臺(tái)積電3nm試量產(chǎn)延期，A14處理器量產(chǎn)推遲

3月31日訊，在新冠肺炎疫情嚴(yán)峻的形勢下，供應(yīng)鏈傳出消息稱，臺(tái)積電3 nm 試產(chǎn)線安裝被迫延后，原定 6 月裝機(jī)的安排將延遲到 10 月。供應(yīng)鏈表示，臺(tái)積電原定今年底提前試產(chǎn) 3 nm 制程的計(jì)劃，也將延至明年年初，但應(yīng)會(huì)如該公司原計(jì)劃般在 2022 年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

對于該消息，臺(tái)積電表示，過去并未正式發(fā)布 3nm試量產(chǎn)時(shí)程，3nm 試產(chǎn)時(shí)程延后是外界揣測，不評論外界揣測。臺(tái)積電指出，5nm制程是目前發(fā)展的重點(diǎn)，依進(jìn)度發(fā)展。公司預(yù)計(jì)上半年率先量產(chǎn) 5nm，維持競爭優(yōu)勢。

據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈最新消息稱，iPhone 12的準(zhǔn)備工作依然正在進(jìn)行，蘋果不會(huì)輕易推遲它的發(fā)布，因?yàn)檫@個(gè)新品對它們至關(guān)重要。

據(jù)悉，臺(tái)積電仍將于下個(gè)月為蘋果公司量產(chǎn)A14處理，雖然近日有消息稱A14處理器的量產(chǎn)日期將推遲1——2個(gè)季度。

在當(dāng)前環(huán)境下，臺(tái)積電5nm芯片生產(chǎn)線仍排滿了訂單，將按計(jì)劃于4月份為蘋果量產(chǎn)A14處理器。A系列芯片的生產(chǎn)通常在4月至5月份開始，因此，這意味著臺(tái)積電此次量產(chǎn)A14處理器是如期進(jìn)行，并未受到其他因素的影響。

自2016年以來，臺(tái)積電一直都是蘋果“A系列”處理器的獨(dú)家供應(yīng)商。其中，A10處理器采用16納米制造工藝，A11采用10納米工藝，A12采用7納米工藝，去年的A13采用7納米工藝+極紫外光刻工藝。而今年，臺(tái)積電將使用5納米技術(shù)來生產(chǎn)A14處理器。

之前有消息稱，今年只有兩款高端iPhone，也就是iPhone 12 Pro 和iPhone 12 Pro Max會(huì)采用ToF傳感器。ToF傳感器會(huì)為iPhone帶來全新 AR 體驗(yàn)。蘋果還會(huì)推出專門的AR應(yīng)用，增強(qiáng)可玩性。

今年蘋果將會(huì)推出4款5G手機(jī)，其都會(huì)使用臺(tái)積電的5nm A14處理器，相比上一代A13來說，更先進(jìn)的架構(gòu)下，新的A14表現(xiàn)出的性能也必然更強(qiáng)大。從之前曝光的A14處理器的跑分（蘋果A14有可能成為首個(gè)正式超過3GHz的ARM手機(jī)處理器）看，其頻率堆到了3.1GHz，GK5單核1658分，多核4612分。

A14的提升到底有多大？A13的單核、多核是1329、3468分，對比一下的話，A14的單核性能提升了25%，多核提升了33%，很顯然今年A14又是默秒全安卓陣營了。

業(yè)內(nèi)人士表示，3 nm 是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷年來最大手筆的投資，更是龍頭爭霸的關(guān)鍵戰(zhàn)役。據(jù)悉，臺(tái)積電在中國臺(tái)灣的 3 nm 計(jì)劃投資總額逾 1.5 萬億元新臺(tái)幣。不過，三星追趕臺(tái)積電的企圖也一直沒有停過。三星在 14 nm 制程上大幅落后臺(tái)積電，之后的 10 nm、7 nm 更被臺(tái)積電大幅領(lǐng)先，三星因此跳過 5 nm，決定在 3 nm 方面縮小與臺(tái)積電差距，并規(guī)劃在 2030 年前投資 1160 億美元，打造非內(nèi)存的半導(dǎo)體王國。

