高壓大功率變頻器的性能試驗(yàn)是一個(gè)難題。本文主要介紹采用igct組成的大功率變頻器和試驗(yàn)方法,僅供參考和借鑒。
2012-02-09 10:07:433452 IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor),中文名稱:集成門極換流晶閘管。
2023-12-14 09:48:173442 未來(lái)PLC的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)如何?基于PLC的運(yùn)動(dòng)控制器有哪些應(yīng)用?
2021-07-05 07:44:22
未來(lái)世界如何供電:無(wú)線傳輸或成主流
2021-01-07 06:56:18
各位工程師們拓寬思路,打開想象力。在未來(lái),傳感器這條路會(huì)有何不同呢?會(huì)和理想的傳感器那樣,更小、更便宜、更節(jié)能、更環(huán)保、更有價(jià)值的貫穿于各大領(lǐng)域中,傳感器無(wú)疑已經(jīng)成為新技術(shù)中不可或缺的器件之一!
2020-10-23 13:46:17
作為一個(gè)電子科學(xué)與技術(shù)專業(yè)的大一學(xué)生未來(lái)畢業(yè)可以做哪些工作,會(huì)涉及到哪些技術(shù)領(lǐng)域?,F(xiàn)在需要著重學(xué)些什么,希望能有有經(jīng)驗(yàn)的大牛們給個(gè)建議。
2017-08-05 23:38:39
`①未來(lái)發(fā)展導(dǎo)向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”已逐漸步入大眾生活,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。在科技發(fā)展道路上的,“小型化”和“節(jié)能化
2017-07-22 14:12:43
隨著時(shí)代的發(fā)展潮流,常用的白熾燈既耗能,而且亮度不夠,未來(lái)的照明將轉(zhuǎn)向低耗能的LED燈和節(jié)能燈,所以LED驅(qū)動(dòng)電源的開發(fā)尤為重要。
2012-09-02 10:30:15
和娛樂享受的追求沒有停歇。未來(lái)汽車的核心支柱傳感器技術(shù)由于自動(dòng)駕駛汽車近期事故頻出,為了制造安全性更高的汽車,汽車制造商急需這些專門針對(duì)車輛安全性的環(huán)境感知技術(shù)。作為全球領(lǐng)先的模擬器件和閃存專利解決方案
2019-07-19 04:20:15
未來(lái)的車載音響娛樂系統(tǒng)是怎樣的?
2021-05-11 06:23:54
未來(lái)車載安全系統(tǒng)的主題和目標(biāo)是什么?
2021-05-12 06:35:38
雙極晶體管(IBGT)、功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成門極換流晶閘管(IGCT)研制成功,并迅速發(fā)展和商業(yè)化。這不僅為電力電子變流器向高頻化的發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的器件基礎(chǔ),同時(shí)還提供高頻用電設(shè)備(20KHZ以上
2021-08-23 15:50:33
LED背光源的未來(lái)在哪里?
2021-06-03 06:00:12
密集化如何是企業(yè)部署的總投入成本降低?LoRaWAN的未來(lái)是什么?
2021-06-16 08:37:23
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的不斷進(jìn)步及人們生活消費(fèi)需求的不斷提升及在工業(yè)進(jìn)步的不斷推動(dòng)下,電子產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)是越來(lái)越小巧,越來(lái)越智能化 。電子產(chǎn)品中的各種電子器件也會(huì)更加小巧,具有更多
2010-01-26 16:01:03
如果有在哪找
2017-05-09 00:02:19
晶閘管)、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IEGT(電子注入增強(qiáng)柵晶體管)、IPEM(集成電力電子模塊)、PEBB(電力電子積木)等。圖表2 功率半導(dǎo)體器件分類方式及代表類型(來(lái)源:電力電子技術(shù)
2019-02-26 17:04:37
只是聽說(shuō)高通的肯定有了,IGBT、IGCT、特種電機(jī)這些咱們生產(chǎn)的還不夠
2017-11-10 11:04:27
引言:前段時(shí)間,Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實(shí)很火,現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場(chǎng)進(jìn)展,針對(duì)其中使用的碳化硅SiC器件,來(lái)了解一下SiC器件的未來(lái)需求。我們從前一段時(shí)間的報(bào)道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
并不是一件容易的事! 第一個(gè)概念是交流電機(jī)里的變頻 伺服。 變頻器就像是節(jié)奏大師手里的那把琴,琴聲可千變?nèi)f化!類似的,變頻是將工頻的50Hz,60Hz的交流電先整流成直流電,然后通過(guò)可控開關(guān)器件
2016-02-01 14:59:55
變頻的這一環(huán)節(jié):變頻就是將工頻的50、60HZ的交流電先整流成直流電,然后通過(guò)可控制門極的各類晶體管(IGBT,IGCT等)通過(guò)載波頻率和PWM調(diào)節(jié)逆變?yōu)轭l率可調(diào)的波形類似于正余弦的脈動(dòng)電,由于頻率可...
