英特爾嵌入式多芯片互連橋接技術(shù)實(shí)現(xiàn)的異構(gòu)SiP集成電路
為了打破高性能系統(tǒng)中的帶寬瓶頸，Altera公布了該公司聲稱的業(yè)界首個(gè)異構(gòu)系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）器件將SK Hynix的堆疊高帶寬存儲(chǔ)器（HBM2）與高性能Stratix 10 FPGA和SoC集成在一起。
HBM2垂直堆疊DRAM裸片，并使用硅通孔（TSV）和微凸塊將它們互連。采用英特爾嵌入式多芯片互連橋接（EMIB）技術(shù)實(shí)現(xiàn)異構(gòu)SiP集成，該技術(shù)依靠硅橋?qū)⒍鄠€(gè)芯片連接在一起。與基于插入器的解決方案相比，EMIB技術(shù) - 芯片之間的走線非常短 - 據(jù)說(shuō)可以在更低的功耗下提供更高的性能。
它的架構(gòu)方式，據(jù)說(shuō)SiP相對(duì)于分立DRAM解決方案提供超過(guò)10倍的內(nèi)存帶寬。 Stratix 10 DRAM SiP將使用戶能夠以節(jié)能的方式定制其工作負(fù)載并實(shí)現(xiàn)最高的存儲(chǔ)器帶寬。 Altera正積極與十幾家客戶合作，將這些DRAM SiP產(chǎn)品集成到他們的下一代高端系統(tǒng)中。
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