新光刻技術(shù)將會(huì)對(duì)納米芯片的發(fā)展產(chǎn)生重大影響

（文章來源：網(wǎng)絡(luò)整理）

該行業(yè)正在不斷刷新納米芯片的記錄，這無(wú)疑將為我們帶來更多的未來計(jì)算可能性。為此，來自世界各地的研究人員正在不斷努力。最近，一個(gè)國(guó)際研究小組在其報(bào)告中表示，它在納米芯片的制造方面取得了突破性進(jìn)展，或者它將對(duì)納米芯片的生產(chǎn)以及全球所有納米技術(shù)實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)生重大影響。

據(jù)報(bào)道，該研究團(tuán)隊(duì)由紐約大學(xué)工程學(xué)院化學(xué)與生物分子工程教授Riedo領(lǐng)導(dǎo)。他們表明，使用加熱到100攝氏度以上的探針進(jìn)行光刻比二維半導(dǎo)體要好（例如，制造金屬二硫化鉬（MoS2）的方法更便宜，并且有望成為替代方法）。到今天的電子束光刻。

該團(tuán)隊(duì)將這種新的制造方法稱為熱掃描探針光刻（t-SPL），它比當(dāng)今的電子束光刻（EBL）更具優(yōu)勢(shì)：首先，熱光刻技術(shù)取得了重大進(jìn)展。一維晶體管的質(zhì)量抵消了肖特基勢(shì)壘，并阻礙了金屬和二維襯底的結(jié)點(diǎn)處的電子流動(dòng)。與EBL不同，熱光刻技術(shù)使芯片設(shè)計(jì)人員可以輕松地對(duì)半導(dǎo)體尺寸進(jìn)行成像，然后在需要時(shí)對(duì)電極進(jìn)行構(gòu)圖。此外，熱掃描探針光刻（t-SPL）制造系統(tǒng)有望從一開始就節(jié)省成本。最后，通過使用平行熱探針，熱制造方法可以輕松地?cái)U(kuò)展到大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。

Elisa Riedo教授和博士生Liu Xiangyu他們使用熱掃描探針光刻技術(shù)和SwissLitho的NanoFrazor設(shè)備在紐約大學(xué)Tandon工程學(xué)院的PicoForce實(shí)驗(yàn)室生產(chǎn)高質(zhì)量的2D芯片。

Riedo博士希望t-SPL最終能夠從實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)移到工廠進(jìn)行批量生產(chǎn)。為了實(shí)現(xiàn)這一愿景，研究人員仍然需要繼續(xù)努力，以快速推進(jìn)材料科學(xué)和芯片設(shè)計(jì)。有一天，這些t-SPL工具的分辨率將小于10納米，并且將在標(biāo)準(zhǔn)環(huán)境條件下使用120伏電源運(yùn)行。

實(shí)際上，Riedo在熱測(cè)試方面的經(jīng)驗(yàn)可以追溯到十年以上，首先是在IBM Research-Zurich，然后是紐約城市大學(xué)研究生中心（CUNY）的高級(jí)科學(xué)研究中心（ASRC）。
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