三星明年將發(fā)布128層第六代V-NAND TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb

19日,在東京舉行的“ Samsung SSD Forum 2019 Tokyo”會(huì)上。三星電子存儲(chǔ)器部門(mén)產(chǎn)品規(guī)劃團(tuán)隊(duì)高級(jí)董事總經(jīng)理Jinman就所展示的解決方案進(jìn)行了演講。

Jinman解釋說(shuō)，該公司的堆疊NAND閃存“ V-NAND”實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過(guò)TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計(jì)劃于2020年投放市場(chǎng)，并且正在針對(duì)在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧進(jìn)行研究。

之后，他介紹了該公司針對(duì)云，消費(fèi)者和自動(dòng)駕駛的解決方案。

在云中，引入具有PCI Express Gen4（PCIe Gen4）連接的SSD作為寬帶，并且需要高度穩(wěn)定的存儲(chǔ)解決方案。U.2外形尺寸“ PM1733”實(shí)現(xiàn)了連續(xù)讀取6,400MB / s的高速傳輸，并引入了30.72TB的大容量模型。雙端口設(shè)計(jì)吸引了它，即使兩個(gè)控制器之一被損壞，它也將繼續(xù)運(yùn)行。

低延遲SSD產(chǎn)品“ Z-SSD”吸引了需要低訪問(wèn)延遲存儲(chǔ)的場(chǎng)景，例如云服務(wù)。通過(guò)基于SLC的柵極寬度優(yōu)化和更快的電壓上升/下降等，基于TLC的標(biāo)準(zhǔn)SSD的讀取延遲為1 / 5.5。

針對(duì)高速NAND閃存進(jìn)行了優(yōu)化的NVMe SSD是市場(chǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力，但我們?nèi)栽诶^續(xù)開(kāi)發(fā)具有諸如HDD替換需求和熱插拔支持等優(yōu)勢(shì)的SAS SSD產(chǎn)品。

除了由公司領(lǐng)導(dǎo)的NF1之外，還推出了各種外形尺寸的產(chǎn)品，包括由其他公司領(lǐng)導(dǎo)的標(biāo)準(zhǔn)，并且在引入PCIe Gen4產(chǎn)品之后不久，帶寬就增加了一倍。該公司還宣布開(kāi)發(fā)加速的PCIe Gen5 SSD。

未來(lái)的固態(tài)硬盤(pán)，例如“ SmartSSD”和“ EthernetSSD”，它們可以通過(guò)內(nèi)置的FPGA代替CPU進(jìn)行的處理，而“ EthernetSSD”可以通過(guò)以太網(wǎng)促進(jìn)存儲(chǔ)擴(kuò)展，以及那些傳統(tǒng)產(chǎn)品的擴(kuò)展。

在消費(fèi)者存儲(chǔ)中，引入了用于智能手機(jī)的UFS 3。與iOS設(shè)備閃存相比，Android和UFS的結(jié)合吸引了人們?cè)诰帉?xiě)時(shí)沒(méi)有性能下降的問(wèn)題，并且穩(wěn)定，快速。

UFS主要用于嵌入式eUFS，但三星還發(fā)布了可移動(dòng)UFS卡，它不僅比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的microSD卡快，而且還具有硬件錯(cuò)誤和數(shù)據(jù)丟失檢測(cè)，錯(cuò)誤恢復(fù)以及假定通過(guò)諸如自動(dòng)重發(fā)的功能來(lái)提高穩(wěn)定性。

它已經(jīng)在韓國(guó)發(fā)布，并將于2020年在美國(guó)推出。參展商表示，該公司的某些筆記本電腦配備了UFS卡插槽。

此外，他介紹了固態(tài)硬盤(pán)已在面向消費(fèi)者的游戲領(lǐng)域中部署，并解釋說(shuō)到2020年，NVMe固態(tài)硬盤(pán)不僅將安裝在PC上，還將安裝在消費(fèi)者游戲機(jī)上。對(duì)于大存儲(chǔ)游戲內(nèi)容的播放更加流暢，而且SSD是必不可少的。

隨著移動(dòng)設(shè)備的增加，我們還致力于開(kāi)發(fā)更節(jié)省空間的SSD，并且我們已經(jīng)將尺寸為M.2 22x30的NVMe SSD商業(yè)化。并朝著1TB的容量前進(jìn)，硬幣大小且重量小于1g。