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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析報(bào)告

化學(xué)機(jī)械拋光后刷洗的理論分析報(bào)告

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中機(jī)新材完成億元A輪融資,專注國產(chǎn)高性能研磨拋光材料

據(jù)了解,中機(jī)新材專注于國產(chǎn)高性能研磨拋光材料的研發(fā)與應(yīng)用,能夠?yàn)榭蛻籼峁┝可泶蛟斓墓I(yè)磨拋解決方案,力求協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)徹底解決長期困擾的瓶頸問題。
2024-02-21 16:56:53406

晶亦精微科創(chuàng)板IPO成功過會(huì),募資近13億投入半導(dǎo)體裝備研發(fā)

上海證券交易所(上交所)近日宣布,北京晶亦精微科技股份有限公司(以下簡稱“晶亦精微”)的首次公開募股(IPO)已經(jīng)成功過會(huì),未來該公司將在科創(chuàng)板上市。晶亦精微是一家專注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司,主要從事化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。
2024-02-20 09:45:34296

晶亦精微科創(chuàng)板IPO過會(huì)

北京晶亦精微科技股份有限公司(簡稱“晶亦精微”)科創(chuàng)板IPO順利過會(huì),即將在上海證券交易所科創(chuàng)板上市。該公司專注于半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù),特別是化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備及其配件
2024-02-20 09:34:15171

EDA/IP產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告 (下)

洞見分析經(jīng)驗(yàn)分享
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EDA/IP產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告 (上)

洞見分析經(jīng)驗(yàn)分享
電子發(fā)燒友網(wǎng)官方發(fā)布于 2024-02-04 13:48:25

CMP設(shè)備供應(yīng)商晶亦精微科創(chuàng)板IPO新動(dòng)態(tài)

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碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究

為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光,提高碳化硅拋光的成品率,降低加工成本,對(duì)現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光 技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對(duì)碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微觀晶格結(jié)構(gòu)特點(diǎn),簡述了化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)對(duì)碳化硅
2024-01-24 09:16:36431

晶圓需要拋光的原因分析

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半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)

最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合,這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是,將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個(gè)墊面的高度,在然后沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06359

宏集應(yīng)用丨宏集七軸機(jī)械臂,以精準(zhǔn)力控實(shí)現(xiàn)柔性拋光打磨!

傳統(tǒng)的手工拋光打磨存在勞動(dòng)強(qiáng)度高、拋光效果不穩(wěn)定、難以處理復(fù)雜形狀、安全風(fēng)險(xiǎn)和無法滿足高質(zhì)量要求等痛點(diǎn)。因此,應(yīng)用工業(yè)機(jī)器人進(jìn)行自動(dòng)化表面精加工的技術(shù)隨之崛起。
2024-01-11 11:03:37196

CVD金剛石在機(jī)械密封領(lǐng)域中的應(yīng)用

隨著科技的不斷發(fā)展,金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中,化學(xué)氣相沉積(CVD)金剛石由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),尤其在機(jī)械密封領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用前景。
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宏集七軸機(jī)械臂,以精準(zhǔn)力控實(shí)現(xiàn)柔性拋光打磨!

宏集推出七軸都帶有扭矩傳感器的柔性機(jī)械臂,通過類人類觸覺、力位控制策略與直觀易用的打磨app,實(shí)現(xiàn)均勻一致的打磨效果,打破“被動(dòng)柔順”方案的不可控性與精度限制,使表面精加工技術(shù)效率和精度大幅提升
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半導(dǎo)體芯片結(jié)構(gòu)分析

SEM+EDS 可以實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片結(jié)構(gòu)層的測量和元素分析機(jī)械研磨和氬離子研磨測試對(duì)比:離子研磨制樣可避免機(jī)械研磨制樣會(huì)造成劃痕和軟質(zhì)金屬的延展性形變問題的影響,離子研磨CP(氬離子拋光切割)可以避免在研磨
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SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù),降低成本并加強(qiáng)ESG管理

CMP技術(shù)指的是在化學(xué)機(jī)械的協(xié)同作用下,使得待拋光原料表面達(dá)到指定平面度的過程。化學(xué)藥水與原料接觸后,生成易于拋光的軟化層,隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進(jìn)行物理機(jī)械拋光,以清除軟化層。
2023-12-28 15:13:06409

SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù)

需要指出的是,CMP 技術(shù)通過化學(xué)機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中,拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng),生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負(fù)責(zé)物理機(jī)械拋光,清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31335

