1月7日消息,三星電子已開始批量生產(chǎn)基于極紫外(EUV)技術(shù)的6nm(nm)半導(dǎo)體芯片。該公司自開始大規(guī)模生產(chǎn)7nm產(chǎn)品以來,僅在八個月內(nèi)就推出了6nm產(chǎn)品。三星的微加工工藝技術(shù)升級周期正在縮短。特別是,向6nm EUV工藝的過渡有望縮小與***臺積電(TSMC)的差距,臺積電是全球第一大晶圓代工廠。
三星電子去年12月在京畿道華城校區(qū)S3線開始批量生產(chǎn)基于EUV技術(shù)的6nm產(chǎn)品。三星合作伙伴公司的一位人士說:“我知道6nm產(chǎn)品已經(jīng)交付給北美的大型企業(yè)客戶?!卑雽?dǎo)體行業(yè)觀察家認為,三星的6nm產(chǎn)品將提供給全球第二大無晶圓廠公司高通。
此前,三星電子于去年4月向全球客戶提供7nm產(chǎn)品。生產(chǎn)6nm產(chǎn)品僅用了八個月的時間。與7nm產(chǎn)品相比,6nm產(chǎn)品提供了改進的半導(dǎo)體邏輯尺寸,功率和性能。
通過開始批量生產(chǎn)6nm產(chǎn)品,三星電子給臺積電施加了壓力。全球市場研究公司TrendForce表示,去年第四季度,臺積電占全球晶圓代工市場的52.7%,與三星電子的差距擴大到17.8%。
三星電子未能趕超臺積電的主要原因是,這家韓國半導(dǎo)體巨頭在16nm和12nm工藝之后開發(fā)7nm工藝的時間很晚。臺積電實際上通過其7nm技術(shù),(最大的無晶圓廠客戶)壟斷了蘋果的AP供應(yīng)。
相比之下,三星電子在2014年首次將14nm鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)工藝商業(yè)化,但在7nm工藝開發(fā)中卻失去了臺積電的領(lǐng)先優(yōu)勢。目前,7nm產(chǎn)品在三星銷售中所占的份額很小。為了克服這個問題,三星正在加緊努力以縮短7nm以下亞微米制造工藝的開發(fā)周期。
繼大量生產(chǎn)6nm產(chǎn)品之后,三星電子計劃在今年上半年推出5nm產(chǎn)品。此外,三星電子可能會在今年上半年量產(chǎn)3nm產(chǎn)品,這是基于GAA技術(shù)的3nm工藝的開發(fā),該工藝克服了半導(dǎo)體的局限性。一些業(yè)內(nèi)人士表示,小型化也處于發(fā)展的最后階段。
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