2021-09-03 06:39:45
一個(gè)普通而又平凡的清晨,你在舒適的空調(diào)溫度下醒來(lái)。打開冰箱,取出食物做一頓美美的早餐;解鎖充好電的手機(jī),查看最新的資訊;來(lái)到公司后打開電腦,開啟一天的工作。電力悄無(wú)聲息地融入你的生活,伴你度過(guò)充實(shí)的一天。與此同時(shí),來(lái)自火電、水電、核電以及風(fēng)電、光伏發(fā)電的電能正被源源不斷地輸送到城市和鄉(xiāng)村,供給傳統(tǒng)的能源、機(jī)械、交通、制造產(chǎn)業(yè),以及新興的通信、航天、醫(yī)療、材料等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)使用。但是,來(lái)自不同源頭電...
2021-07-12 08:43:16
關(guān)于未來(lái)的輪胎信息系統(tǒng)ITS看完你就懂了
2021-05-13 06:31:34
分立器件和集成電路在電子未來(lái)的發(fā)展上是相對(duì)的嗎?在下無(wú)知學(xué)生party,請(qǐng)教各位,勿噴。感謝
2020-01-07 08:20:09
,控制電路都過(guò)于復(fù)雜,特別是需要龐大的吸收電路。而且,速度低,因此限制了它的應(yīng)用范圍拓寬。集成門極換流晶閘管IGCT和MOS關(guān)斷晶閘管之類的器件在控制門極前使用了MOS柵,從而達(dá)到硬關(guān)斷能力。(4).功率
2018-05-08 10:08:40
、IGCT高壓變頻器系列、工業(yè)機(jī)器人備件DSQC系列、INFI 90等Allen-Bradley:1756、1785、1771、1746 1747全系列系統(tǒng)等?;厥諝W姆龍:CP1H ,CP1L,CP1E
2021-06-30 21:52:10
單片機(jī)的原理是什么單片機(jī)的特點(diǎn)/應(yīng)用領(lǐng)域單片機(jī)未來(lái)的發(fā)展方向
2021-04-20 06:22:45
創(chuàng)建Kynisys平臺(tái):我們?nèi)绾螛?gòu)建人工智能(AI)的未來(lái)?
2021-03-03 07:06:02
/dt已達(dá) 20 kV/s ,di/dt為2 kA/s; (4)開關(guān)速度快, 開關(guān)損耗小,開通時(shí)間約200ns,1 000 V 器件可在2 s 內(nèi)關(guān)斷; 2. IGCT( Intergrated
2019-03-03 07:00:00
。功率半導(dǎo)體器件從雙極型器件(BPT、SCR、GTO)發(fā)展為MOS型器件(功率MOSFET、 IGBT、IGCT等),使電力電子系統(tǒng)有可能實(shí)現(xiàn)高頻化,并大幅度降低導(dǎo)通損耗,電路也更為簡(jiǎn)單。自上世紀(jì)80
2017-02-13 21:56:16
數(shù)字視頻的未來(lái)發(fā)展如何?
2021-06-08 06:54:46
新一代PON以及云數(shù)據(jù)中心的未來(lái)
2021-06-07 06:30:00
能,尤其適用于高壓大功率電力電子裝置.目前通用電路仿真軟件中還沒有專門的IGCT仿真模型,不能滿足可靠的仿真性能的要求.基于電力電子器件的物理現(xiàn)象,建立IGCT模型的方法有:功能模型法、電學(xué)模型法、集
2010-04-24 09:07:39
智能電話音頻的未來(lái)究竟如何?
