電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì)SiC器件的需求與日俱增

因?yàn)槠漕I(lǐng)先的性能優(yōu)勢(shì)，電動(dòng)汽車市場(chǎng)對(duì) SiC 器件的需求與日俱增。

據(jù) TrendForce 集邦咨詢研究顯示，隨著電動(dòng)車滲透率不斷升高，預(yù)估 2025 年全球電動(dòng)車市場(chǎng)對(duì) 6 英寸 SiC 晶圓需求可達(dá) 169 萬片。他們進(jìn)一步指出，從目前來看，電動(dòng)車已成為 SiC 核心應(yīng)用場(chǎng)景，其中 OBC（車載充電器）和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器組件對(duì)于 SiC 器件的應(yīng)用已經(jīng)相對(duì)成熟，而基于 SiC 的主驅(qū)逆變器仍未進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。

集邦咨詢同時(shí)還表示，上游 SiC 襯底材料環(huán)節(jié)將成為產(chǎn)能關(guān)鍵制約點(diǎn)，其制程復(fù)雜、技術(shù)門檻高、晶體生長緩慢?，F(xiàn)階段用于功率器件的 N 型 SiC 襯底仍以 6 英寸為主。雖然現(xiàn)在有廠商推動(dòng)往 8 英寸轉(zhuǎn)變，但由于良率提升及功率晶圓廠由 6 英寸轉(zhuǎn) 8 英寸需要一定的時(shí)間周期。因此集邦咨詢強(qiáng)調(diào)，至少未來 5 年內(nèi) 6 英寸 SiC 襯底都仍為主流。

對(duì)于 Qorvo 來說，在早前宣布收購 UnitedSiC 之后，也順勢(shì)成為了這個(gè)市場(chǎng)的重要玩家。

自 1999 年成立以來，UnitedSiC 一直聚焦在 SiC 器件的研發(fā)。基于多年來的經(jīng)驗(yàn)，UnitedSiC 已經(jīng)推出了多系列的 SiC 產(chǎn)品，能直接替代 PFC、LLC 或 PSFB 拓?fù)涞?Si 超級(jí)結(jié)，并與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 SiC MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)直接兼容。成為全球唯一一家擁有同時(shí)兼容 SiC 和 Si 驅(qū)動(dòng)的 SiC FET 制造商。

在去年年底，UnitedSiC 推出了其第四代 SiC FET，并基于其第四代 SiC FET 先進(jìn)技術(shù)平臺(tái)推出四款首批器件。讓其強(qiáng)大的業(yè)界領(lǐng)先 SiC FET 產(chǎn)品組合更趨完善。該產(chǎn)品性能取得了突破性發(fā)展，旨在加速在汽車充電、工業(yè)充電、電信整流器、數(shù)據(jù)中心 PFC 直流轉(zhuǎn)換、可再生能源和儲(chǔ)能應(yīng)用中采用寬帶隙器件。這四款新型 SiC FET 包含導(dǎo)通電阻 RDS(on)18 mΩ 和 60mΩ 兩種方案，其性能表征 FoM 達(dá)到最優(yōu)，并且其單位面積通態(tài)電阻更低。此外，該器件采用先進(jìn)的燒結(jié)式晶粒粘接技術(shù)，改進(jìn)了熱性能，從而實(shí)現(xiàn)了大額定電流。

據(jù) UnitedSiC 介紹，公司的 SiC FET 在全球快速增長的市場(chǎng)中得到廣泛認(rèn)可，尤其是在如 LLC 和移相全橋這樣的高壓 DC-DC 電源轉(zhuǎn)換拓?fù)湟约?AC-DC 應(yīng)用（如替代 Vienna Rectifier 的 6 開關(guān) SiC 解決方案和圖騰柱 PFC）市場(chǎng)。

面向快速增長的 EV 電機(jī)驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)中，UnitedSiC 提供的、行業(yè)最高性能、最低 R(DS)-on ，額定電壓為 650 V 和 1200 V的產(chǎn)品正迅速成為 EV 電源設(shè)計(jì)人員的首選產(chǎn)品。

SiC FET 是性能和可靠性改進(jìn)的主要貢獻(xiàn)者，可降低下一代數(shù)據(jù)中心的整體系統(tǒng)成本。此外，UnitedSiC 還為工業(yè)車輛提供重要的充電時(shí)間和充電時(shí)間優(yōu)勢(shì)。

最后，UnitedSiC 卓越的效率等級(jí)使其產(chǎn)品成為太陽能電池陣列技術(shù)的完美解決方案選擇。鑒于這種類型的設(shè)計(jì)師接受度，很明顯碳化硅器件正在成為這些快速增長市場(chǎng)的關(guān)鍵推動(dòng)因素之一。

原文標(biāo)題：咨詢機(jī)構(gòu)：2025 年，電動(dòng)車對(duì) 6 英寸 SiC 晶圓需求可達(dá) 169 萬片

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審核編輯:湯梓紅