0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星首推第八代V-NAND車載SSD,引領(lǐng)汽車存儲(chǔ)新紀(jì)元

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 2024-09-24 15:24 ? 次閱讀

三星電子在車載存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域邁出了重要一步,正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進(jìn)第八代V-NAND技術(shù)的PCIe 4.0車載SSD——AM9C1。這一創(chuàng)新成果不僅標(biāo)志著三星在車載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域的深厚積累與前瞻布局,更為未來智能汽車的高性能、高效率數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求提供了強(qiáng)有力的支持。

AM9C1車載SSD以卓越的能效表現(xiàn)脫穎而出,相比前代產(chǎn)品AM991,能效提升顯著,達(dá)到約50%。其順序讀寫速度同樣令人矚目,分別高達(dá)4,400MB/s和400MB/s,為車輛信息系統(tǒng)處理、高清地圖加載及多媒體內(nèi)容播放等應(yīng)用場(chǎng)景帶來了前所未有的流暢體驗(yàn)。

尤為值得一提的是,AM9C1搭載了三星自主研發(fā)的5納米控制器,并引入了單層單元(SLC)命名空間功能。這一創(chuàng)新設(shè)計(jì)允許用戶將初始的三層單元(TLC)狀態(tài)靈活切換至SLC模式,從而瞬間解鎖超高速讀寫性能,讀取速度可飆升至4,700MB/s,寫入速度也躍升至1,400MB/s,同時(shí)享受SLC SSD所帶來的更高數(shù)據(jù)可靠性保障。

為滿足不同車型及市場(chǎng)需求,三星還規(guī)劃了從128GB到2TB的多樣化容量規(guī)格,預(yù)計(jì)AM9C1系列車載SSD將于今年年底正式進(jìn)入量產(chǎn)階段,為全球汽車制造商及消費(fèi)者帶來更加高效、可靠的車載數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案,共同推動(dòng)智能汽車時(shí)代的加速到來。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 控制器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    112

    文章

    15917

    瀏覽量

    175463
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15798

    瀏覽量

    180682
  • SSD
    SSD
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    2794

    瀏覽量

    116688
  • 汽車存儲(chǔ)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    12

    瀏覽量

    1461
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    三星QLC第九V-NAND量產(chǎn)啟動(dòng),引領(lǐng)AI時(shí)代數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元

    三星電子在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域再次邁出重要一步,其最新推出的QLC V-NAND第九產(chǎn)品,集成了多項(xiàng)前沿技術(shù)突破,標(biāo)志著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能與容量
    的頭像 發(fā)表于 09-23 14:53 ?308次閱讀

    三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九V-NAND

    三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星
    的頭像 發(fā)表于 09-12 16:27 ?325次閱讀

    能耗管理系統(tǒng)新紀(jì)元:智能科技引領(lǐng)綠色生活風(fēng)尚

    能耗管理系統(tǒng)新紀(jì)元:智能科技引領(lǐng)綠色生活風(fēng)尚 在科技日新月異的今天,我們的生活正經(jīng)歷著前所未有的變革,而能耗管理系統(tǒng)作為連接環(huán)保與可持續(xù)發(fā)展的橋梁,正步入一個(gè)由智能科技引領(lǐng)新紀(jì)元。這
    的頭像 發(fā)表于 08-15 18:17 ?393次閱讀

    三星電子推出性能更強(qiáng)、容量更大的升級(jí)版1TB microSD 存儲(chǔ)

    microSD 存儲(chǔ)卡 PRO Plus 和 EVO Plus 采用三星先進(jìn)的 V-NAND 技術(shù),可安全可靠地捕捉和存儲(chǔ)日常瞬間 性能提升后,順序讀取速度高達(dá) 180MB/s,傳輸速
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:24 ?149次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>電子推出性能更強(qiáng)、容量更大的升級(jí)版1TB microSD <b class='flag-5'>存儲(chǔ)</b>卡

    三星第9V-NAND采用鉬金屬布線技術(shù)

    據(jù)韓國(guó)媒體最新報(bào)道,三星電子在其第9V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破,首次在“金屬布線”工藝中引入了鉬(Mo)技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的又一次技術(shù)飛躍。
    的頭像 發(fā)表于 07-04 09:23 ?525次閱讀