2021-06-04 07:30:43
機(jī)器學(xué)習(xí)的未來(lái)在工業(yè)領(lǐng)域采用機(jī)器學(xué)習(xí)機(jī)器學(xué)習(xí)和大數(shù)據(jù)
2021-01-27 06:02:18
當(dāng)前人工智能快速發(fā)展,各種類人功能智能機(jī)器人層出不窮,觸覺感知是人類和未來(lái)智能機(jī)器探索物理世界的基礎(chǔ)性功能之一,發(fā)展具有觸覺功能的仿生電子皮膚柔性感知器件,并實(shí)現(xiàn)器件與柔軟組織間的機(jī)械匹配性具有重要的科學(xué)意義和應(yīng)用價(jià)值。
2020-07-30 07:04:15
汽車汽油機(jī)電子控制技術(shù)未來(lái)如何發(fā)展?
2021-05-13 06:03:32
汽車電子技術(shù)的未來(lái)如何發(fā)展?網(wǎng)絡(luò)技術(shù)在汽車中有哪些應(yīng)用?
2021-05-14 06:47:25
市場(chǎng)上的元器件服務(wù)商,本著線上線下更好的服務(wù)客戶為宗旨,以線上用戶體驗(yàn)作為公司業(yè)務(wù)的核心驅(qū)動(dòng)水準(zhǔn)。未來(lái)電子元器件企業(yè)從線下拓展到線上已經(jīng)成為了一個(gè)趨勢(shì),及早的預(yù)見形勢(shì),隨時(shí)迎接未來(lái)的變革對(duì)于企業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要。
2018-10-15 11:31:20
半導(dǎo)體工藝和RF封裝技術(shù)的不斷創(chuàng)新完全改變了工程師設(shè)計(jì)RF、微波和毫米波應(yīng)用的方式。RF設(shè)計(jì)人員需要比以往任何時(shí)候都更具體、更先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)支持。設(shè)計(jì)技術(shù)持續(xù)發(fā)展,RF和微波器件的性質(zhì)在不久的未來(lái)
2019-07-31 06:34:51
Commutated Thyristors)是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展,給電力電子
2017-05-25 14:10:51
)是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。IGCT使變流裝置在功率、可靠性、開關(guān)速度、效率、成本、重量和體積等方面都取得了巨大進(jìn)展,給電力電子成套裝置帶來(lái)了新的飛躍。IGCT是將GTO芯片
2017-11-07 11:11:09
電池供電的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 07:07:27
電源模塊的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)如何
2021-03-11 06:32:42
RFID在未來(lái)可以有什么新奇的應(yīng)用?
2020-08-07 05:51:32
、IGCT高壓變頻器系列、工業(yè)機(jī)器人備件DSQC系列、INFI 90等Allen-Bradley:1756、1785、1771、1746 1747全系列系統(tǒng)等?;厥諝W姆龍:CP1H ,CP1L,CP1E
2021-06-30 21:55:18
效率的主要貢獻(xiàn)者,但半導(dǎo)體本身可以通過(guò)提供低導(dǎo)通狀態(tài)和開關(guān)損耗做出重大貢獻(xiàn)。在這方面,IGCT無(wú)疑是性能最高的硅器件架構(gòu)?! ”疚慕榻B了6500 A、4500 V集成柵極換向晶閘管(IGCT)的開發(fā)
2023-02-24 15:37:38
為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。中壓變頻器的研發(fā)與電力電子器件如高壓IGBT、GTO、IGCT等器件研制水平和應(yīng)用水平密切相關(guān),隨著高電壓、大電流IGBT的面世,給中壓變頻器注入了新的活力,德國(guó)西門子公司采用高壓
2009-09-01 13:52:50
為人們關(guān)注的焦點(diǎn)。中壓變頻器的研發(fā)與電力電子器件如高壓IGBT、GTO、IGCT等器件研制水平和應(yīng)用水平密切相關(guān),隨著高電壓、大電流IGBT的面世,給中壓變頻器注入了新的活力,德國(guó)西門子公司采用高壓
2009-09-01 16:35:14
服務(wù)介紹隨著技術(shù)發(fā)展,第三代半導(dǎo)體功率器件開始由實(shí)驗(yàn)室階段步入商業(yè)應(yīng)用,未來(lái)應(yīng)用潛力巨大,這些新型器件測(cè)試要求更高的電壓和功率水平,更快的開關(guān)時(shí)間。測(cè)試周期:根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)、試驗(yàn)條件及被測(cè)樣品量確定
