0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

三星在NAND閃存市場將面臨哪些挑戰(zhàn)?

我快閉嘴 ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2021-02-26 15:49 ? 次閱讀

眾所周知,三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位,占有30%以上的份額。但是,由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝,它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。

NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù),不需要電源即可保留數(shù)據(jù)。隨著用于數(shù)據(jù)中心的IT設(shè)備和服務(wù)器需要更大的存儲容量,盡可能多地堆疊薄層已成為NAND閃存芯片制造商的首要任務(wù)。

三星尚未公布其最新的NAND堆棧技術(shù),該技術(shù)超越了其當(dāng)前的128層芯片,而競爭對手如SK hynix,美光(Micron)和Kioxia都在爭相展示前沿設(shè)計(jì)。這促使分析人士認(rèn)為,存儲芯片巨頭可能正在失去其技術(shù)優(yōu)勢。去年11月,美國芯片制造商美光宣布開發(fā)出業(yè)界首款176層NAND閃存芯片。SK Hynix隨后在12月發(fā)布了自己的176層芯片。

日本的Kioxia最近還宣布,它與Western Digital一起成功開發(fā)了162層3D NAND。他們說,新產(chǎn)品比以前的112層技術(shù)小40%,可以提供更高的密度和更低的讀取延遲。

Objective Analysis的半導(dǎo)體行業(yè)分析師Jim Handy表示,三星在NAND閃存行業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)地位不會很快改變,但他同意三星在堆疊更多層方面正在失去競爭力?!笆堑模锹浜笥诟偁帉κ?。這并不是三星首次落后于NAND閃存競爭。我記得2012年,三星采用27納米工藝的最不先進(jìn)工藝,而其他所有人都在采用24納米工藝或25納米零件。”該分析師告訴《韓國時報(bào)》。

當(dāng)被問及三星為什么尚未宣布其新的NAND閃存具有比162或176層更高的堆棧數(shù)量時,Handy指出,該公司過于依賴單平臺技術(shù),而其競爭對手將堆棧分為兩層。

據(jù)我所知,擁有更高的堆棧是增加存儲容量的最有效方法。三星一直在尋求一條更艱難的道路。三星通過使用單層方法增加了層數(shù),而其他公司則遷移到了兩層。從理論上講,單個平臺的生產(chǎn)成本應(yīng)該較低,但是開發(fā)時間會更長,這似乎就是三星落后的原因?!?/p>

三星預(yù)計(jì),隨著更多智能手機(jī)的銷售,今年對NAND芯片的需求將會增加,而長期的社會疏離措施也將推動筆記本電腦等IT設(shè)備的銷售。為了滿足服務(wù)器需求,今年數(shù)據(jù)中心還將越來越多地訂購NAND芯片。

為了更好地與競爭對手競爭,三星公司還準(zhǔn)備采用雙層方法推出第七代V-NAND,該公司首席財(cái)務(wù)官崔允浩說。

“為了向您提供有關(guān)NAND的更新,我們的單堆棧第六代V-NAND已經(jīng)完成了產(chǎn)能提升。今年,我們將擴(kuò)大生產(chǎn)。在下一代產(chǎn)品中,第七代V -NAND,我們計(jì)劃首次采用雙堆棧,”崔在一月份告訴投資者?!斑@將為我們提供行業(yè)中最小的堆疊高度的優(yōu)勢。最重要的是,通過使用我們積累的單層堆疊技術(shù)知識,我們期望即使在多層堆疊的情況下也能保持出色的成本競爭力在第七代V-NAND上?!?/p>

盡管該公司有遠(yuǎn)見,但分析師表示,新方法能否使三星看到明顯更好的結(jié)果還有待觀察。

“開發(fā)單層設(shè)備比較困難,這減慢了三星的發(fā)展速度。三星表示將為其第七代V-NAND使用兩層方法。由于三星尚未生產(chǎn)兩層設(shè)備,因此,甲板上的NAND,它必須學(xué)習(xí)如何做其競爭對手已經(jīng)非常了解的事情?!?/p>

