Kioxia和西部數據合作開發(fā)第六代162層3D閃存技術
Kioxia（鎧俠）和西部數據宣布，雙方合作開發(fā)了第六代162層3D閃存技術。這是兩家企業(yè)建立20年合作關系的又一里程碑，也是兩家公司迄今密度最高、最先進的3D NAND技術。
Kioxia首席技術官Masaki Momodomi表示：
“通過我們長達20年可靠的合作關系，Kioxia和西部數據成功地在制造和研發(fā)方面創(chuàng)造了無與倫比的能力。總的來說，我們生產世界上30％以上的閃存，并提供了令人信服的價格以及出色的容量，性能和可靠性。我們每個人都在個人電子產品到數據中心的一些列以數據為中心應用中，以及由5G網絡、人工智能和自主系統促成的新興應用中提供這一價值主張?！?/p>
這款第六代3D閃存采用了超越傳統的先進架構，與第五代技術相比，橫向單元陣列密度提高了10%。這種橫向擴展的進步，結合162層堆疊式垂直存儲器，與112層堆疊技術相比，可將芯片尺寸縮小40%，從而優(yōu)化了成本。Kioxia和西部數據的團隊還采用了陣列CMOS電路布局和四路同時操作，與上一代產品相比，這兩種技術的應用使性能提高了近2.4倍，讀取延遲上提高了10％。I/O性能也提高了66％，從而使下一代接口能夠支持更快的傳輸速率，滿足不斷增長的性能需求。
總體而言，與上一代產品相比，新的3D NAND降低了每單位的成本，并使每個晶圓的存儲數量增加了70％。Kioxia和西部數據繼續(xù)推動創(chuàng)新，以確保不斷擴大規(guī)模，滿足客戶及其多樣化應用的需求。
編輯：hfy
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