2022-05-25 14:26:58
本文詳細(xì)闡述了電壓空間矢量PWM 方法(SVPWM)在三電平中點(diǎn)箝位式變流器(NPC)中應(yīng)用的原理,并在一套基于IGCT的7.5MVA 大功率三電平中點(diǎn)箝位式變流器上進(jìn)行了驗(yàn)證,實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)
2009-04-06 13:57:4437 作為一個(gè)新型電力電子器件,集成門極換向晶閘管(IGCT)在大功率高壓變流器中得到了廣泛的應(yīng)用。本文介紹了一個(gè) 4.5kV/4.0kA IGCT 功率相單元測(cè)試平臺(tái)工作原理和實(shí)驗(yàn)方案,并且在不
2009-04-08 15:42:5413 介紹了當(dāng)前大功率軋機(jī)主傳動(dòng)采用的交流調(diào)速系統(tǒng)概況以及交交變頻,LCI交直交變頻,IGCT/IGBT三電平PWM變頻等交流調(diào)速系統(tǒng)等的特點(diǎn);分析了軋機(jī)主傳動(dòng)機(jī)電振動(dòng)的原因及抑制方法;最
2010-01-12 17:08:2918 設(shè)計(jì)了模塊化的高壓電源,并用于對(duì)IGCT的高壓測(cè)試。介紹了高壓電源模塊的適用性、應(yīng)用ARM處理器的優(yōu)點(diǎn),以及高壓電源模塊的結(jié)構(gòu)和工作原理、電源模塊的串聯(lián)工作和優(yōu)點(diǎn)。最后,
2010-06-24 14:37:3521 主要介紹了集成門極換流晶閘管(IGCT)的光刻技術(shù)。IGCT器件的光刻次數(shù)多,精度要求高,如何保證光刻質(zhì)量是關(guān)鍵。根據(jù)IGCT光刻的特點(diǎn),從光刻機(jī)的性能、光刻膠的選用以及刻
2010-06-24 16:48:4314 本文針對(duì)6KV中壓電網(wǎng)三相平衡負(fù)載的無(wú)功功率補(bǔ)償,結(jié)合二極管箝位多電平逆變器和H橋級(jí)聯(lián)多電平逆變器的特點(diǎn),提出了一種能夠直接并入電網(wǎng)的新型主從式的逆變器結(jié)構(gòu):
2010-11-10 16:13:5448 集成門極換流晶閘管(IGCT)是什么意思
集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問(wèn)世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力
2010-03-05 14:18:547072 集成門極換流晶閘管/IGCT的工作原理是什么?
交流變頻調(diào)速技術(shù)是電氣傳動(dòng)的發(fā)展方向之一,它具有調(diào)速性能優(yōu)越和節(jié)能效果顯著兩大特點(diǎn),因此,
2010-03-05 14:22:246879 IGCT 單獨(dú)使用時(shí)可以不使用緩沖電路。但是6kV及以上高壓變頻器需要將IGCT串聯(lián)使用以獲得更高的耐壓水平。此時(shí),IGCT需要并聯(lián)緩沖電路才能安全的工作。為設(shè)計(jì)6kV高壓變頻器串聯(lián)吸收電
2011-07-22 18:20:4738 IGCT (集成門極換流晶閘管)是從GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)發(fā)展改進(jìn)而來(lái)的。它結(jié)合了GTO和IGBT的優(yōu)點(diǎn),如開通損耗低,可靠性高,電壓電流容量大,開關(guān)頻率高等。由于IGCT的特殊工作原理,
2011-08-17 16:53:4799 本文對(duì)基于IGCT的6kV/200kVA進(jìn)行了深入的研究。,根據(jù)d.q坐標(biāo)變換理論,建立動(dòng)態(tài)數(shù)學(xué)模型。由于電力系統(tǒng)是一個(gè)強(qiáng)耦合的非線性系統(tǒng),其各種負(fù)載時(shí)刻都在發(fā)生變化,針對(duì)模型參數(shù)變
2011-10-17 16:40:1839 正常IGBT的工作頻率在10—20kHz,其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速中,它是較好的選擇。它在中小容量裝置中淘汰功率雙極晶體管(GTR)已成定論。IEGT在高電壓領(lǐng)域中
2013-01-11 14:59:287063 )等,還是新型功率半導(dǎo)體器件,如:門極關(guān)斷晶閘管(GTO)、門極換流晶閘管(GCT)、集成門極換流晶閘管(IGCT)等,甚至是絕緣柵雙極晶體管(IGBT),都屬于雙極注入器件,所以它們的通態(tài)特性最后都可以歸結(jié)到PiN功率二極管的通態(tài)特性上。 在實(shí)際應(yīng)用中,往往有多個(gè)器件的并