面對三星追趕，臺(tái)積電并不畏戰(zhàn)，因?yàn)榕_(tái)積電在 5 nm 已取得壓倒性勝利，幾乎囊括了全年能夠參與 5 nm 制程的所有客戶，包括蘋果、海思、AMD、高通等，這些客戶未來也將是少數(shù)能參與 3 nm 競賽的半導(dǎo)體廠。

臺(tái)積電在 3 nm 方面計(jì)劃始終低調(diào)，僅在多次法說會(huì)中揭露量產(chǎn)時(shí)間落在 2022 年，但一直未透露技術(shù)規(guī)范。不過值得一提的是，臺(tái)積電原定于 4 月 29 日在美國圣塔克拉拉舉行北美技術(shù)論壇公布 3 nm 制程細(xì)節(jié)，但受新冠肺炎疫情全球蔓延影響，臺(tái)積電決定將今年第一場舉行的北美技術(shù)論壇延后至 8 月 24 日，其他地區(qū)的技術(shù)研討會(huì)則于 9 月重新安排。

目前，臺(tái)積電并無調(diào)整第 1 季度運(yùn)營目標(biāo)的計(jì)劃，季營收將達(dá)約 102 億至 103 億美元，預(yù)計(jì)季減約 1.3%，表現(xiàn)將淡季不淡。不過業(yè)內(nèi)人士也預(yù)期，新冠肺炎疫情對臺(tái)積電運(yùn)營的影響恐將在第 2 季逐步顯現(xiàn)，臺(tái)積電第 2 季可能面臨客戶庫存調(diào)節(jié)影響，業(yè)績將較第 1 季滑落。

在半導(dǎo)體公司進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)之后，全球有能力有機(jī)會(huì)跟進(jìn)的只剩下Intel、臺(tái)積電、三星三家公司了，其中三星的3nm工藝將轉(zhuǎn)向GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝，臺(tái)積電的3nm相對保守些，第一代還是FinFET工藝。

臺(tái)積電原本在4月份舉行技術(shù)論壇會(huì)議，揭秘3nm工藝的計(jì)劃，不過因?yàn)橐咔橛绊?，現(xiàn)在已經(jīng)延期到了8月底。

此外，3nm工藝的試產(chǎn)計(jì)劃恐怕也要延期了，原計(jì)劃在6月份風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，但是因?yàn)樽钚乱咔榈穆樱雽?dǎo)體裝備及安裝人員都無法按期完成，試產(chǎn)時(shí)間將延期到10月份。

相應(yīng)地，臺(tái)積電南科18廠的3nm生產(chǎn)線也會(huì)順延一個(gè)季度，原本在10月份安裝設(shè)備，現(xiàn)在也要到2021年初了。

不過對臺(tái)積電來說，今年最大的風(fēng)險(xiǎn)還是5nm工藝，正常情況應(yīng)該是在Q2季度末，也就是6月份開始量產(chǎn)蘋果的A14處理器，還有華為的麒麟1020處理器，但是因?yàn)橐咔閷?dǎo)致供應(yīng)鏈及需求放緩，此前傳聞蘋果A14處理器要延期3個(gè)月量產(chǎn)拉貨，這將影響臺(tái)積電Q3季度運(yùn)營表現(xiàn)。

3nm制程是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷年最大手筆投資，更是龍頭爭霸的關(guān)鍵戰(zhàn)役。臺(tái)積電將投資總額逾1.5兆元的3納米計(jì)劃留在臺(tái)灣，奠定中國臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造重心，也掀起強(qiáng)大的群聚效應(yīng)。

不過，三星追趕臺(tái)積電的企圖一直沒有停過，三星在14納米制程大幅落后臺(tái)積電后，隨后的10nm、7nm制程更被臺(tái)積電大幅領(lǐng)先，三星因而跳過5nm，直接決戰(zhàn)3nm制程，計(jì)劃在2030年前投資1160億美元，希望超越臺(tái)積電成為全球第一大晶圓代工廠。

