0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

采用臨界粒子雷諾數(shù)方法去除晶圓表面的粘附顆粒

華林科納hlkn ? 來(lái)源:華林科納hlkn ? 作者:華林科納hlkn ? 2022-05-07 15:48 ? 次閱讀

摘要

化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒,或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸??紤]了直徑為0.1和1.0m的氧化鋁顆粒粘附在拋光二氧化硅和銅表面的模型系統(tǒng)。結(jié)果表明,流體力學(xué)力量可以去除部分粘附顆粒,但必須發(fā)生刷狀顆粒接觸才能去除所有的粘附顆粒。

理論

粘附/移除模型:在得出任何關(guān)于粒子去除的結(jié)論之前,有必要了解在水動(dòng)力流場(chǎng)中作用于粒子的力。圖1顯示了一個(gè)直徑為d的可變形顆粒,它粘附在運(yùn)動(dòng)流體中的表面上。在該模型中,粘附力(FA)、阻力(FD)和升力(FL)力和外部表面應(yīng)力矩(MD)是通過粒子暴露區(qū)域的中心起作用的。 這些力與接觸半徑(a)之間的關(guān)系,由于變形導(dǎo)致的粒子與表面之間的相對(duì)接近值a,和表面粗糙度ε,必須被理解為正確地描述顆粒的去除。

poYBAGJ2JFiAFAWoAAA48EJ187U607.jpg

圖1 粘性粒子和相關(guān)力的示意圖

分析

系統(tǒng)和條件:一般來(lái)說(shuō),cmp后的清潔將包括從各種表面去除各種顆粒尺寸和材料。不對(duì)稱的氧化鋁顆粒,尺寸為0.1和1.0mm,粘附在具有拋光二氧化硅表面的200毫米晶片上作為代表系統(tǒng)。為了進(jìn)行比較,還考慮了不對(duì)稱的氧化鋁顆粒粘附在類似的晶片上,但與銅表面。類似于圖中所示的單面、圓盤型刷式洗滌器的流體流動(dòng)。 表一顯示了所考慮的商業(yè)刷式洗滌器的典型操作條件。

pYYBAGJ2JFiAL60MAAAooQMBD8E217.jpg

表一 刷子擦洗模擬中的參數(shù)

流動(dòng)剖面:多孔手指之間的流動(dòng)輪廓刷和晶圓是復(fù)雜的,但如果有以下假設(shè),可以近似為刷徑向位置的函數(shù):(i)刷表現(xiàn)得好像它有一個(gè)均勻的固體表面,即無(wú)滑移邊界條件成立,(ii)刷子和晶片起到如下作用平行平板,底板固定,頂板以刷和晶片之間的相對(duì)速度移動(dòng),(iii)顆粒的極小尺寸防止它們干擾流場(chǎng)。刷子和晶片之間的流動(dòng)取決于刷狀-晶片分離距離(D)和刷子指δ上的邊界層厚度之間的關(guān)系。當(dāng)它經(jīng)過晶圓片時(shí)。如果D>δ,刷子附近的速度剖面取決于邊界層的結(jié)構(gòu),而晶圓附近的速度文件是晶圓旋轉(zhuǎn)的函數(shù)。如果D≤δ,速度剖面可以近似為線性。

粘附力,附著力:CMP后粘在晶片表面的顆粒是不同的,是粗糙和不對(duì)稱的。有必要正確地描述粘附力對(duì)顆粒的組成、幾何形狀和形態(tài)的依賴性,或?qū)︻w粒去除所做的任何預(yù)測(cè)都會(huì)產(chǎn)生誤導(dǎo)。它可以準(zhǔn)確地預(yù)測(cè)不對(duì)稱粒子的粘附力。表三給出了這里所考慮的粒子和表面的粗糙度統(tǒng)計(jì)量和彈性模量。

poYBAGJ2JFyALTZDAAAqrCduI-I162.jpg

表三 用于計(jì)算不對(duì)稱Al2O3顆粒附著力的材料特性

pYYBAGJ2JF2AXZHPAAAoeDMisGA858.jpg

根據(jù)1.0mm氧化鋁顆粒粘附于拋光二氧化硅的歸一化刷徑向位置和分析程序,去除的顆粒百分比

結(jié)論

本文采用臨界粒子雷諾數(shù)方法來(lái)評(píng)估刷子擦洗過程中產(chǎn)生的水動(dòng)力是否可以去除晶片表面的粘附顆粒,或者是否必須發(fā)生刷子粒子接觸。臨界粒子雷諾數(shù)取決于流體性質(zhì)、粘附粒子附近的速度剖面、作用在粒子上的粘附力和點(diǎn)滾動(dòng)發(fā)生的周圍。采用時(shí)間相關(guān)的邊界層分析來(lái)確定刷擦洗過程中刷指和晶片之間產(chǎn)生的速度輪廓。刷-晶片分離距離必須小于或等于刷指上的邊界層厚度,以便刷誘導(dǎo)的流體在晶片表面附近顯著運(yùn)動(dòng)。采用一個(gè)經(jīng)過驗(yàn)證的模型計(jì)算了感興趣的粒子的粘附力分布。該模型考慮了襯底化學(xué)、粒子和表面形貌和力學(xué)性能,以及相互作用表面的幾何形狀。然后,考慮到粘附力的變化和粗糙度對(duì)滾動(dòng)發(fā)生點(diǎn)的影響,計(jì)算了每個(gè)粒徑的臨界粒子雷諾數(shù)分布。將這種分布與流粒子雷諾數(shù)進(jìn)行比較表明,在考慮的典型工作條件下,在cmp清洗后的過程中,水動(dòng)力可以去除晶片表面的一些粘附顆粒,但必須發(fā)生刷狀顆粒接觸才能完全去除顆粒。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26857