2017-10-31 10:19:4112 諧波含量,達(dá)到電力系統(tǒng)應(yīng)用時(shí)的容量要求。 電子技術(shù)的迅猛發(fā)展,電力電子器件由早期的不控二極管、半控型晶閘管,發(fā)展到后來(lái)的全控型CJTO、MOSFET、IGBT,到目前的IGCT、EGCT以及保護(hù)驅(qū)動(dòng)一體化的IPM,開關(guān)頻率逐步增大,功率等級(jí)不斷提高,動(dòng)態(tài)性能更加優(yōu)異。器件的
2017-11-07 11:31:1110 IGBT及其派生器件,例如:IGCT,是MOS和雙極集成的混合型半導(dǎo)體功率器件。因此,IGBT的失效模式,既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式,還有混合型特有的失效模式。MOS是靜電極敏感器件
2018-06-20 14:51:0015773 中芯國(guó)際告訴DIGITIMES,隨著智能化社會(huì)的到來(lái),智能化設(shè)備中應(yīng)用廣泛的微機(jī)電和功率器件市場(chǎng)需求激增,目前市場(chǎng)處于供不應(yīng)求的狀態(tài)。中芯國(guó)際看好,未來(lái)市場(chǎng)增長(zhǎng)需求,規(guī)劃紹興項(xiàng)目聚焦于微機(jī)電和功率器件的集成電路領(lǐng)域,將持續(xù)投入技術(shù)研發(fā),于紹興打造一個(gè)綜合性的特色工藝基地。
2018-05-28 14:38:296173 市場(chǎng)上的元器件服務(wù)商,本著線上線下更好的服務(wù)客戶為宗旨,以線上用戶體驗(yàn)作為公司業(yè)務(wù)的核心驅(qū)動(dòng)水準(zhǔn)。未來(lái)電子元器件企業(yè)從線下拓展到線上已經(jīng)成為了一個(gè)趨勢(shì),及早的預(yù)見形勢(shì),隨時(shí)迎接未來(lái)的變革對(duì)于企業(yè)的發(fā)展至關(guān)重要。
2018-10-15 11:23:25227 GCT大都制成逆導(dǎo)型,與非對(duì)稱型結(jié)構(gòu)不同,它可與優(yōu)化的續(xù)流二極管FWD單片集成在同一芯片上。穿通型GCT的最小基區(qū)厚度與二極管相同,可承受相同的阻斷電壓。
2019-12-22 10:20:243983 IGCT在功率、可靠性、速度、效率、成本、質(zhì)量和體積等方面均達(dá)到了新的性能標(biāo)準(zhǔn),并在未來(lái)的發(fā)展中仍有很大的潛力,隨著人們的不斷認(rèn)識(shí),它必將成為大功率應(yīng)用中首選的電力半導(dǎo)體器件。
2019-12-22 10:23:454867 新應(yīng)用不斷涌現(xiàn),這就需要有高壓開關(guān)技術(shù),而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術(shù)相比,該技術(shù)的系統(tǒng)平衡成本和運(yùn)行損耗要顯著降低。該技術(shù)的應(yīng)用范圍非常廣,從固態(tài)變壓器、中壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)器到智能電網(wǎng)應(yīng)用(FACTS、STATCOM)和高壓直流斷路器均包含在內(nèi)。
2020-02-24 10:07:522251 回顧IGCT器件的發(fā)展史,要從晶閘管說(shuō)起。晶閘管自從1957年在美國(guó)通用公司誕生以來(lái),經(jīng)過(guò)隨后20多年的發(fā)展,已經(jīng)形成了從低壓小電流到高壓大電流的系列產(chǎn)品,早期的大功率變流器幾乎全部采用晶閘管。
2020-05-08 11:00:587917 功率半導(dǎo)體器件家族中的重要成員——IGCT 器件能夠安全、可靠、經(jīng)濟(jì)、高效地實(shí)現(xiàn)高壓大容量的能量轉(zhuǎn)換,在柔性直流輸電中展現(xiàn)出非常大的應(yīng)用優(yōu)勢(shì),有望成為直流電網(wǎng)的“芯”選擇。
2020-06-29 16:09:524592 近日,禾望電氣所研制開發(fā)的兩件大功率變頻器通過(guò)了中國(guó)機(jī)械工業(yè)聯(lián)合會(huì)的鑒定,并給予高度評(píng)價(jià),這兩件設(shè)備分別是大功率IGCT交直交變頻調(diào)速裝置和大功率IGCT交直交變頻調(diào)速系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)和應(yīng)用。 這兩項(xiàng)
2020-12-04 18:02:042870 ? A: 一般指的是變頻、變壓、變流、功率管理等電路處理動(dòng)作。 Q: 高電壓有多高?大電流有多大? A: 電壓處理范圍通常為數(shù)百伏以上,電流為數(shù)十至數(shù)千安。 Q: 典型的功率器件有哪些? A: Diode、GTR、Thyristor、SCR、GTO、MOSFET 、IGBT、MCT、IGCT、
