在<電子發(fā)燒友>9月20日舉行的“浣沙淘金,模擬論芯”2019年中國(guó)模擬半導(dǎo)體大會(huì)上,帝奧微電子產(chǎn)品事業(yè)部總監(jiān)莊華龍分享了主題為《智能互聯(lián)的差異化解決方案》的演講。在演講中,他指出,模擬芯片設(shè)計(jì)的根基在于工藝。在集成電路領(lǐng)域,常常需要用到各種各樣的工藝和器件配合,想要做出好的產(chǎn)品,就需要選擇最合適的工藝平臺(tái)和器件。
圖1:帝奧微電子產(chǎn)品事業(yè)部總監(jiān)莊華龍?jiān)诎l(fā)表演講。
目前最重要,應(yīng)用也最廣泛的模擬工藝技術(shù)非BCD工藝莫屬。它是一種單芯片集成工藝技術(shù),1986年由意法半導(dǎo)體(ST)公司率先研制成功。
BCD工藝的特點(diǎn)是將硅平面工藝用到功率集成上,是一種可以將雙極、CMOS和DMOS器件同時(shí)集成到單芯片上的技術(shù)。在功率應(yīng)用領(lǐng)域,與傳統(tǒng)的雙極功率工藝相比,BCD工藝具有顯著的優(yōu)勢(shì),最基本的優(yōu)勢(shì)就是使得電路設(shè)計(jì)者可以在高精度模擬的雙極器件,高集成度的CMOS器件和作為功率輸出級(jí)的DMOS器件之間自由選擇。由于DMOS具有高效率(低損耗)、高強(qiáng)度(無(wú)二次擊穿)、耐高壓和固有的源漏二極管的存在(作用類似續(xù)流二極管)和高速的開(kāi)關(guān)特性,因此,DMOS特別適合作為功率開(kāi)關(guān)器件,而且其制造工藝可以和硅柵CMOS制造工藝兼容,從而有利于功率集成。整合好的BCD工藝可大幅降低功耗,提高系統(tǒng)性能,增加可靠性和降低成本。
經(jīng)過(guò)三十多年的發(fā)展,BCD工藝技術(shù)已經(jīng)取得了很大進(jìn)步,從第一代的4微米BCD工藝發(fā)展到了第六代的0.13微米BCD工藝,線寬尺寸不斷減小的同時(shí),也采用了更加先進(jìn)的多層金屬布線系統(tǒng),使得BCD工藝與純CMOS工藝發(fā)展差距縮??;另一方面,BCD工藝想著標(biāo)準(zhǔn)化模塊化發(fā)展,其基本工序標(biāo)準(zhǔn)化,混合工藝則由這些基本工序組合而成,設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)各自的需要增減相應(yīng)的工藝步驟。目前的BCD工藝中的CMOS與純CMOS可完全兼容。
總的來(lái)說(shuō),今后的BCD工藝主要向著高壓、高功率和高密度三個(gè)方向發(fā)展,同時(shí)提高與CMOS工藝的工藝兼容性。在莊華龍看來(lái),目前BCD工藝技術(shù)水平最好的基本都是歐美公司,而且主要以設(shè)計(jì)、工藝制造為一體的IDM模式為主,其次為日本、韓國(guó),中國(guó)***和大陸的代工企業(yè)。
主要的廠商包括:
歐洲:意法半導(dǎo)體(ST)、恩智浦(NXP)等;
日本:東芝等;
韓國(guó):東部高科(DBH)和海力士等;
中國(guó)***:臺(tái)積電(TSMC)、聯(lián)華電子(UMC)等;
中國(guó)大陸:中芯國(guó)際(SMIC)、華潤(rùn)上華(CSMC)、和艦(HJTC)、華虹宏力(HHNEC),以及積塔半導(dǎo)體等。
圖2:全球各地區(qū)的BCD工藝發(fā)展趨勢(shì)圖。
莊華龍指出,在非IDM的晶圓代工企業(yè)中,中國(guó)***的臺(tái)積電和東部高科屬于BCD工藝的第一梯隊(duì)領(lǐng)跑者,他們與歐美IDM企業(yè)之間的差距已經(jīng)很小,甚至在某些方面更加優(yōu)秀;而中國(guó)大陸的BCD工藝技術(shù)與他們?nèi)匀挥兄淮に嚕?~5年)的差距。
就目前來(lái)說(shuō),市場(chǎng)上對(duì)模擬器件的要求越來(lái)越高,主要有以下幾個(gè)方面:
首先是低功耗,設(shè)備的續(xù)航能力與模擬器件的功耗直接相關(guān),因此我們需要更低功耗的模擬器件;
二是高速,隨著數(shù)據(jù)傳輸量的增加,需要模擬器件支持更高的帶寬,來(lái)切換各種功能;
三是高集成度,功能的增加就意味著器件數(shù)量的增加,或單器件的面積增加,要保持現(xiàn)有設(shè)備的體積不變甚至更小,需要器件的集成度越來(lái)越高;
四是核心部件開(kāi)拓,我們需要研發(fā)性能指標(biāo)更高,更核心器件來(lái)提高國(guó)產(chǎn)器件的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。
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