同步熱分析儀:材料分析的重要工具

同步熱分析儀是一種在材料科學(xué)、化學(xué)、物理等領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的實(shí)驗(yàn)設(shè)備。它結(jié)合了熱重分析(TGA)和差熱分析(DSC)兩種技術(shù),能夠同時(shí)測量樣品的質(zhì)量和熱量變化,提供關(guān)于樣品熱性質(zhì)和化學(xué)反應(yīng)的豐富信息
2023-12-20 13:56:39215

顯示驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告

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2023-12-11 19:58:459

BMS電池管理芯片產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告

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2023-12-11 19:34:5911

功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告

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2023-12-11 11:19:3514

華海清科:12英寸超精密晶圓減薄機(jī)Versatile-GP300已獲得小批量訂單

在北京亦莊項(xiàng)目建設(shè)方面,華海清科據(jù)公司的子公司華海清科北京在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)實(shí)行“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,用于公司開展化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、減薄設(shè)備、濕法設(shè)備等高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、建設(shè)周期預(yù)計(jì)26個(gè)月。
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CMP拋光墊有哪些重要指標(biāo)?

CMP(Chemical Mechanical Polishing)即“化學(xué)機(jī)械拋光”,是為了克服化學(xué)拋光機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
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日置化學(xué)阻抗分析儀IM3590

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化學(xué)機(jī)械研磨(cmp)工藝操作的基本介紹

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剛性機(jī)械臂的動(dòng)力學(xué)建模

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2023-11-17 17:03:34284

機(jī)械臂結(jié)構(gòu)是什么樣的

{4},{5}和{6}的原點(diǎn)。如下圖示。 對(duì)于機(jī)械臂, 通常將之看作“連桿結(jié)構(gòu)” ,連桿是由關(guān)節(jié)組合而成。因此在分析機(jī)械臂的時(shí)候需要為機(jī)械手的每一連桿建立一個(gè)坐標(biāo)系。 在分析連桿坐標(biāo)系時(shí), 通常需要在每個(gè)連桿上定義一個(gè)固連的坐標(biāo)系來表明每個(gè)
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芯秦微獲A+輪融資,用于化學(xué)機(jī)械拋光液產(chǎn)線建設(shè)

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表面化學(xué)分析、電子能譜、X射線光電子能譜峰擬合報(bào)告的基本要求

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近日,國內(nèi)專注于數(shù)字化市場的研究咨詢機(jī)構(gòu)愛分析發(fā)布《2023愛分析·低代碼開發(fā)平臺(tái)市場廠商評(píng)估報(bào)告》,數(shù)聚股份憑借在低代碼領(lǐng)域數(shù)十年的深度探索與積極創(chuàng)新,以豐富的行業(yè)積累、成熟的解決方案、完善的售后
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化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀及發(fā)展分析

儲(chǔ)能的本質(zhì)是實(shí)現(xiàn)能量時(shí)間和空間上的移動(dòng),讓能量更加可控。按技術(shù)角度分,儲(chǔ)能可分為機(jī)械儲(chǔ)能、電化學(xué)儲(chǔ)能、電磁儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能等多種路線,如圖1所示。目前,國內(nèi)可投入商業(yè)化應(yīng)用的儲(chǔ)能技術(shù)有抽水儲(chǔ)能、壓縮空氣儲(chǔ)能、飛輪儲(chǔ)能、鋰電池儲(chǔ)能、鉛酸電池儲(chǔ)能、蓄熱儲(chǔ)能等[1]。
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《電子工程師必備——九大系統(tǒng)電路識(shí)圖寶典》+附錄3回路分析

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微納共聚焦顯微鏡:檢測摩擦學(xué)研究的重難點(diǎn)

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射頻電路設(shè)計(jì)理論與應(yīng)用電子書分享

。在內(nèi)容安排上,本書力圖讓尚未系統(tǒng)學(xué)習(xí)過電磁場理論的電子類學(xué)科學(xué)生和工程技術(shù)人員也能了解和掌握射頻電路的基本設(shè)計(jì)方法和原則。全書共分10章,前4章介紹射頻傳輸?shù)奶攸c(diǎn)、傳輸線基本原理及作為射頻和微波分析
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中圖共聚焦顯微鏡在化學(xué)機(jī)械拋光課題研究中的應(yīng)用

兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力,研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué),目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向,其研究
2023-09-20 09:24:040

共聚焦顯微鏡——摩擦學(xué)領(lǐng)域的新款“滑板鞋”

