賽微電子擬投資10億元建6-8英寸硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)線

近日北京賽微電子股份有限公司發(fā)布了關(guān)于與青州市人民政府簽署《合作協(xié)議》的公告。公告中顯示賽微電子擬在青州經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)發(fā)起投資10億元分期建設(shè)聚能國際6-8英寸硅基氮化鎵功率器件半導(dǎo)體制造項(xiàng)目，總占地面積30畝，一期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓5000片/月的生產(chǎn)能力，二期建成投產(chǎn)后將形成6-8英寸GaN芯片晶圓12000片/月的生產(chǎn)能力，將為全球GaN產(chǎn)品客戶的旺盛需求提供成熟的技術(shù)支持和產(chǎn)能保障。

據(jù)了解，GaN（氮化鎵）屬于第三代半導(dǎo)體材料，第三代半導(dǎo)體材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、金剛石等，因其禁帶寬度（Eg）大于或等于2.3電子伏特（eV），又被成為寬禁帶半導(dǎo)體材料，與第一、二代相比，第三代半導(dǎo)體材料具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子速率等優(yōu)點(diǎn)，可以滿足現(xiàn)代電子技術(shù)對(duì)高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。

公司已于2018年7月在青島市嶗山區(qū)投資設(shè)立“青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司”，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計(jì)、開發(fā)；已于2018年6月在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立“聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司”，主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計(jì)、開發(fā)、生產(chǎn)，該公司投資建設(shè)的第三代半導(dǎo)體材料制造項(xiàng)目（一期）已于2019年9月達(dá)到投產(chǎn)條件，正式投產(chǎn)。作為公司GaN業(yè)務(wù)一級(jí)平臺(tái)公司，聚能創(chuàng)芯匯聚了業(yè)界領(lǐng)先團(tuán)隊(duì)，擁有第三代半導(dǎo)體材料生長、工藝制造、器件設(shè)計(jì)等全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)能力及儲(chǔ)備，且截至目前在6-8英寸硅基GaN外延晶圓、GaN功率器件及應(yīng)用方面已形成系列產(chǎn)品并實(shí)現(xiàn)批量銷售。