但是他并沒有改變他對三星將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo)NAND市場的看法?!叭钦诒3制涫袌龇蓊~的領(lǐng)先地位。這是該公司的主要重點(diǎn),因此我認(rèn)為這不會改變。在技術(shù)上,三星有時會領(lǐng)先,有時還會跟隨。如今,該公司的NAND技術(shù)落后于某些競爭對手,分析師說。

分析師表示,毫無疑問,三星將保持其在NAND閃存業(yè)務(wù)中的領(lǐng)先地位,但從長遠(yuǎn)來看,對韓國公司最大的威脅可能是中國制造商長江存儲。

YMTC去年宣布開發(fā)128層3D NAND,從而在存儲芯片行業(yè)大放異彩。該公司并未正式宣布它有能力批量生產(chǎn)該產(chǎn)品,但是128層NAND的成功開發(fā)可能會增加其在該行業(yè)的占有率。

這位分析師表示,在中國管理者努力使中國成為芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者之一的支持下,YMTC有望實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定增長。

他說:“三星在NAND閃存中最大的長期威脅是中國的YMTC。YMTC擁有令人難以置信的資本來籌集新的生產(chǎn)設(shè)施?!?“只要該公司學(xué)習(xí)如何大量生產(chǎn)NAND閃存,它就會通過搶占其他NAND閃存制造商的市場份額而迅速增長。當(dāng)這種情況發(fā)生時,我相信三星可能會失去其排名第一的地位?!?br /> 責(zé)任編輯:tzh

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    452

    文章

    50206

    瀏覽量

    420914
  • 閃存
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1771

    瀏覽量

    114766
  • NAND
    +關(guān)注

    關(guān)注

    16

    文章

    1666

    瀏覽量

    135931
  • 三星電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    34

    文章

    15846

    瀏覽量

    180861
收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    三星電子將出售中國工廠舊設(shè)備,含西安NAND閃存廠生產(chǎn)線

    三星電子即將啟動一項(xiàng)計(jì)劃,將其位于中國西安的NAND閃存工廠以及其他前端和后端工藝生產(chǎn)線的舊設(shè)備進(jìn)行銷售。這些設(shè)備原本因美國政府的壓力而積壓,現(xiàn)預(yù)計(jì)通過中國本土企業(yè)或第
    的頭像 發(fā)表于 11-06 14:00 ?305次閱讀

    三星與鎧俠計(jì)劃減產(chǎn)NAND閃存

    近日,據(jù)供應(yīng)鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮第四季度對NAND閃存進(jìn)行減產(chǎn),并預(yù)計(jì)根據(jù)市場狀況分階段實(shí)施。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 16:18 ?207次閱讀

    三星電子量產(chǎn)1TB QLC第九代V-NAND

    三星電子今日宣布了一項(xiàng)重大里程碑——其自主研發(fā)的1太比特(Tb)容量四層單元(QLC)第九代V-NAND閃存已正式邁入量產(chǎn)階段。這一成就不僅標(biāo)志著三星
    的頭像 發(fā)表于 09-12 16:27 ?478次閱讀

    三星電子存儲芯片價格大幅上調(diào),中國市場面臨挑戰(zhàn)與機(jī)遇

    近日,三星電子宣布了一項(xiàng)重大市場決策,計(jì)劃在第季度對其DRAM和NAND閃存存儲芯片進(jìn)行15%-20%的價格調(diào)整。這一舉措背后,是人工智能
    的頭像 發(fā)表于 07-18 09:50 ?647次閱讀

    三星第9代V-NAND采用鉬金屬布線技術(shù)

    據(jù)韓國媒體最新報(bào)道,三星電子在其第9代V-NAND閃存技術(shù)中實(shí)現(xiàn)了重大突破,首次“金屬布線”工藝中引入了鉬(Mo)技術(shù)。這一創(chuàng)新標(biāo)志著三星
    的頭像 發(fā)表于 07-04 09:23 ?639次閱讀

