GaN將徹底改變數(shù)據(jù)中心電源 數(shù)據(jù)中心市場是下一個角逐點

高可靠性，高性能氮化鎵功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品供應(yīng)商Transphorm與貝爾集團（Bel Group）聯(lián)合宣布Bel的鈦效率電源中使用了六個Transphorm的高壓GaN FET，這表明，氮化鎵在數(shù)據(jù)中心服務(wù)器，路由器和網(wǎng)絡(luò)交換機中部署了高性能，寬帶隙電源單元（PSU）中保持著增長趨勢。

六個基于GaN的TET系列PSU是交流到直流電源。其中包括TET3000系列，這是業(yè)界首款可實現(xiàn)鈦效率的AC-DC電源，其中GaN被用于AC-DC無橋圖騰柱功率因數(shù)校正（PFC）功率級，該產(chǎn)品此后可根據(jù)客戶對高功率輸出的興趣，相同的電路經(jīng)過固件改進后的變體為TET3200系列。其余四個TET系列的功率范圍為1.5到2.5 kW，在標準1U或通用冗余電源（CRPS）機架安裝中。整個系列在高電壓下的效率高達96％，主輸出為12 VDC，從而使PSU獲得80 Plus Titanium等級。

GaN：徹底改變數(shù)據(jù)中心電源

與硅（Si）相比，氮化鎵功率轉(zhuǎn)換器在功率應(yīng)用中具有根本優(yōu)勢。具體來說，Transphorm的GaN FET已被證明可以將AC到DC PFC級的效率提高到99％以上，從而在降低整體系統(tǒng)成本的同時提高了功率密度（以相同的外形尺寸提供了更多的功率），所有這些均具有高的現(xiàn)場可靠性（《1.0 FIT）。

由于這些優(yōu)勢，預(yù)計在未來幾年中GaN功率晶體管的使用將迅速增加。實際上，Omdia最近預(yù)測，從2019年到2024年，數(shù)據(jù)中心電源中使用的GaN功率晶體管的總體復(fù)合年增長率（CAGR）將為66.5％。

Bel的業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理Ian Warner表示：“我們的優(yōu)勢是與大型數(shù)據(jù)中心合作，創(chuàng)建了針對性的電源解決方案產(chǎn)品線，這些產(chǎn)品通過利用尖端技術(shù)來為客戶廣泛的應(yīng)用提供服務(wù)。我們與Transphorm的GaN一起進行設(shè)計已有六年多了。迄今為止，我們已經(jīng)實現(xiàn)的效率和可靠性幫助我們創(chuàng)建了TET系列產(chǎn)品，其解決方案超出了客戶的期望。我們正在改變數(shù)據(jù)中心的可能性，而Transphorm正是這一趨勢的推動者?！?/p>

GaN供電的TET系列系列

Transphorm的GaN具有多個TET系列，其中包括Bel的鈦效率前端AC-DC電源系列，其中包括：

Transphorm全球技術(shù)營銷和北美銷售副總裁Philip Zuk表示：“過去幾年中，高壓GaN對行業(yè)產(chǎn)生了積極影響。數(shù)據(jù)中心市場是下一個。Transphorm的技術(shù)性能在各種應(yīng)用中均超過10 kW。我們的設(shè)備成本正在逐步降低，越來越接近傳統(tǒng)硅。并且，我們?yōu)橘|(zhì)量和可靠性設(shè)定了行業(yè)基準。我們在該領(lǐng)域無與倫比，使我們的GaN器件成為數(shù)據(jù)中心解決方案的最佳選擇?！?/p>

編輯：hfy