LG旗下硅芯片公司Silicon Works宣布擴大半導體業(yè)務

據(jù)韓國科技媒體ETNews報道，多名業(yè)內(nèi)人士透露，LG集團旗下子公司硅芯片有限公司（Silicon Works）日前宣布擴大其半導體業(yè)務，重點押注碳化硅PMIC以及MCU。新業(yè)務將由曾在LG電子工作過的關(guān)鍵研究人員領(lǐng)導，目前正在研發(fā)一個新項目。

另據(jù)此前報道，LG集團年前曾表示，計劃剝離部分子公司，其中就包括硅芯片。硅芯片方面當時即回應稱，即使從LG集團分拆出來，也將繼續(xù)就LG電子的主要業(yè)務，如家用電器和汽車電子部件，與LG電子密切合作。

據(jù)了解，硅芯片此前更常以其驅(qū)動IC產(chǎn)品被業(yè)界所熟知。2018年，LG顯示被指定為三星顯示之外的iPhone用柔性OLED面板的第二供應商后，即有分析稱硅芯片將從中大大獲益，前者向蘋果供應的OLED面板用驅(qū)動IC將由硅芯片獨家供應。

此次大動作轉(zhuǎn)向碳化硅芯片領(lǐng)域，不僅透露了其對從LG集團分拆后的發(fā)展規(guī)劃，更是從側(cè)面印證了碳化硅正在成為汽車領(lǐng)域冉冉升起的新星。

碳化硅優(yōu)異性能引新能源市場矚目

據(jù)汽車芯片領(lǐng)頭羊安森半導體、英凌飛等預計，受益于電動智能互聯(lián)全球大趨勢，單車半導體價值將從目前約400美金提升到1700-1800美金左右甚至更高，空間得到明顯放大。在這其中，碳化硅由于其自身優(yōu)勢，受到資本市場更多的矚目。

作為第三代半導體的代表，碳化硅材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，因此在IGBT、MOSFET等功率半導體中應用尤為廣泛。

安信證券李哲團隊此前研報曾指出，雖然當前功率器件仍以碳基為主，但碳化硅基器件低能量損耗、耐高壓、耐高溫等優(yōu)良特性更適合功率器件使用，漸有取代碳基器件之勢。

具體來說，碳化硅基MOSFETs相較于硅基MOSFETs擁有高度穩(wěn)定的晶體結(jié)構(gòu)，工作溫度可達 600 ℃；擊穿場強是硅的十倍多，因此阻斷電壓更高；導通損耗比硅器件小很多，而且隨溫度變化很??；熱導系數(shù)幾乎是硅材料的2.5倍，飽和電子漂移率是硅的2倍，所以能在更高的頻率下工作。

多款熱銷電動車搭載 成本下降后或打開巨量市場空間

也正是基于這些特性，碳化硅終端市場主要為新能源車以及光伏，尤其在新能源車的新能源車OBC、DC/DC、逆變器、充電樁，及光伏逆變器都需要大量使用功率器件。以特斯拉為代表，目前已有越來越多的車企在其量產(chǎn)新能源車型中使用碳化硅：

Model 3 率先采用碳化硅，開啟了電動汽車使用碳化硅先河，2020年比亞迪漢也采用了碳化硅模塊，有效提升了加速性能、功率及續(xù)航能力，豐田燃料電池車Mirai車型搭載了碳化硅，功率模塊體積降低了30%，損耗降低了70%。

李哲團隊預計，2022-2023年碳化硅有望將在更多車中搭載。不過其也指出，就目前市場而言，碳化硅器件普及的最大瓶頸是其高昂的成本，各類器件為普通硅基器件的2.4-8倍，但相比前幾年已大幅下降，年降幅高達36-46%。

另據(jù)國金證券樊志遠團隊12月31日報告，2018-2020年，碳化硅產(chǎn)品價格保持平穩(wěn)，預計 2021年在電動汽車需求拉動下，價格繼續(xù)保持穩(wěn)定；伴隨大量擴產(chǎn)及產(chǎn)能不斷釋放，將會 出現(xiàn)較大幅度成本下降，預測2025年碳化硅產(chǎn)品價格僅有目前的1/5-1/4。

從當前全球格局來看，美、歐、日系企業(yè)優(yōu)勢明顯，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈逐漸完善，企業(yè)快速發(fā)展，市占率提升較快，例如天科合達的碳化硅晶片全球市占率從2018年的0.5%提升到了2020年上半年的2.6%。國金證券樊志遠團隊預測，2025年中國碳化硅晶片占全球比將從2020年的8.6%提升至 16%。

就韓國本國來說，由于其碳化硅PMIC市場目前主要由中小企業(yè)主導，硅芯片公司的加入，或?qū)⒔o產(chǎn)業(yè)帶來變數(shù)。而韓國作為中國之外，全球半導體制造另一重要陣地，這種變數(shù)將給全球汽車半導體格局帶來怎樣的變化，令人深思。
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