0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

臺積電表示已經(jīng)部署了全球約50%的極紫外光刻設(shè)備

中國半導(dǎo)體論壇 ? 來源:中國半導(dǎo)體論壇 ? 作者:中國半導(dǎo)體論壇 ? 2020-11-19 14:10 ? 次閱讀

今年早些時候,臺積電(TSMC)表示已經(jīng)部署了全球約50%的極紫外光刻設(shè)備(EUV),這意味著臺積電使用的EUV光刻機(jī)數(shù)量比業(yè)內(nèi)其他任何公司都多。根據(jù)DigiTimes的報(bào)道,臺積電計(jì)劃保持領(lǐng)先地位,并已經(jīng)訂購了至少13臺ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī),據(jù)悉花費(fèi)超120億元人民幣。

盡管尚不清楚確切的交付和安裝時間表,但這些設(shè)備將在2021年全年交付。同時,臺積電明年的實(shí)際需求可能高達(dá)16 – 17臺EUV光刻機(jī),因?yàn)樵摴菊谑褂镁哂蠩UV層的制造技術(shù)來提高產(chǎn)量。臺積電尚未確認(rèn)該報(bào)告。

目前,臺積電使用ASML的Twinscan NXE EUV光刻機(jī)在其N7 +和N5節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)商用芯片,但該公司將在接下來的幾個季度中增加N6(實(shí)際上定于2020年第四季度或2021年第一季度進(jìn)入HVM)以及還具有EUV層的N5P流程。

臺積電對EUV光刻機(jī)的需求隨著其技術(shù)變得越來越復(fù)雜并采用了需要使用極紫外光刻工具進(jìn)行處理的更多層而不斷增加。

責(zé)任編輯:lq

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 臺積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    43

    文章

    5595

    瀏覽量

    165971
  • 光刻機(jī)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    1142

    瀏覽量

    47179
  • 光刻設(shè)備
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    21

    瀏覽量

    6487

原文標(biāo)題:120億!臺積電再購13臺EUV光刻機(jī)!

文章出處:【微信號:CSF211ic,微信公眾號:中國半導(dǎo)體論壇】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    紫外光源的分類

    自然界中存在多種紫外光譜,人工紫外光源包括氣體放電、超高溫輻射體和半導(dǎo)體光源。常用紫外光源有高壓汞燈、氙燈、氪燈、氘燈、紫外LED和準(zhǔn)分子激光器等,各有特定波長、工作電壓和光功率。
    的頭像 發(fā)表于 10-25 14:10 ?95次閱讀

    日本大學(xué)研發(fā)出新紫外(EUV)光刻技術(shù)

    近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限,其設(shè)計(jì)的
    的頭像 發(fā)表于 08-03 12:45 ?826次閱讀

    友思特分享 完美聚光:用于光刻曝光的UV-LED光引擎

    LED替代汞燈在紫外光源中的使用已成為大勢所趨。友思特先進(jìn)的 UV-LED-EXP 系統(tǒng)可作為OEM集成、汞燈光刻設(shè)備改造或直接定制光路設(shè)計(jì)和曝光設(shè)備,為
    的頭像 發(fā)表于 06-26 16:16 ?474次閱讀
    友思特分享 完美聚光:用于<b class='flag-5'>光刻</b>曝光的UV-LED光引擎

    今日看點(diǎn)丨ASML今年將向電、三星和英特爾交付High-NA EUV;理想 L9 出事故司機(jī)質(zhì)疑 LCC,產(chǎn)品經(jīng)理回應(yīng)

    1. ASML 今年將向電、三星和英特爾交付High-NA EUV ? 根據(jù)報(bào)道,芯片制造設(shè)備商ASML今年將向電、英特爾、三星交付
    發(fā)表于 06-06 11:09 ?859次閱讀

    電轉(zhuǎn)變態(tài)度?秘密訪問ASML總部引發(fā)行業(yè)關(guān)注

    宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域,已有數(shù)設(shè)備投入其芯片制造部門使用。據(jù)透露,英特爾正計(jì)劃在即將推出的18A(1.8納米)工藝節(jié)點(diǎn)中試行高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù),并將
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:02 ?646次閱讀

    電都嫌貴的光刻機(jī),大力推玻璃基板,英特爾代工的野心和危機(jī)

