0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

IBM已解決QLC閃存壽命問題,實(shí)現(xiàn)1.6萬次擦寫

如意 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2020-12-08 09:40 ? 次閱讀

得益于容量大、價(jià)格低的優(yōu)勢,如今越來越多的SSD硬盤轉(zhuǎn)向QLC閃存,大家擔(dān)心的主要是QLC閃存的壽命,具體來說就是P/E擦寫次數(shù),通常在1000次左右,而IBM現(xiàn)在解決了QLC壽命問題,做到了史無前例的16000次擦寫壽命,壽命比SLC還強(qiáng)。

據(jù)報(bào)道,在最近的一次會(huì)議上,IBM閃存產(chǎn)品線CTO、院士Andy Walls介紹了他們?cè)陂W存可靠性上的最新進(jìn)展。

大家都知道QLC閃存擦寫次數(shù)有限,為此IBM開發(fā)了專門的控制器以監(jiān)視、分類閃存,這個(gè)算法可以區(qū)分閃存的健康度,健康度越高的閃存可以存放那些經(jīng)常變動(dòng)的數(shù)據(jù)(意味著經(jīng)常寫入),而健康度較低的閃存則會(huì)存放變化最小的數(shù)據(jù)。

這種優(yōu)化算法就可以將QLC閃存的耐用性提升了一倍,不過這還不是唯一的技術(shù),IBM還開發(fā)了智能數(shù)據(jù)存放技術(shù)。

在QLC閃存的早期,他們將其定義為SLC,優(yōu)勢是速度快、性能強(qiáng),缺點(diǎn)就是容量只有20%的水平,但加上他們的壓縮技術(shù),而且壓縮比達(dá)到了3:1,那么就相當(dāng)于獲得了現(xiàn)在60%的容量。

只要有足夠的容量,那么QLC閃存的性能及可靠性也會(huì)大幅提升,而這些閃存如果轉(zhuǎn)換為QLC閃存,那么就可以克服QLC閃存的一些缺點(diǎn)。

根據(jù)他們的測試,如果是TLC閃存,那么優(yōu)化過后的閃存壽命可達(dá)18000次,QLC閃存也有16000次,這是其他公司做不到的,這樣的可靠性足以支持每天2次的全盤擦寫。
責(zé)編AJX

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1771

    瀏覽量

    114766
  • IBM
    IBM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    3

    文章

    1742

    瀏覽量

    74589
  • qlc
    qlc
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    63

    瀏覽量

    12487
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    鎧俠量產(chǎn)四層單元QLC UFS 4.0閃存

    近日,鎧俠宣布成功量產(chǎn)業(yè)界首款采用四層單元(4LC)技術(shù)的QLC UFS 4.0閃存。這款新型閃存相較于傳統(tǒng)的TLC UFS,擁有更高的位密度,使其在存儲(chǔ)需求日益增長的移動(dòng)應(yīng)用程序領(lǐng)域具有更廣泛的應(yīng)用前景。
    的頭像 發(fā)表于 10-31 18:22 ?637次閱讀

    提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 08-28 11:51 ?0次下載
    提高M(jìn)SP430G系列單片機(jī)的Flash<b class='flag-5'>擦寫</b><b class='flag-5'>壽命</b>的方法

    Steam一夜遭28萬次攻擊,該如何做好防護(hù)措施?

    Steam一夜遭28萬次攻擊是發(fā)生在《黑神話:悟空》上線后,該游戲作為中國首款3A大作,吸引了大量玩家,銷量突破1000套。然而,由于DDoS攻擊導(dǎo)致Steam平臺(tái)崩潰,游戲的實(shí)時(shí)在線人數(shù)一度從300驟降至百萬以下。
    的頭像 發(fā)表于 08-27 10:47 ?394次閱讀

    NAND Flash的擦寫次數(shù)介紹

    NAND Flash作為非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的重要一員,其擦寫次數(shù)是評(píng)估其性能和壽命的關(guān)鍵因素之一。以下將詳細(xì)介紹NAND Flash的擦寫次數(shù),包括其定義、不同類型NAND Flash的擦寫
    的頭像 發(fā)表于 07-29 17:18 ?2188次閱讀

    蘋果將在iPhone中運(yùn)用QLC NAND閃存技術(shù)

    據(jù)集邦咨詢于2021年7月25日公布的新近研究報(bào)告顯示,據(jù)悉,蘋果正積極考慮在其未來的iPhone產(chǎn)品線中導(dǎo)入一項(xiàng)名為QLC NAND閃存技術(shù)的革新性媒介。而這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)際投入使用,預(yù)計(jì)最早可在2026年看到成果,屆時(shí),iPhone手機(jī)內(nèi)部的儲(chǔ)存空間將有望突破2TB的界限
    的頭像 發(fā)表于 07-25 14:50 ?441次閱讀

    西部數(shù)據(jù)推出2TB QLC NAND閃存芯片,重塑數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新紀(jì)元

