guān)閉計(jì)算機(jī)的時(shí)候數(shù)據(jù)不會(huì)丟失的技術(shù)。非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)得到了快速發(fā)展,非易失性存儲(chǔ)器主要分為塊尋址和字節(jié)尋址兩類。
    發(fā)表于 04-07 14:33 ?8751次閱讀

    新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)誰將更勝一籌

    新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)主要有五種類型:閃存(Flash),鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM),相變存儲(chǔ)器(P
    發(fā)表于 05-21 16:34 ?1987次閱讀

    存儲(chǔ)器和新興非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的特點(diǎn)

    良好的設(shè)計(jì)是成功制造非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵,包括測(cè)試和驗(yàn)證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級(jí)別進(jìn)行質(zhì)量控制測(cè)試。新興的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的制造和測(cè)試,這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng),人工智能以及先進(jìn)
    發(fā)表于 06-09 13:46 ?1082次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲(chǔ)器</b>和新興<b class='flag-5'>非易失性存儲(chǔ)器</b>技術(shù)的特點(diǎn)

    PCM與MRAM將在非易失性存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位

    MKW Ventures的Mark Webb表示,在接下來的十年中,兩種新興的非易失性存儲(chǔ)器類型(相變存儲(chǔ)器和磁RAM)將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。
    的頭像 發(fā)表于 11-24 15:29 ?2763次閱讀

    一文讀懂常見存儲(chǔ)器類型

    存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中用于存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)的硬件組件,根據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)和工作原理的不同,存儲(chǔ)器可以分為多種類型。本文將從易失性
    的頭像 發(fā)表于 07-15 15:53 ?3138次閱讀