臺(tái)積電目前在5nm制程已取得壓倒性勝利，幾乎囊括全年能夠參與5nm制程的所有客戶，包括蘋果、海思、超微、高通，這些客戶未來也將是少數(shù)能參與3nm競賽的半導(dǎo)體廠。但臺(tái)積電在3nm計(jì)劃始終維持低調(diào)，在多次的法說會(huì)只揭露2022年量產(chǎn)時(shí)程，堅(jiān)持不對外透露制程技術(shù)。

這場半導(dǎo)體雙強(qiáng)的3nm爭霸，原本在臺(tái)積電總裁魏哲家宣布臺(tái)積電將于四月二十九日圣塔克拉拉舉行北美技術(shù)論壇公布3nm制程，再度引爆戰(zhàn)火。但臺(tái)積電稍早在官網(wǎng)已決定將論壇延至八月二十四日，其他地區(qū)的技術(shù)研討會(huì)將在九月重新安排。

此外，臺(tái)積電原訂六月于竹科十二Ｂ廠裝設(shè)3nm試產(chǎn)線，也因歐美疫情升高，相關(guān)關(guān)鍵設(shè)備無法如期交貨，裝機(jī)人員也受到境外人士不能抵臺(tái)等限制，無法如期裝設(shè)，臺(tái)積電供應(yīng)鏈透露將延至今年十月裝設(shè)。

至于南科十八廠原訂今年十月也裝設(shè)一條3nm試產(chǎn)線，預(yù)料也將向后延至少1nm，換句話說，臺(tái)積電原訂今年底提前試產(chǎn)3nm制程計(jì)劃，將延至明年初才會(huì)試產(chǎn)，但應(yīng)會(huì)如原先預(yù)定在2022年量產(chǎn)。

三星已開發(fā)首款3nm GAAFET半導(dǎo)體原型

今年年初，三星電子宣布成功開發(fā)了世界上首個(gè)3nm超細(xì)半導(dǎo)體工藝技術(shù)。三星電子在中長期愿景中也啟用了“綠色信號(hào)”，以在2030年實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)半導(dǎo)體世界第一的地位，這使超精細(xì)工藝技術(shù)的競爭對手不勝枚舉。

據(jù)三星電子在今年1月2日的報(bào)道，三星副董事長李在勇訪問了華城工廠的半導(dǎo)體研究中心，以接收有關(guān)三星電子開發(fā)的全球首個(gè)3納米工藝技術(shù)的報(bào)告，以及負(fù)責(zé)三星電子，下一代半導(dǎo)體半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的設(shè)備解決方案（DS）部門總裁的報(bào)告。

據(jù)報(bào)道，三星在3nm工藝上的工作是基于全能柵極（GAAFET）技術(shù)，而不是FinFET。據(jù)稱，這將使總硅片尺寸減少35％，而功耗卻減少了約50％，并且與5nm FinFET工藝相比，功耗保持不變，性能提高了33％。

三星在一年前就宣布在3nm GAAFET工藝上進(jìn)行工作，當(dāng)時(shí)它說它的目標(biāo)是在2021年實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。那在當(dāng)時(shí)被認(rèn)為是雄心勃勃的，但是如果三星已經(jīng)成功生產(chǎn)出其首批3nm原型，那么該供應(yīng)商可能比預(yù)期的要近。

GAAFET設(shè)計(jì)與FinFET設(shè)計(jì)的不同之處在于，GAAFET設(shè)計(jì)圍繞著在通道的四個(gè)側(cè)面周圍都有柵極，從而確保了減少的功率泄漏并因此改善了對通道的控制-這是縮小工藝節(jié)點(diǎn)時(shí)的基本步驟。切換到更高效的晶體管設(shè)計(jì)，再加上減小的節(jié)點(diǎn)尺寸，可以在5nm FinFET工藝上實(shí)現(xiàn)每瓦性能的巨大飛躍。

李在報(bào)告過程開發(fā)的結(jié)果時(shí)說：“過去的表現(xiàn)并不能保證未來的成功。歷史不是等待，而是成功。讓我們大膽地放棄錯(cuò)誤的做法和事故，開創(chuàng)一個(gè)新的未來。”

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