韓國加快研發(fā)EUV光刻技術(shù)，專利申請(qǐng)量猛增

援引韓媒 BusinessKorea 報(bào)道，以三星為代表的韓國企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)方面取得了極大進(jìn)展。根據(jù)對(duì)韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局（KIPO）過去十年（2011-2020）的 EUV 相關(guān)專利統(tǒng)計(jì)，在 2014 年達(dá)到 88 項(xiàng)的頂峰，2018 年為 55 項(xiàng)，2019 年為 50 項(xiàng)。

特別需要注意的是，韓國企業(yè)在 EUV 光刻技術(shù)上一直不斷縮和國外企業(yè)之間的差距。在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局 2019 年收錄的 50 項(xiàng)專利中，其中 40 項(xiàng)是由韓國人提交的，只有 10 項(xiàng)是外國人提交的。這也是韓國人提交的專利首次超過外國人。到 2020 年，韓國提交的申請(qǐng)也將是外國人申請(qǐng)的兩倍以上。

EUV 光刻技術(shù)整合到多種先進(jìn)技術(shù)，包括多層反射鏡、多層膜、防護(hù)膜、光源等等。在過去十年里，包括三星電子在內(nèi)的全球公司進(jìn)行了深入的研究和開發(fā)，以確保技術(shù)領(lǐng)先。最近，代工公司開始使用 5 納米 EUV 光刻技術(shù)來生產(chǎn)智能手機(jī)的應(yīng)用處理器（AP）。

如果按照公司劃分，前六家公司占到總專利申請(qǐng)量的 59%。其中卡爾蔡司（德國）占18％，三星電子（韓國）占15％，ASML（荷蘭）占11％，S＆S Tech（韓國）占8％，臺(tái)積電（中國臺(tái)灣）為6％，SK海力士（韓國）為1％。

如果按照詳細(xì)的技術(shù)項(xiàng)目來劃分，處理技術(shù)（process technology）的專利申請(qǐng)量占32％；曝光設(shè)備技術(shù)（exposure device technology）的專利申請(qǐng)量占31％；膜技術(shù)（mask technology）占比為 28%，其他為 9%。

在工藝技術(shù)領(lǐng)域，三星電子占39％，臺(tái)積電占15％，這意味著兩家公司占54％。在膜領(lǐng)域，S＆S Tech占28％，Hoya（日本）占15％，Hanyang University（韓國）占10％，Asahi Glass（日本）占10％，三星電子占9％。