據(jù)快科技報道,今(20)日,三星宣布,在韓國華城工業(yè)園新開一條專司EUV(極紫外光刻)技術的晶圓代工產線V1,最次量產7nm。
據(jù)了解,V1產線于2018年2月動工,2019年下半年開始測試晶圓生產,首批產品今年一季度向客戶交付。目前,V1已經投入7nm和6nm EUV移動芯片的生產工作,規(guī)劃未來可代工到最高3nm尺度。
根據(jù)三星安排,在2020年底前,V1產線的總投入將達60億美元,7nm以下先進工藝的總產能將是2019年的3倍。三星制造業(yè)務總裁ES Jung博士稱,V1產線將和S3產線一道,幫助公司拓展客戶,響應市場需求。
現(xiàn)在三星在全球已有6家晶圓廠,包括1家8英寸,5家12英寸。此前,三星電子曾表示,計劃到2030年將投資133萬億韓元升級半導體業(yè)務。
根據(jù)計劃,133萬億韓元的投資中有73萬億韓元是技術研發(fā)費用,60萬億韓元是建設晶圓廠基礎設施,預計會創(chuàng)造1.5萬個就業(yè)機會,而三星的目標是在2030年時不僅保持存儲芯片的領先,還要在邏輯芯片成為領導者。
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