盡管此前臺積電堅稱無需最新型ASML高數(shù)值孔徑EUV光刻機仍能過得不錯,但如今該公司似乎對此產(chǎn)生了動搖。臺積電首席執(zhí)行官此次悄悄造訪ASML總部,暗示其態(tài)度出現(xiàn)轉(zhuǎn)變。
宿敵英特爾則積極投身于新興高數(shù)值孔徑超紫外光刻領(lǐng)域,已有數(shù)臺設(shè)備投入其芯片制造部門使用。據(jù)透露,英特爾正計劃在即將推出的18A(1.8納米)工藝節(jié)點中試行高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù),并將其正式引入14A(1.4納米)制造工藝。
相較而言,臺積電公開宣稱現(xiàn)有低噪聲EUV光刻機可支撐至2026年。對于即將面世的A16工藝節(jié)點,該公司滿足于通過工藝改良,如多重掩模提高生產(chǎn)效率及納米片晶體管設(shè)計等方式提升產(chǎn)品性能。此外,臺積電還依賴背面供電以增強其產(chǎn)品在人工智能任務(wù)中的表現(xiàn)。
值得關(guān)注的是,5月26日,臺積電首席執(zhí)行官魏哲家未出席2024年技術(shù)研討會,反而秘密拜訪了ASML位于荷蘭的總部。
據(jù)Business Korea報道,從ASML首席執(zhí)行官Christopher Fuke與通快集團首席執(zhí)行官Nicola Leibinger-Kammüller的社交媒體動態(tài)中,我們得以窺見魏哲家此行的部分細節(jié)。
按照臺積電原定計劃,該公司預計在推出基于1.6納米的產(chǎn)品之后,方才采納高數(shù)值孔徑EUV光刻技術(shù)。然而,魏哲家此次秘密訪問ASML總部的舉動令人驚訝,暗示臺積電當前發(fā)展路徑可能存在變數(shù),或正在對未來運營策略進行全面審視。
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