2021-01-08 09:58:555333 IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件,適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中,是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。
2021-03-05 10:59:229820 ( RCT)等,還是新型功率半導(dǎo)體器件如:門極關(guān)斷晶閘管(GTO)、門極換流晶閘管(GCT)、集成門極換流晶閘管(IGCT)等,甚至是絕緣柵雙極晶體管( IGBT),由于這些器件都屬于雙極注入器件,故其通態(tài)特性最后都?xì)w結(jié)到PiN 功率二極管的通態(tài)特性上來(lái)。
2021-03-16 10:39:0031 RS1M快恢復(fù)二極管,主要是指與快速晶閘管、高頻率晶閘管和GT0、IGCT、leGT等晶閘管派生器件相匹配的FWD器件。RS1M快恢復(fù)二極管通常電流大,電壓高,反向恢復(fù)時(shí)間一般在1微秒以上,多采用擴(kuò)散型通過(guò)結(jié)構(gòu)和電子輻射技術(shù),電流從數(shù)十安培到數(shù)千安培,電壓從數(shù)百伏到3000伏不等。
2022-02-24 14:31:149808 動(dòng)門極驅(qū)動(dòng)電
路及反并聯(lián)二極管, 使器件不需關(guān)斷吸收電路、可靠性更高、工作頻率更高, 易于串聯(lián)工作。電子注
入增強(qiáng)門極晶體管( IEGT ) 是東芝公司于 1993 年開發(fā)出的新一代電力電子器件。它具有通態(tài)壓降
低、門極驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小、串聯(lián)運(yùn)行容易等諸多優(yōu)點(diǎn)。IGCT 和 IEGT 將逐步取
2022-05-09 11:16:381 PRISEMI芯導(dǎo)低電容、小封裝成為ESD保護(hù)器件未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
2022-07-20 17:12:421052 目錄 2.5 其它新型電力電子器件 2.5.1 MOS控制晶閘管MCT 2.5.2 靜電感應(yīng)晶體管SIT 2.5.3 靜電感應(yīng)晶閘管SITH 2.5.4 集成門極換流晶閘管IGCT 2.5.5
2023-02-16 15:08:060 IGCT和IGBT之間的主要區(qū)別在于IGCT可以提供更高的效率和更低的損耗,而IGBT可以提供更高的功率密度和更低的噪聲。此外,IGCT可以提供更高的精度和可靠性,而IGBT可以提供更低的成本。
2023-02-21 15:26:4411866 層中,形成感應(yīng)電流。同時(shí),施加正向電壓的同時(shí),在IGCT的門控電極上施加一定的電壓信號(hào),通過(guò)控制PN結(jié)區(qū)域中的空穴和電子的復(fù)合和推移,控制整個(gè)器件的導(dǎo)通和截止。
2023-02-28 11:45:322141 IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極晶體管)都是用于高功率電力電子設(shè)備的開關(guān)器件,但它們的結(jié)構(gòu)和工作原理有所不同,主要區(qū)別如下:
2023-02-28 11:18:458765 IGCT(Integrated Gate-Commutated Thyristor,集成門控晶閘管)和GTO(Gate Turn-Off thyristor,門極可控晶閘管)是兩種功率半導(dǎo)體器件
2023-02-28 11:42:351353 、IGCT、發(fā)光二極管、敏感器件等。半導(dǎo)體分立器件制造,指單個(gè)的半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的一個(gè)電子元件的制造。制造是設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試的中游環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)半導(dǎo)體分立器件的界定,包括功率半導(dǎo)體分立器件、小
2023-03-10 11:10:04253 、IGCT、發(fā)光二極管、敏感器件等。半導(dǎo)體分立器件制造,指單個(gè)的半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的一個(gè)電子元件的制造。制造是設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試的中游環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)半導(dǎo)體分立器件的界定,包括功率半導(dǎo)體分立器件、小
2023-03-10 17:45:48554 全球SiC器件產(chǎn)能到2027年將增長(zhǎng)兩倍,排名前五的公司是:ST、英飛凌、Wolfspeed、onsemi和ROHM。Yole Intelligence的分析師預(yù)測(cè),未來(lái)五年SiC器件市場(chǎng)價(jià)值將達(dá)到60億美元,并可能在2030年代初達(dá)到100億美元。