兩個(gè)物體表面相互接觸即會(huì)產(chǎn)生相互作用力,研究具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的相互作用表面間的摩擦、潤滑與磨損及其三者之間關(guān)系即為摩擦學(xué),目前摩擦學(xué)已涵蓋了化學(xué)機(jī)械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個(gè)細(xì)分研究方向,其研究
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化學(xué)機(jī)械拋光(CMP) 技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題

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2023-09-19 07:23:03

CMP拋光液市場高速增長,到2023年市場規(guī)模將達(dá)到25億美元

得益于半導(dǎo)體業(yè)界的繁榮,世界cmp拋光液市場正在經(jīng)歷明顯的增長。cmp拋光液是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵成分,在實(shí)現(xiàn)集成電路制造的精度和效率方面發(fā)揮了關(guān)鍵作用。隨著技術(shù)的發(fā)展,半導(dǎo)體的格局不斷重新形成,對(duì)cmp拋光液的需求從來沒有這么高過。
2023-09-14 10:28:36664

精密測溫模塊ZAM6222在化學(xué)發(fā)光分析儀中的應(yīng)用

。化學(xué)發(fā)光分析儀的介紹及使用場景化學(xué)發(fā)光分析儀一般由主機(jī)和計(jì)算機(jī)兩部分組成。其中主機(jī)為儀器的運(yùn)行反應(yīng)測定部分,主要由材料配備模塊、液路模塊、溫度控制模塊、機(jī)械傳動(dòng)模塊、光路檢
2023-08-31 08:26:36371

9月6日閃光科技與您相約——北京分析測試學(xué)術(shù)報(bào)告會(huì)暨展覽會(huì)(BCEIA 2023)

? 北京分析測試學(xué)術(shù)報(bào)告會(huì)暨展覽會(huì)匯集了分析測試領(lǐng)域的專家、學(xué)者和企業(yè),展示最新的科研成果、技術(shù)和設(shè)備。促進(jìn)學(xué)術(shù)交流、推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、促進(jìn)合作,為分析測試領(lǐng)域的專業(yè)人士提供了一個(gè)寶貴的交流合作機(jī)會(huì)
2023-08-30 07:40:43314

pcb短路分析改善報(bào)告

pcb短路分析改善報(bào)告 背景說明 PCB(Printed Circuit Board)是電子產(chǎn)品中非常重要的部件,而其中的短路問題會(huì)給電路帶來嚴(yán)重的影響,甚至?xí)?dǎo)致電路的故障。因此,對(duì)PCB中的短路
2023-08-29 16:40:20918

平面拋光機(jī)的工藝要求

不同的加工目的選擇不同的加工方法。平面拋光機(jī)需要粗磨、細(xì)磨和拋光,以不斷提高加工零件的表面精度并降低表面粗糙度。超精密磨削的范圍很廣,主要包括機(jī)械磨削、彈性發(fā)射加工、浮
2023-08-28 08:08:59355

電子電路的基本概念和理論分析

本文旨在探討電子電路學(xué)習(xí)的各個(gè)方面,包括基本概念、理論分析、實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)、結(jié)果分析以及應(yīng)用與展望。通過對(duì)電子電路領(lǐng)域的深入研究,我們將揭示這一學(xué)科的魅力和挑戰(zhàn),并闡述其在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中的重要地位。
2023-08-24 09:20:371186

先進(jìn)封裝廠關(guān)于Bump尺寸的管控:BOKI_1000粗糙度測量設(shè)備-凹凸計(jì)量系統(tǒng)

以粗糙度指標(biāo)為例,電鍍工藝后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差,所以鍵合前需要對(duì)其表面進(jìn)行平坦化處理,如化學(xué)機(jī)械拋光(CMP),使得鍵合時(shí)Cu 表面能夠充分接觸,實(shí)現(xiàn)原子擴(kuò)散,由此可見把控Bump
2023-08-17 09:44:330

化學(xué)機(jī)械拋光CMP技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用及存在問題

2023-08-15 15:45:320

機(jī)械振動(dòng)分析儀和手動(dòng)的區(qū)別 機(jī)械振動(dòng)分析儀的基本步驟有哪些

機(jī)械振動(dòng)分析儀是一種自動(dòng)化設(shè)備,具有內(nèi)置傳感器和數(shù)據(jù)采集功能,可以自動(dòng)收集和分析振動(dòng)數(shù)據(jù)。而手動(dòng)方式需要人工操作來獲取振動(dòng)數(shù)據(jù),并使用其他手段進(jìn)行分析和解釋。 機(jī)械振動(dòng)分析儀通過高精度的傳感器
2023-08-09 17:14:38608

