假設(shè)一百年或者幾百年之后,回顧 2018 年到 2019 年的大國關(guān)系,未來的人們可能發(fā)明一個(gè)新詞,或許就叫做芯片戰(zhàn)爭。雖然這種戰(zhàn)爭暫時(shí)還沒聽到槍炮聲響和看到硝煙,但是對未來世界格局的深遠(yuǎn)影響,可能不亞于一場次級別的世界大戰(zhàn)。這是因?yàn)閲@芯片這種國際商品而產(chǎn)生的交易額,是當(dāng)今全球原油交易市場總額的數(shù)倍。圍繞石油的大戰(zhàn)已經(jīng)不止一次,現(xiàn)在圍繞芯片開始的激烈斗爭,也將重構(gòu)二十一世紀(jì)上半葉的基本世界格局。那么現(xiàn)在大家?guī)缀跆焯炻牭叫酒@個(gè)詞。那么芯片到底是什么,為何設(shè)計(jì)和生產(chǎn)芯片成了一門高技術(shù),對大多數(shù)人來說,恐怕都是半懂半不懂,或假裝聽得懂,也算一種基本態(tài)度。芯片說到底,其實(shí)就是一種微電路。那么什么又是電路?打開電腦的機(jī)箱,或者任何一種有程序化功能的電器內(nèi)部,都會看到電路板。芯片就是一種極度微小但功能強(qiáng)大的微縮邏輯電路。
現(xiàn)代集成電路是由基爾比在 1958 年發(fā)明的。因此榮獲 2000 年諾貝爾物理獎(jiǎng),實(shí)用集成電路的發(fā)明人是諾伊斯,因過世早而未能同時(shí)獲獎(jiǎng),諾貝爾所有獎(jiǎng)項(xiàng)只發(fā)給在世的人。集成電路可以把很大數(shù)量的微晶體管集成到一個(gè)小的純硅的薄片上,這是一個(gè)巨大的進(jìn)步。集成電路相對離散晶體管有兩個(gè)主要優(yōu)勢:成本和性能。成本低是由于芯片把所有的組件通過照相平版技術(shù),作為一個(gè)單位印刷,而不是在一個(gè)時(shí)間只制作一個(gè)晶體管。性能高是由于組件快速開關(guān),消耗更低能量,因?yàn)榻M件很小且彼此靠近?,F(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入納米級,比如 7 納米級的芯片,一平方厘米面積內(nèi)就可以集成 64 個(gè)億的微元件,已經(jīng)接近物理規(guī)律的極限,再靠的更近,電子可能就直接穿透了電路之間的空間自然隔離,導(dǎo)致芯片電路自然失效了,這就是摩爾定律在微電子領(lǐng)域內(nèi)的作用。
先進(jìn)的集成電路是微處理器或多核處理器的核心,可以控制計(jì)算機(jī)到手機(jī)等一切電子設(shè)備。雖然設(shè)計(jì)開發(fā)一個(gè)復(fù)雜集成電路的成本非常高,但是當(dāng)分散到通常以億計(jì)的產(chǎn)品上,每個(gè)集成電路的成本最小化。最終利潤就足夠豐厚。
制作芯片的基礎(chǔ)材料是單晶硅薄片。單晶硅是經(jīng)過早年的多次試驗(yàn)后,認(rèn)為是最合適的大規(guī)模制作集成電路的半導(dǎo)體材料。成為集成電路主流的基層。硅元素在地球地殼中含量很高,比如沙子水泥都含有大量的硅元素,但是能利用的是純度極高的單晶硅,也就是提煉出不含億分之一雜質(zhì)的硅結(jié)晶,這種結(jié)晶體,直徑越粗壯越好,越大的結(jié)晶,可以切割成直徑越大的圓盤薄,在這種薄片上可以印刷更多的呈現(xiàn)長方形的小芯片。單晶硅圓盤的制作直徑,是芯片加工企業(yè)的第一個(gè)技術(shù)高低的指標(biāo)。過去研發(fā)無缺陷純單晶硅晶體的方法就用了數(shù)十年的時(shí)間。制作芯片的基材,除了使用單晶硅,還有 III-V 族材料,比如砷化鎵也可以。
現(xiàn)在流水線式的單晶硅芯片的制作完整過程包括芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、測試等幾個(gè)環(huán)節(jié),其中晶片制作過程尤為的復(fù)雜。首先是芯片設(shè)計(jì),根據(jù)設(shè)計(jì)的需求,生成的“圖樣”。而制造芯片的原料是晶圓。晶圓的成分是純硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅加以純化 99.9999999%,接著是將這些純硅制成硅晶棒,成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料,將其切片就是芯片制作具體所需要的晶圓。晶圓越薄,直徑越大生產(chǎn)的成本越低,但對工藝就要求的越高。
然后對晶圓進(jìn)行涂膜,涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種。再往后是晶圓的光刻顯影、蝕刻。光刻工藝的基本流程。首先是在晶圓或襯底表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過一個(gè)掩模,把掩模上的圖形投影在晶圓表面的光刻膠上,實(shí)現(xiàn)曝光,激發(fā)光化學(xué)反應(yīng)。對曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤,即所謂的曝光后烘烤,后烘烤是的光化學(xué)反應(yīng)更充分。最后,把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上,對曝光圖形顯影。顯影后,掩模上的圖形就被存留在了光刻膠上。如果看不明白這一點(diǎn),就可以把晶圓看做老式膠卷照相機(jī)的顯影工藝。
涂膠、烘烤和顯影都是在勻膠顯影機(jī)中完成的,曝光是在光刻機(jī)中完成的。勻膠顯影機(jī)和光刻機(jī)一般都是聯(lián)機(jī)作業(yè)的,晶圓通過機(jī)械手在各單元和機(jī)器之間傳送。整個(gè)曝光顯影系統(tǒng)是封閉的,晶圓不直接暴露在周圍環(huán)境中,以減少環(huán)境中有害成分對光刻膠和光化學(xué)反應(yīng)的影響。
這個(gè)復(fù)雜的過程使用了對紫外光敏感的化學(xué)物質(zhì),即遇紫外光則變軟。通過控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蝕劑,使得其遇紫外光就會溶解。這時(shí)可以用上第一份遮光物,使得紫外光直射的部分被溶解,這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了,而這效果正是所要的。
下一個(gè)工序是摻加雜質(zhì),將晶圓中植入離子,生成相應(yīng)的 P、N 類半導(dǎo)體。具體工藝是從硅片上暴露的區(qū)域開始,放入化學(xué)離子混合液中。經(jīng)過上面的幾道工藝之后,晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)格狀的晶粒。通過針測的方式對每個(gè)晶粒進(jìn)行電氣特性檢測。將制造完成晶圓固定,綁定引腳,按照需求去制作成各種不同的封裝形式。經(jīng)過上述工藝流程以后,芯片制作就已經(jīng)全部完成了,最后步驟是將芯片進(jìn)行測試、剔除不良品,最后包裝上市。
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