MOS管是金屬 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半導體 (semiconductor) 場效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬 — 絕緣體 (insulator) — 半導體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。 在多數(shù)情況下,這個兩個區(qū)是一樣的,即使兩端對調(diào)也不會影響器件的性能,這樣的器件被認為是對稱的。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后,在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比 (beta) 。另一種晶體管叫做場效應(yīng)管 (FET) ,把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道,而P溝道常見的為低壓MOS管。
場效應(yīng)管通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體 (MOS) 晶體管,或金屬氧化物半導體場效應(yīng)管 (MOSFET) 。因為MOS管更小更省電,所以他們已經(jīng)在很多應(yīng)用場合取代了雙極型晶體管。
MOS管的優(yōu)勢
可應(yīng)用于放大,由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高,因此耦合電容可以容量較小,不必使用電解電容器
很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換
可以用作可變電阻
可以方便地用作恒流源
可以用作電子開關(guān)
在電路設(shè)計上的靈活性大,柵偏壓可正可負可零,三極管只能在正向偏置下工作,電子管只能在負偏壓下工作;另外輸入阻抗高,可以減輕信號源負載,易于跟前級匹配
審核編輯:符乾江
-
MOS管
+關(guān)注
關(guān)注
108文章
2377瀏覽量
66398 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9609瀏覽量
137653
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
評論