2023-03-27 11:10:00556 、IGCT、發(fā)光二極管、敏感器件等。半導(dǎo)體分立器件制造,指單個(gè)的半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的一個(gè)電子元件的制造。制造是設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試的中游環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)對(duì)半導(dǎo)體分立器件的界定,包括功率半導(dǎo)體分立器件、小
2023-03-28 13:10:04457 、IGCT、發(fā)光二極管、敏感器件等。半導(dǎo)體分立器件制造,指單個(gè)的半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的一個(gè)電子元件的制造。制造是設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試的中游環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。
2023-03-10 18:04:141093 、IGCT、發(fā)光二極管、敏感器件等。半導(dǎo)體分立器件制造,指單個(gè)的半導(dǎo)體晶體管構(gòu)成的一個(gè)電子元件的制造。制造是設(shè)計(jì)及封裝測(cè)試的中游環(huán)節(jié),在半導(dǎo)體行業(yè)的產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。
2023-03-29 16:59:37404 igbt和igct的區(qū)別是啥? IGBT和IGCT是兩種不同類型的高壓開關(guān)裝置,用于電力電子應(yīng)用中。IGBT是導(dǎo)電型場(chǎng)效應(yīng)晶體管集成電路,而IGCT是絕緣柵控雙極型晶閘管。 IGBT是一種壓降低
2023-08-25 14:57:342926 IGCT(集成門極換流晶閘管)和IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是廣泛應(yīng)用于電力電子和電力傳輸?shù)陌雽?dǎo)體器件。雖然它們的用途相似,但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、特性和應(yīng)用方面有明顯的差異。IGCT 和 IGBT 都是電力
2023-11-09 14:31:36364 )是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件,用于開關(guān)和調(diào)節(jié)高電壓和高電流的電力系統(tǒng)。雖然它們都屬于高壓功率器件,但在結(jié)構(gòu)、原理和特性等方面存在一些明顯的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)差異: - IGCT:IGCT采用橫向結(jié)構(gòu)
2023-11-17 14:23:151440 IGCT和IGBT是兩種不同的電力電子器件,它們?cè)趹?yīng)用、特性、結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)等方面存在一些差異。下面將詳細(xì)介紹IGCT和IGBT的區(qū)別。 工作原理:IGCT是一種電流型器件,其工作原理是基于晶閘管的結(jié)構(gòu)
2023-11-24 11:40:53999 廣州廣汽部件有限公司是廣汽集團(tuán)全資子公司,在珠三角、長(zhǎng)三角和華中等地設(shè)有47家分公司以及1家技術(shù)中心,員工總數(shù)超過(guò)2萬(wàn)人。而其合作伙伴中車時(shí)代半導(dǎo)體則為中車時(shí)代電氣集團(tuán)全資子公司,在大功率晶閘管、IGCT、IGBT以及SiC器件及其組件方面擁有頂尖技術(shù)
2023-12-15 15:33:29309 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和IGCT(Integrated Gate Commutated Thyristor)是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域兩種常見的功率
2023-12-25 15:09:09399 IGCT 可以由柵極信號(hào)控制導(dǎo)通和關(guān)斷,與GTO 晶閘管相比具有較低的傳導(dǎo)損耗,并能承受更高的電壓上升速率,使得其在大多數(shù)應(yīng)用上不需要緩沖器。?
2024-01-18 16:15:43116
評(píng)論
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