    3D NAND閃存來到290層,400層+不遠(yuǎn)了

    V-NAND 1Tb TLC達(dá)290層,已開始量產(chǎn)。根據(jù)規(guī)劃,2025年主流閃存廠商的產(chǎn)品都將進(jìn)入300層+,甚至400層以上。至于遠(yuǎn)期,到2030年閃存有望突破1000層。 ? 2024 年三星第9
    的頭像 發(fā)表于 05-25 00:55 ?3136次閱讀
    3D <b class='flag-5'>NAND</b>閃存來到290層,400層+不遠(yuǎn)了

    任天堂Switch 2將大幅依靠三星供應(yīng)鏈

    據(jù)悉,Switch 2游戲機(jī)可能搭載由三星代工廠生產(chǎn)的SoC(英偉達(dá)Tegra T239芯片,采用三星7LPH工藝節(jié)點(diǎn))。此外,任天堂還計(jì)劃采用三星第五
    的頭像 發(fā)表于 04-29 10:23 ?663次閱讀

    三星第九V-NAND 1TB TLC量產(chǎn),密度提升逾50%

    第九V-NAND采用雙堆疊設(shè)計(jì),將旗艦版V8閃存原先的236層進(jìn)一步增加至290層,主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算設(shè)備領(lǐng)域。
    的頭像 發(fā)表于 04-28 17:36 ?654次閱讀

    三星宣布量產(chǎn)第九V-NAND芯片,位密度提升50%

    在技術(shù)層面,第九V-NAND無疑展現(xiàn)出了三星的卓越技術(shù)實(shí)力。它采用了雙重堆疊技術(shù),在原有的旗艦V8閃存236層的基礎(chǔ)上,再次實(shí)現(xiàn)了技術(shù)上的重大突破,堆疊層數(shù)飆升至驚人的290層。
    的頭像 發(fā)表于 04-28 16:02 ?925次閱讀

    三星宣布量產(chǎn)第九V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品,采用290層雙重堆疊技術(shù)

    作為九V-NAND的核心技術(shù),雙重堆疊技術(shù)使旗艦V8閃存的層數(shù)從236層增至290層,主要應(yīng)用于大型企業(yè)服務(wù)器及人工智能與云計(jì)算領(lǐng)域。據(jù)了解,三星計(jì)劃于明年推出第十
    的頭像 發(fā)表于 04-28 10:08 ?601次閱讀

    三星宣布其第九V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)

    近日,三星宣布其第九V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn),這將有助于鞏固其在NAND閃存市場(chǎng)的卓越地位。
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:48 ?522次閱讀

    三星量產(chǎn)第九V-NAND閃存芯片,突破最高堆疊層數(shù)紀(jì)錄

    三星公司預(yù)計(jì)將于今年四月份大批量生產(chǎn)目前行業(yè)內(nèi)為止密度最大的290層第九V-NAND (3D NAND) 閃存芯片,這是繼之前的236層第八
    的頭像 發(fā)表于 04-18 09:49 ?508次閱讀

    三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

    據(jù)韓國(guó)業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九V-NAND(3D NAND)閃存芯片。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:06 ?481次閱讀

    三星V-NAND閃存或月底量產(chǎn),堆疊層數(shù)將達(dá)290層

    據(jù)韓媒Hankyung透露,第九V-NAND閃存的堆疊層數(shù)將高達(dá)290層,但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過,三星在學(xué)術(shù)會(huì)議上展示了280層堆疊的QLC閃存,其IO接口速度可達(dá)3.2GB/s。
    的頭像 發(fā)表于 04-12 16:05 ?735次閱讀

    三星PCIe Gen5 SSD滿足大負(fù)荷企業(yè)級(jí)工作環(huán)境

    Gen5 CPU的服務(wù)器上的各項(xiàng)性能測(cè)試結(jié)果。 PM1743是三星采用其先進(jìn)的V-NAND閃存技術(shù)以及行業(yè)最
    的頭像 發(fā)表于 11-07 10:09 ?1606次閱讀