PCM與MRAM將在非易失性存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位

MKW Ventures的Mark Webb表示，在接下來(lái)的十年中，兩種新興的非易失性存儲(chǔ)器類(lèi)型（相變存儲(chǔ)器和磁RAM）將在獨(dú)立存儲(chǔ)器中處于領(lǐng)先地位。

Mark Webb在最近的虛擬閃存峰會(huì)上做了一系列演講。他得出的結(jié)論是，盡管目前正在開(kāi)發(fā)中的新興存儲(chǔ)器技術(shù)種類(lèi)繁多，但英特爾的相變存儲(chǔ)器（稱為3D XPoint存儲(chǔ)器或Optane）將在2025年和2030年主導(dǎo)獨(dú)立的新興非易失性存儲(chǔ)器市場(chǎng)，這是部分原因是英特爾虧本出售內(nèi)存業(yè)務(wù)的原因。

Webb將新興內(nèi)存定義為PCM，MRAM，ReRAM和FeRAM以及其他。它不包括NAND，DRAM，NOR，SRAM，EEPROM等。在這些分析中，Webb并不討論開(kāi)始受到關(guān)注的嵌入式/ SoC新興存儲(chǔ)器MRAM。

韋伯認(rèn)為，由英特爾提供的PCM將在2025年占據(jù)獨(dú)立新興存儲(chǔ)器市場(chǎng)90％的份額，而MRAM僅次于第二，在2030年仍將如此。

韋伯表示，盡管英特爾虧本出售了相變內(nèi)存。但韋伯在FMS演講中說(shuō)，3D Xpoint的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率非常低，并估計(jì)出售Xpoint會(huì)使英特爾每季度損失3億多美元。韋伯說(shuō)，盡管隨著內(nèi)存生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)大，這種損失可能會(huì)減少，但這種損失將持續(xù)下去。

他補(bǔ)充說(shuō)，沒(méi)關(guān)系。永久內(nèi)存非常適合數(shù)據(jù)中心，可以將英特爾架構(gòu)與AMD和其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手區(qū)分開(kāi)來(lái)。韋伯說(shuō)，內(nèi)存余量并不是英特爾的目標(biāo)。

韋伯在一篇博客文章中說(shuō)：“我們預(yù)測(cè)Optane的收入將大幅增長(zhǎng)，這僅僅是因?yàn)橛⑻貭栒谙蛩顿Y數(shù)十億美元，并正在為其發(fā)展新的總線連接。如果沒(méi)有英特爾，則將數(shù)字除以5到10?！?/p>

盡管韋伯的分析對(duì)于諸如ReRAM和FeRAM之類(lèi)的替代存儲(chǔ)器的支持者似乎是黯淡的，但他提供了一些理由。他指出，在英特爾和美光共同推出PCM五年后，除對(duì)英特爾的銷(xiāo)售外，美光的年銷(xiāo)售額還不到1000萬(wàn)美元。韋伯表示，在同意一項(xiàng)技術(shù)可行之后，要想達(dá)到高產(chǎn)量，需要很長(zhǎng)時(shí)間。

韋伯觀察到：“如果ReRAM或FeRAM起飛，它將在四到五年內(nèi)，并且不會(huì)取代其他市場(chǎng)?！?br /> 責(zé)任編輯:tzh