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二維材料在紅外探測(cè)器中的應(yīng)用最新進(jìn)展

MEMS ? 來(lái)源:麥姆斯咨詢(xún) ? 作者:麥姆斯咨詢(xún) ? 2022-04-19 14:30 ? 次閱讀

二維材料,具有原子厚度,以其獨(dú)特的物理、化學(xué)性質(zhì),吸引了廣大研究人員的關(guān)注,成為了眾多研究領(lǐng)域(如物理、材料、電子光電子和化學(xué)等等)的明星材料。因二維材料具有較高的載流子遷移率、強(qiáng)的光-物質(zhì)相互作用、電/光學(xué)性質(zhì)各向異性等,使其在光電子領(lǐng)域具有光明的應(yīng)用前景。其中,窄帶隙二維材料,如黑磷、黑磷砷等,在紅外光電探測(cè)器中表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力,成為了紅外探測(cè)領(lǐng)域的新寵。

據(jù)麥姆斯咨詢(xún)報(bào)道,近期,電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院李春教授和蘭長(zhǎng)勇副教授課題組在《紅外與激光工程》期刊上發(fā)表了以“二維材料在紅外探測(cè)器中的應(yīng)用最新進(jìn)展”為主題的綜述文章。通訊作者為蘭長(zhǎng)勇副教授,蘭長(zhǎng)勇副教授主要從事低維納米材料與器件的研究工作。

這項(xiàng)研究對(duì)二維材料在紅外探測(cè)器中的應(yīng)用,特別是光子型光電探測(cè)器的最新進(jìn)展進(jìn)行介紹。首先對(duì)二維材料的背景進(jìn)行介紹;然后介紹表征光電探測(cè)器的關(guān)鍵參數(shù);接著介紹二維材料在紅外探測(cè)器中的最新進(jìn)展,分別展示了單二維材料紅外探測(cè)器、異質(zhì)結(jié)紅外探測(cè)器和光波導(dǎo)紅外探測(cè)器方面的進(jìn)展;最后對(duì)二維材料在紅外探測(cè)器中的應(yīng)用進(jìn)行展望。

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黑鱗和黑磷砷(b-AsP)光電探測(cè)器

這項(xiàng)研究主要基于器件的基本結(jié)構(gòu)(單二維材料和異質(zhì)結(jié)機(jī)構(gòu))來(lái)進(jìn)行深入討論。

在單二維材料探測(cè)器中,黑磷(BP)、過(guò)渡金屬硫族化合物、Te納米片以及Bi2O2Se比較具有代表性。黑磷(BP)具有范德瓦爾斯層狀結(jié)構(gòu),層與層之間通過(guò)弱的范德瓦爾斯力結(jié)合,具有很高的載流子遷移率、寬的帶隙可調(diào)范圍和優(yōu)良的電學(xué)性能,使其在光電子領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。過(guò)渡金屬硫族化合物是研究的比較早的二維材料,其中存在帶隙在紅外范圍的窄帶隙材料,如MoTe2和近期的熱點(diǎn)材料PdSe2和PtSe2等。VI族的Te材料具有獨(dú)特的一維手性鏈狀晶體結(jié)構(gòu),具有很小的帶隙外,實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)二維Te納米片具有很高的載流子遷移率。

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異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器


在異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器中,范德瓦爾斯層狀材料,由于表面沒(méi)有懸掛鍵,依靠弱的范德瓦爾斯鍵實(shí)現(xiàn)不同層的堆垛構(gòu)成整體,可將不同的二維材料堆疊在一起構(gòu)成垂直堆垛型異質(zhì)結(jié)而無(wú)需考慮不同材料之間的晶格失配。該特點(diǎn)使此類(lèi)材料具有不存在常規(guī)材料的界面態(tài)問(wèn)題,有利于制作高性能光電器件。二維堆垛型異質(zhì)結(jié)視材料間的能帶排列、偏壓大小可以工作于光電導(dǎo)型或者光伏型。

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光波導(dǎo)探測(cè)器

另外,二維材料雖然同光具有強(qiáng)烈的相互作用,但是其厚度太薄,能夠被吸收的光非常有限。為了能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)光的充分利用,研究人員采用了多種結(jié)構(gòu),如光學(xué)共振腔、波導(dǎo)結(jié)構(gòu)等,用于增強(qiáng)光-物質(zhì)相互作用。其中光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的光電探測(cè)器的好處是可以充分利用倏逝波,使光同二維材料充分作用,同時(shí)這種結(jié)構(gòu)非常適合應(yīng)用于集成光學(xué)。為進(jìn)一步提高二維材料探測(cè)器件的性能,可以引入量子點(diǎn)。量子點(diǎn)型光電探測(cè)器具有新穎的光電性能,如在寬光譜中具有較高光學(xué)吸收、響應(yīng)光譜可受量子點(diǎn)形貌調(diào)控等。

二維材料以其獨(dú)特而豐富的特性吸引了廣大研究人員的廣泛關(guān)注,在紅外探測(cè)器方面具有光明的應(yīng)用前景。盡管二維材料在紅外探測(cè)領(lǐng)域取得了巨大的進(jìn)步,面向?qū)嶋H應(yīng)用還存在許多問(wèn)題,如二維材料的規(guī)?;苽鋯?wèn)題、規(guī)模化器件制作工藝問(wèn)題、。如何充分利用二維材料超薄的特性又不損失對(duì)紅外光探測(cè)的靈敏度的問(wèn)題。隨著研究的深入,必將涌現(xiàn)出新的探測(cè)機(jī)制、新的器件結(jié)構(gòu),相信在不久的將來(lái),二維材料將有望應(yīng)用于實(shí)際設(shè)備中。

該項(xiàng)目獲得國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃(2019YFB2203504)、國(guó)家自然科學(xué)基金(61605024、62074024、61775031)的支持。該研究第一作者為電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院碩士研究生賈欣宇,主要從事二維半導(dǎo)體材料與器件的研究。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:二維材料在紅外探測(cè)器中的應(yīng)用最新進(jìn)展

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