    消息稱三星客戶已包下V8-NAND 2025年產(chǎn)能

    人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,數(shù)據(jù)中心對大容量固態(tài)硬盤(SSD)的需求呈現(xiàn)出前所未有的增長態(tài)勢。業(yè)內(nèi)最新消息顯示,由于NAND閃存供應(yīng)可能在下半年出現(xiàn)短缺,三星電子的V8-
    的頭像 發(fā)表于 07-01 10:11 ?428次閱讀

    中國柔性O(shè)LED崛起挑戰(zhàn)三星市場主導(dǎo)

    隨著中國大陸柔性O(shè)LED顯示面板廠商技術(shù)的飛速發(fā)展,三星顯示全球市場的主導(dǎo)地位正面臨重大挑戰(zhàn)。據(jù)預(yù)測,到2024年上半年,中國可折疊OLE
    的頭像 發(fā)表于 06-05 10:10 ?398次閱讀

    三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn)

    近日,三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC產(chǎn)品開始量產(chǎn),這將有助于鞏固其NAND閃存市場
    的頭像 發(fā)表于 04-23 11:48 ?596次閱讀

    三星即將量產(chǎn)290層V-NAND閃存

    據(jù)韓國業(yè)界消息,三星最早將于本月開始量產(chǎn)當(dāng)前業(yè)界密度最高的290層第九代V-NAND(3D NAND閃存芯片。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 15:06 ?554次閱讀

    三星九代V-NAND閃存或月底量產(chǎn),堆疊層數(shù)達(dá)290層

    據(jù)韓媒Hankyung透露,第九代V-NAND閃存的堆疊層數(shù)高達(dá)290層,但I(xiàn)T之家此前曾報(bào)道過,三星在學(xué)術(shù)會議上展示了280層堆疊的QLC閃存
    的頭像 發(fā)表于 04-12 16:05 ?806次閱讀

    三星大幅削減NAND產(chǎn)量至50%以下,市場供應(yīng)或?qū)⑹苡绊?/a>

    該報(bào)告援引“業(yè)內(nèi)人士”的話說,三星從去年年底開始縮減NAND產(chǎn)能,現(xiàn)在才開始向下游市場滲透。三星也不回避自己的戰(zhàn)略,一位發(fā)言人表示:“我們減少NAN
    發(fā)表于 04-02 11:32 ?542次閱讀
    <b class='flag-5'>三星</b>大幅削減<b class='flag-5'>NAND</b>產(chǎn)量至50%以下,<b class='flag-5'>市場</b>供應(yīng)或?qū)⑹苡绊? />    </a>
</div>                            <div   id=

    三星面臨罷工,存儲市場供需引關(guān)注

    三星電子與與“三星電子全國工會”代表之間的薪資談判破裂,以及工會可能發(fā)起的罷工行動,確實(shí)引發(fā)了市場對存儲供需市場的關(guān)注。作為全球存儲龍頭廠商,三星
    的頭像 發(fā)表于 03-20 11:37 ?816次閱讀

    三星計(jì)劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

    三星計(jì)劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低;減產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 03-14 15:35 ?507次閱讀

    三星西安NAND廠開工率回升至70%

    三星電子,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),近期在其位于中國西安的NAND閃存工廠實(shí)現(xiàn)了開工率的顯著回升,從去年的低谷20-30%提升至目前的70%。這一變化不僅反映了三星電子對
    的頭像 發(fā)表于 03-14 12:32 ?781次閱讀

    今日看點(diǎn)丨蘋果著手開發(fā)M4芯片,采用臺積電2納米或3納米制程升級版;三星擬與下游廠商就NAND閃存漲價談判

    ~20%。歷經(jīng)一年多供過于求之后,三星NAND閃存售價一度持平成本,因此計(jì)劃與大客戶進(jìn)行談判,價格拉回到合理水平上。 ? 研究機(jī)構(gòu)Tr
    發(fā)表于 03-14 09:48 ?1095次閱讀