    瀏覽量

    214353
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4817

    瀏覽量

    127671
  • 顆粒
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    30

    瀏覽量

    8305
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析

    摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過程中去除
    發(fā)表于 04-27 16:55 ?1522次閱讀
    半導(dǎo)體工藝中化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析

    史上最全專業(yè)術(shù)語(yǔ)

    , and it is the result of stains, fingerprints, water spots, etc.沾污區(qū)域 - 任何在表面的外來(lái)粒子或物質(zhì)。由沾污
    發(fā)表于 12-01 14:20

    表面各部分的名稱

    表面各部分的名稱(1)器件或叫芯片(Chip,die,device,circuit,microchip,bar):這是指在
    發(fā)表于 02-18 13:21

    雷諾數(shù)的溫度特性介紹

    在分析液體的粘度溫度特性的基礎(chǔ)上,提出了液流的雷諾數(shù)也隨溫度的變化而變化的觀點(diǎn),并對(duì)其變化規(guī)律進(jìn)行了推導(dǎo)和闡述。
    發(fā)表于 04-07 11:06 ?21次下載

    化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析報(bào)告

    化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗,特別是刷子擦洗,是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟,尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過程中去除
    發(fā)表于 01-27 10:25 ?486次閱讀
    化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析報(bào)告

    濕法清洗過程中硅片表面顆粒去除

    研究了在半導(dǎo)體制造過程中使用的酸和堿溶液從硅片表面去除粒子。 結(jié)果表明,堿性溶液的顆粒去除效率優(yōu)于酸性溶液。 在堿性溶液中,
    的頭像 發(fā)表于 02-17 16:24 ?2560次閱讀
    濕法清洗過程中硅片<b class='flag-5'>表面</b><b class='flag-5'>顆粒</b>的<b class='flag-5'>去除</b>

    如何成功地清除來(lái)自晶片表面的顆粒污染

    為了成功地清除來(lái)自晶片表面的顆粒污染,有必要了解顆粒與接觸的基底之間的附著力和變形,變形亞微米顆粒粘附
    發(fā)表于 04-06 16:53 ?1350次閱讀
    如何成功地清除來(lái)自晶片<b class='flag-5'>表面的</b><b class='flag-5'>顆粒</b>污染

    表面的金屬及粒子的附著行為

    半導(dǎo)體器件的高集成化,硅表面的高清潔度化成為極其重要的課題。在本文中,關(guān)于硅表面的金屬及
    發(fā)表于 04-18 16:33 ?1084次閱讀
    硅<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>表面的</b>金屬及<b class='flag-5'>粒子</b>的附著行為

    表面的潔凈度對(duì)半導(dǎo)體工藝的影響 如何確保表面無(wú)污染殘留

    表面的潔凈度會(huì)影響后續(xù)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品的合格率,甚至在所有產(chǎn)額損失中,高達(dá)50%是源自于表面
    發(fā)表于 05-30 10:19 ?3097次閱讀

    表面污染該如何處理

    金屬、有機(jī)物及顆粒粒子的殘留,而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機(jī)臺(tái)或是整體工藝中所遭遇的污染程度與種類。早期曾有文獻(xiàn)指出,在制造過程中,因未能有效去除
    的頭像 發(fā)表于 06-04 09:27 ?2978次閱讀

    濕法清洗中去除硅片表面的顆粒

    用半導(dǎo)體制造中的清洗過程中使用的酸和堿溶液研究了硅片表面的顆粒去除。
    的頭像 發(fā)表于 07-05 17:20 ?2194次閱讀
    濕法清洗中<b class='flag-5'>去除</b>硅片<b class='flag-5'>表面的</b><b class='flag-5'>顆粒</b>

    RCA清洗中晶片表面的顆粒粘附去除

    溶液中顆粒和晶片表面之間發(fā)生的基本相互作用是范德華力(分子相互作用)和靜電力(雙電層的相互作用)。近年來(lái),與符合上述兩種作用的溶液中的晶片表面上的顆粒
    的頭像 發(fā)表于 07-13 17:18 ?1799次閱讀
    RCA清洗中晶片<b class='flag-5'>表面的</b><b class='flag-5'>顆粒</b><b class='flag-5'>粘附</b>和<b class='flag-5'>去除</b>

    什么是清洗

    清洗工藝的目的是在不改變或損壞表面或基板的情況下去除化學(xué)雜質(zhì)和
    的頭像 發(fā)表于 05-11 22:03 ?1386次閱讀

    抓出半導(dǎo)體工藝中的魔鬼-表面金屬污染

    表面的潔凈度對(duì)于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會(huì)造成一定程度的影響,最常見的主要污染包括金屬、有機(jī)物及顆粒粒子的殘留,而污染分析的結(jié)果可
    的頭像 發(fā)表于 06-06 10:29 ?1807次閱讀
    抓出半導(dǎo)體工藝中的魔鬼-<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b><b class='flag-5'>表面</b>金屬污染

    去除表面顆粒的原因及方法

    本文簡(jiǎn)單介去除表面顆粒的原因及方法。   在12寸(300毫米)晶圓廠中,清洗是一個(gè)至
    的頭像 發(fā)表于 11-11 09:40 ?7次閱讀