三星發(fā)現(xiàn)a-BN新材料，有望用于大規(guī)模服務(wù)器的下一代內(nèi)存解決方案中

據(jù)報(bào)道，三星電子今（6）日宣布，三星高級(jí)技術(shù)學(xué)院（SAIT）的研究人員與蔚山國家科學(xué)技術(shù)學(xué)院（UNIST）、劍橋大學(xué)兩家高校合作，發(fā)現(xiàn)了一種名為非晶態(tài)氮化硼（a-BN）的新材料，此項(xiàng)研究可能加速下一代半導(dǎo)體材料的問世。

三星表示，SAIT最近一直在研究和開發(fā)二維（2D）材料——只有一層原子的晶體材料。具體來說，研究所一直致力于石墨烯的研究與開發(fā)，并在該領(lǐng)域取得了突破性的研究成果，如開發(fā)了一種新型石墨烯晶體管，以及一種生產(chǎn)大面積單晶片級(jí)石墨烯的新方法。除了研究和開發(fā)石墨烯，SAIT一直致力于加速這種材料的商業(yè)化。

該報(bào)道稱，這種新發(fā)現(xiàn)的材料被稱為非晶態(tài)氮化硼（a-BN），由硼和氮原子組成，為非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。非晶態(tài)氮化硼是由白色石墨烯衍生而來，其中硼原子和氮原子排列成六邊形結(jié)構(gòu)，而a-BN的分子結(jié)構(gòu)實(shí)際上使其與白色石墨烯有獨(dú)特之處。

SAIT石墨烯項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、首席研究員Shin Hyeon-jin說：“為了增強(qiáng)石墨烯與硅基半導(dǎo)體工藝的兼容性，半導(dǎo)體襯底上的晶片級(jí)石墨烯生長應(yīng)在低于400攝氏度的溫度下進(jìn)行。我們也在不斷努力將石墨烯的應(yīng)用擴(kuò)展到半導(dǎo)體之外?！?/p>

無定形氮化硼具有一流的超低介電常數(shù)——1.78，具有較強(qiáng)的電氣和機(jī)械性能，可作為互連隔離材料，以減少電干擾。也證明了這種材料可以在400攝氏度的低溫下在晶圓片上生長。因此，非晶態(tài)氮化硼有望廣泛應(yīng)用于DRAM和NAND解決方案等半導(dǎo)體，特別是用于大規(guī)模服務(wù)器的下一代內(nèi)存解決方案。

對此，SAIT副總裁兼無機(jī)材料實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人Park Seong-jun表示，“最近，人們對2D材料及其衍生的新材料的興趣越來越大。然而，在現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝中應(yīng)用該材料仍存在許多挑戰(zhàn)。我們將繼續(xù)開發(fā)新材料，引領(lǐng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的轉(zhuǎn)變。”

另外，此項(xiàng)研究已發(fā)表在《自然》雜志上。

責(zé)任編輯：gt