    在當(dāng)今這個(gè)數(shù)據(jù)爆炸的時(shí)代,存儲(chǔ)技術(shù)的每一革新都牽動(dòng)著整個(gè)科技行業(yè)的神經(jīng)。近日,西部數(shù)據(jù)在投資者活動(dòng)上揭開了一項(xiàng)令人矚目的技術(shù)突破——業(yè)界最高密度的2TB QLC NAND閃存芯片,這款名為BiCS8的芯片不僅代表了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域
    的頭像 發(fā)表于 06-15 11:42 ?986次閱讀

    美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn)

    美光科技近日宣布了重大技術(shù)突破,其先進(jìn)的232層QLC NAND閃存已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),并已部分應(yīng)用于Crucial英睿達(dá)固態(tài)硬盤(SSD)中。此外,美光還推出了2500 NVMeTM SSD,該產(chǎn)品
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:59 ?612次閱讀

    萬次循環(huán)已成儲(chǔ)能標(biāo)配,IGBT成壽命關(guān)鍵

    儲(chǔ)能產(chǎn)品發(fā)展到今天,其技術(shù)變化日新月異,而壽命循環(huán)次數(shù)已經(jīng)成為不少廠商競爭的焦點(diǎn)。市場中超過萬次循環(huán)的產(chǎn)品已成為標(biāo)配,許多企業(yè)還承諾儲(chǔ)能產(chǎn)品壽命能夠達(dá)到20年甚至25年。
    的頭像 發(fā)表于 04-22 07:52 ?3012次閱讀

    長江存儲(chǔ)QLC閃存壽命實(shí)現(xiàn)重大突破

    根據(jù)官方介紹,長江存儲(chǔ)X3-6070 QLC閃存的IO接口傳輸速度達(dá)到了2400MT/s,相比上代的1600MT/s提升了足足50%,同時(shí)讀取、寫入速度都有著接近100%的提升。
    發(fā)表于 04-03 15:04 ?611次閱讀
    長江存儲(chǔ)<b class='flag-5'>QLC</b><b class='flag-5'>閃存</b><b class='flag-5'>壽命</b><b class='flag-5'>實(shí)現(xiàn)</b>重大突破

    長江存儲(chǔ):QLC閃存已完成4000P / E擦寫,采用第三代Xtacking技術(shù)

    值得注意的是,長江存儲(chǔ)首席技術(shù)官(CTO)霍宗亮指出,NAND閃存行業(yè)已經(jīng)在飽受煎熬的2023年逐步復(fù)蘇,并有望在2023~2027年間實(shí)現(xiàn)21%的復(fù)合增長率以及20%的累計(jì)設(shè)備平均容量增長。
    的頭像 發(fā)表于 03-28 13:57 ?985次閱讀

    蔚來汽車正式達(dá)成第4000萬次換電記錄

    早前報(bào)道,蔚來于2023年10月9日實(shí)現(xiàn)第3000萬次換電,然后僅經(jīng)過157天就完成了第4000萬次換電服務(wù)。據(jù)蔚來副總裁沈斐所述,換電相較充電技術(shù)而言,節(jié)省大量時(shí)間,尤其適用于長途出行場景。
    的頭像 發(fā)表于 03-14 14:06 ?408次閱讀

    CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲(chǔ)芯片,比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲(chǔ),TF卡替代方案

    。   另外,物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品越來越小,對(duì)元器件尺寸要求更高。為應(yīng)對(duì)這些問題,SD NAND出現(xiàn)了。它采用SLC NAND Flash,具備長壽命和穩(wěn)定性,擦寫次數(shù)可達(dá)10萬次。內(nèi)置Flash控制器和Firmware
    發(fā)表于 01-24 18:30

    瑞薩RL78系列單片機(jī)支持百萬次讀寫的數(shù)據(jù)閃存方法概述

    早期的存儲(chǔ)器只能寫一,隨后紫外線擦寫的存儲(chǔ)器問世,支持上千讀寫操作。
    的頭像 發(fā)表于 01-22 09:27 ?1981次閱讀
    瑞薩RL78系列單片機(jī)支持百<b class='flag-5'>萬次</b>讀寫的數(shù)據(jù)<b class='flag-5'>閃存</b>方法概述

    普冉半導(dǎo)體推出P24C系列高可靠EEPROM產(chǎn)品

    近日,普冉半導(dǎo)體推出創(chuàng)新的 P24C系列高可靠 EEPROM 產(chǎn)品,應(yīng)下游客戶及市場需求,公司該新款系列產(chǎn)品可達(dá)到 1000萬次擦寫壽命,是公司為電表市場開發(fā)的超群產(chǎn)品,達(dá)到目前行業(yè)領(lǐng)先的擦寫
    的頭像 發(fā)表于 12-01 11:12 ?1144次閱讀

    漫談QLC其一:QLC定義及應(yīng)用

    漫談QLC其一:QLC定義及應(yīng)用
    的頭像 發(fā)表于 11-23 09:04 ?1398次閱讀