隨著PCIe Gen5, Gen6的普及,SSD的速度會(huì)越來越快。NAND Flash自身的速度也在增加,2年前一個(gè)Channel只能支持1.2GB/s, 現(xiàn)在支持1.6GB/s, 而明年會(huì)支持2.4GB/s. ONFI規(guī)范已經(jīng)規(guī)劃4.8GB/s, 目前這個(gè)這個(gè)生態(tài)非常健康。
基于DDR的存儲(chǔ),這個(gè)概念已經(jīng)提了20年,但是一直沒有真正落地。最大的阻礙來自成本,以及性能與其他方案的對(duì)比上。
如果只看性能,對(duì)于CPU來說最快的數(shù)據(jù)傳輸接口就是內(nèi)部的DDR總線,ATTO的方案是把存儲(chǔ)放在網(wǎng)絡(luò)接口后面,這樣會(huì)顯著增加單個(gè)命令的時(shí)延,而且成本也很高。從數(shù)據(jù)成本來看,DDR大約是5刀/GB, 而NAND只需要0.15刀/GB. 目前絕大多數(shù)應(yīng)用使用SSD即可滿足,假設(shè)1塊8TB SSD可以在1毫秒內(nèi)完成一個(gè)命令,那么24塊SSD就可以實(shí)現(xiàn)平均每41微秒完成一個(gè)命令。192TB數(shù)據(jù)容量,SSD方案費(fèi)用是3萬刀,而DDR方案則超過98萬刀。
反過來說,如果我們的預(yù)算是3萬刀,那么基于SSD的方案我們可以獲得192TB的容量,而基于DDR的方案我們只能獲得6TB的容量。
最后,DDR是易失性存儲(chǔ),更適合做高速緩存,或者投入額外成本另外考慮備份方案?;贒DR的存儲(chǔ)方案目前有市場(chǎng),但是非常小。這個(gè)領(lǐng)域,Phison有技術(shù)儲(chǔ)備,但在市場(chǎng)認(rèn)可前不會(huì)進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng)。
原文標(biāo)題:Phison眼里的存儲(chǔ)2 – 如何看待RAM-based Storage,是否會(huì)進(jìn)入這個(gè)市場(chǎng)?
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