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IGCT的逆導技術_IGCT的透明陽極

h1654155282.3538 ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 作者:網(wǎng)絡整理 ? 2019-12-22 10:20 ? 次閱讀

IGCT的逆導技術

GCT大都制成逆導型,與非對稱型結構不同,它可與優(yōu)化的續(xù)流二極管FWD單片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基區(qū)厚度與二極管相同,可承受相同的阻斷電壓。由于二極管和GCT享有同一個阻斷結(PN -),GCT的P基區(qū)與二極管的陽極相連,這樣在GCT門極和二極管陽極間形成電阻性通道。逆導GCT與二極管隔離區(qū)中因為有PNP結構,其中總有一個PN結反偏,從而阻斷了GCT與二極管陽極間的電流流通。

為了使GCT能夠無吸收地關斷,要求集成在其中的FWD也必須無吸收電路,并在高di/dt下關斷。為此,逆導GCT的二極管部分可通過質子輻照形成非均勻的復合中心,從而控制二極管的反向恢復特性,以確保當其拖尾電流減小至零時不會產(chǎn)生斷流現(xiàn)象。

IGCT的透明陽極

為了實現(xiàn)低的關斷損耗,需要對陽極晶體管的增益加以限制,因而要求陽極的厚度要薄,濃度要低。透明陽極是一個很薄的PN結,其發(fā)射效率與電流有關。因為電子穿透陽極就像陽極被短路一樣,因此稱為透明陽極。傳統(tǒng)的GTO則是采用陽極短路結構來達到相同的目的。采用透明陽極來代替陽極短路點,可使GCT的觸發(fā)電流比傳統(tǒng)無緩沖層的GTO降低整整一個數(shù)量級。而且GCT的結構與IGBT相比,因不含MOS結構而從根本上得以簡化。

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