FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)在當(dāng)前的晶圓代工領(lǐng)域可謂是大放異彩的核心技術(shù),臺(tái)積電甚至打算一路用到3nm時(shí)代。
不過,不為認(rèn)知的是,三星在過去4年的時(shí)間內(nèi),深陷FinFET專利侵權(quán)案中,直到最近才了結(jié)。
官司的原告是韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST),其在2001年在美國(guó)和韓國(guó)提交了FinFET技術(shù)相關(guān)專利,由韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院與首爾大學(xué)教授Lee Jong-ho合作開發(fā)。
2016年11月29日的時(shí)候,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院在美國(guó)德克薩斯對(duì)三星、高通和格芯(GlobalFounderies)提起了FinFET專利侵權(quán)訴訟。據(jù)說,Intel是乖乖交過了相關(guān)“保護(hù)費(fèi)”。
2018年6月和2019年2月,KAIST先后兩次起訴三星,聲稱后者生產(chǎn)的7nm、8nm、10nm、11nm、14nm手機(jī)應(yīng)用處理器均涉侵權(quán)之列,要求4億美元賠償。今年2月,法院判令三星賠償2億美元。
目前該案已和解,和解細(xì)節(jié)不詳。
責(zé)編AJX
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