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/吳子鵬)此前,電高級副總裁張曉強(qiáng)在技術(shù)研討會上表示,“ASML最新的高數(shù)值孔徑紫外光刻機(jī)(high-NA EUV
    的頭像 發(fā)表于 05-27 07:54 ?2429次閱讀

    荷蘭阿斯麥稱可遠(yuǎn)程癱瘓光刻機(jī)

    disable)電相應(yīng)機(jī)器,而且還可以包括最先進(jìn)的紫外光刻機(jī)(EUV)。 這就意味著阿斯麥(ASML)留了后門,隨時有能力去遠(yuǎn)程癱瘓制造芯片的
    的頭像 發(fā)表于 05-22 11:29 ?5710次閱讀

    電未確定是否采購阿斯麥高數(shù)值孔徑紫外光刻機(jī)

    盡管High NA EUV光刻機(jī)有望使芯片設(shè)計(jì)尺寸縮減達(dá)三分之二,但芯片制造商需要權(quán)衡利弊,考慮其高昂的成本及ASML老款設(shè)備的可靠性問題。
    的頭像 發(fā)表于 05-15 09:34 ?374次閱讀

    光刻機(jī)的基本原理和核心技術(shù)

    雖然DUVL機(jī)器可以通過多重曝光技術(shù)將線寬縮小到7-5納米,但如果要獲得更小的線寬,DUVL已經(jīng)達(dá)到了極限。采用EUV作為光源的紫外光刻(EUVL)成為研究的重點(diǎn),其波長為13.5納米。
    發(fā)表于 04-25 10:06 ?3012次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻</b>機(jī)的基本原理和核心技術(shù)

    一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的光刻

    光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除,負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
    的頭像 發(fā)表于 04-24 11:37 ?2456次閱讀
    一文讀懂半導(dǎo)體工藝制程的<b class='flag-5'>光刻</b>膠

    簡儀科技紫外光子成像技術(shù)應(yīng)用

    在面對紫外光子成像技術(shù)時,面臨著諸多挑戰(zhàn)。光子密度大、需要高頻觸發(fā)采集,以及實(shí)時計(jì)算光子位置進(jìn)行譜圖繪制,這些都對采集設(shè)備的性能提出了極高的要求。
    的頭像 發(fā)表于 03-20 09:56 ?503次閱讀
    簡儀科技<b class='flag-5'>紫外光</b>子成像技術(shù)應(yīng)用

    紫外發(fā)光二管的發(fā)光原理 紫外發(fā)光二管的結(jié)構(gòu)

    紫外發(fā)光二管是指可發(fā)出波長400nm的近紫外光的發(fā)光二管(led)。
    的頭像 發(fā)表于 02-26 16:03 ?2444次閱讀
    <b class='flag-5'>紫外</b>發(fā)光二<b class='flag-5'>極</b>管的發(fā)光原理 <b class='flag-5'>紫外</b>發(fā)光二<b class='flag-5'>極</b>管的結(jié)構(gòu)

    電新竹科技園2024年4月將裝置2nm晶圓廠設(shè)備

    有媒體報(bào)道表示,盡管這僅僅是個開始,但設(shè)備進(jìn)場標(biāo)志著晶圓廠建設(shè)的關(guān)鍵階段,因?yàn)檠b備一家晶圓工廠需要大約一年時間。為支持電N2工藝生產(chǎn)線,這家公司將需要大量阿斯麥爾股份有限公司(AS
    的頭像 發(fā)表于 12-18 14:14 ?685次閱讀

    電2024年恢復(fù)成熟制程價格折讓 幅度2%

    在上次降價3年后,ic制造企業(yè)表示,此次電將在2024年之前將部分成熟工程的價格下調(diào)2%。另一家ic企業(yè)表示:“確實(shí)正在與
    的頭像 發(fā)表于 11-27 11:39 ?719次閱讀

    三星希望進(jìn)口更多ASML EUV***,5年內(nèi)新增50

    EUV曝光是先進(jìn)制程芯片制造中最重要的部分,占據(jù)總時間、總成本的一半以上。由于這種光刻機(jī)極為復(fù)雜,因此ASML每年只能制造60,而全球5家芯片制造商都依賴ASML的EUV
    的頭像 發(fā)表于 11-22 16:46 ?695次閱讀