長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目廠區(qū)“心臟”封頂

10月7日消息，據(jù)長(zhǎng)沙晚報(bào)報(bào)道，總投資160億元的長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目國(guó)慶長(zhǎng)假期間未停工，其中為主廠房提供動(dòng)力的主要輔助建筑——C2綜合動(dòng)力站日前已率先完成封頂。同時(shí)，項(xiàng)目最大單體建筑M2B碳化硅芯片生產(chǎn)廠房全面進(jìn)入主體施工收尾階段。

施工現(xiàn)場(chǎng)，項(xiàng)目工地內(nèi)多個(gè)建筑主體已初現(xiàn)雛形，工人們正穿著雨衣進(jìn)行施工作業(yè)，或搭設(shè)腳手架，或綁鋼筋、支模板，現(xiàn)場(chǎng)“抓進(jìn)度 保質(zhì)量 確保三安明年6月試產(chǎn)”的標(biāo)語格外顯眼，工人叮叮當(dāng)當(dāng)?shù)那么蚵暋?a target="_blank">機(jī)械設(shè)備作業(yè)的轟鳴聲回蕩在工地上。

中建五局三公司三安項(xiàng)目負(fù)責(zé)人周祥介紹，C2綜合動(dòng)力站建筑面積約1萬平方米，是廠區(qū)的“心臟”，主要包括熱水系統(tǒng)、冷卻水系統(tǒng)、壓縮空氣系統(tǒng)、發(fā)電系統(tǒng)等?！俺藙?dòng)力站封頂，項(xiàng)目最大單體建筑M2B碳化硅芯片生產(chǎn)廠房全面進(jìn)入主體施工收尾階段。”周祥說，憑借過硬的專業(yè)技術(shù)，項(xiàng)目部近日順利完成了M2B碳化硅芯片生產(chǎn)廠房華夫板澆筑，這也是廠房最難的施工部分。據(jù)悉，M2B碳化硅芯片廠房是該項(xiàng)目一標(biāo)段30個(gè)單體中建筑面積最大、潔凈等級(jí)要求最高的廠房。

今年6月16日晚間，三安光電發(fā)布公告稱，計(jì)劃以現(xiàn)金投資160億元，在湖南省長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目。

據(jù)公告介紹，該項(xiàng)目包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長(zhǎng)晶—襯底制作—外延生長(zhǎng)—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，投資總額160億元。

6月15日，三安光電已與長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》。根據(jù)計(jì)劃，三安光電將在用地各項(xiàng)手續(xù)和相關(guān)條件齊備后24個(gè)月內(nèi)完成一期項(xiàng)目建設(shè)并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，48個(gè)月內(nèi)完成二期項(xiàng)目建設(shè)和固定資產(chǎn)投資并實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)，72個(gè)月內(nèi)實(shí)現(xiàn)達(dá)產(chǎn)。

對(duì)于具體開發(fā)建設(shè)的產(chǎn)品，三安光電方面表示，主要研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiCMOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiCMOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET等。對(duì)于此次投資，三安光電方面認(rèn)為：“第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目有著廣闊的市場(chǎng)需求，現(xiàn)處于發(fā)展階段。本次投資項(xiàng)目符合國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策規(guī)劃，符合公司產(chǎn)業(yè)發(fā)展方向和發(fā)展戰(zhàn)略，有利于提升公司行業(yè)地位及核心競(jìng)爭(zhēng)力?！?/p>

7月20日，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目正式開工。據(jù)長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員介紹稱，長(zhǎng)沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目，總占地面積1000畝，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。

當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車、5G、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、半導(dǎo)體照明、消費(fèi)類電子、航天等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

資料顯示，三安光電早在2014年就已經(jīng)通過投資三安集成發(fā)展砷化鎵，成為大陸第一家研發(fā)與生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體的廠商。2017年底，三安光電更斥資人民幣333億元，在福建泉州南安高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)投資第三代化合物半導(dǎo)體材料。包含高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；高端砷化鎵LED外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。2019年4月26日，三安光電發(fā)布公告稱，擬投資120億元在湖北省葛店經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)興辦Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目，主要生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)Mini／Micro LED外延與芯片產(chǎn)品及相關(guān)應(yīng)用的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。2019年11月，三安光電宣布募資投入總投資金額138.05億元的半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目（一期），該項(xiàng)目也涉及氮化鎵芯片的研發(fā)、生產(chǎn)。目前，三安光電已經(jīng)成為了國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體的龍頭企業(yè)。

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