CMP的概念、重要性及工作原理

化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是晶圓制造的關(guān)鍵步驟,其作用在于減少晶圓表面的不平整,而拋光液、拋光墊是CMP技術(shù)的關(guān)鍵耗材,價(jià)值量較高,分別占CMP耗材49%和33%的價(jià)值量,其品質(zhì)直接影響著拋光效果,因而
2023-08-02 10:59:473411

半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)詳解

20世紀(jì)60年代以前,半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光,得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后,以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523

明天|2023開源安全風(fēng)險(xiǎn)分析報(bào)告解讀:開源無處不在,風(fēng)險(xiǎn)如何消散

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2023-07-27 17:40:05308

本周五|2023開源安全風(fēng)險(xiǎn)分析報(bào)告解讀:開源無處不在,風(fēng)險(xiǎn)如何消散

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2023-07-24 17:25:03314

下周五|2023開源安全風(fēng)險(xiǎn)分析報(bào)告解讀:開源無處不在,風(fēng)險(xiǎn)如何消散

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2023-07-21 18:20:03317

2023開源安全風(fēng)險(xiǎn)分析報(bào)告解讀:開源無處不在,風(fēng)險(xiǎn)如何消散

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2023-07-20 17:45:09356

北方華創(chuàng)發(fā)布首臺(tái)國產(chǎn)12英寸晶邊刻蝕機(jī)

據(jù)介紹,在器件制造過程中,由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光等工藝步驟的大幅增長,在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積,這些晶邊沉積的副產(chǎn)物及殘留物驟增導(dǎo)致的缺陷風(fēng)險(xiǎn)成為產(chǎn)品良率的嚴(yán)重威脅。
2023-07-19 15:02:26607

出于意料!電化學(xué)拋光過程出現(xiàn)馬氏體相變

化學(xué)拋光(EP)通過選擇性地去除工件表面區(qū)域中的特定零件(如粗糙度和氧化物)形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183030

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈叩門A股消息頻傳 盾源聚芯深主板IPO受理!

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈硅部件供應(yīng)商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈叩門A股消息頻傳,化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備供應(yīng)商晶亦精微,半導(dǎo)體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應(yīng)商寧夏
2023-07-18 10:43:08368

陶氏化學(xué)工廠爆炸 牽動(dòng)半導(dǎo)體關(guān)鍵耗材生產(chǎn)

陶氏化學(xué)公司是粘合劑,輔助劑等在內(nèi)的多種材料提供的高純度化學(xué)產(chǎn)品生產(chǎn)線的半導(dǎo)體核心化學(xué)材料的主要供應(yīng)商,也供應(yīng)全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613

晶亦精微沖刺科創(chuàng)板IPO 為國內(nèi)唯一8英寸CMP設(shè)備境外供應(yīng)商

。 晶亦精微主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售及技術(shù)服務(wù),主要產(chǎn)品為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備及其配件,并提供技術(shù)服務(wù)。目前主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設(shè)備,是國內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)8英寸CMP設(shè)備境外批量銷售的設(shè)備供應(yīng)商。
2023-07-14 11:01:15460

一文詳解CMP設(shè)備和材料

在前道加工領(lǐng)域:CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程:光刻、刻蝕、薄膜生長、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝,其中根據(jù)工藝段來分可以分為前段制程(FEOL)和后段制程(BEOL)
2023-07-10 15:14:333567

MSDS報(bào)告是什么意思,MSDS查詢網(wǎng)鋰離子電池MSDS認(rèn)證

一、MSDS報(bào)告是什么意思,MSDS查詢網(wǎng) MSDS(Material Safety Data Sheet)——國際上稱作物質(zhì)安全數(shù)據(jù)表或化學(xué)品安全技術(shù)說明書,簡稱MSDS報(bào)告。隨著發(fā)達(dá)國家環(huán)境保護(hù)
2023-07-05 15:21:05386

什么是深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)?深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)算法應(yīng)用分析

什么是深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)? 眾所周知,人類擅長解決各種挑戰(zhàn)性的問題,從低級(jí)的運(yùn)動(dòng)控制(如:步行、跑步、打網(wǎng)球)到高級(jí)的認(rèn)知任務(wù)。
2023-07-01 10:29:501000

降低電源紋波的理論與應(yīng)用分析

本文以某單板在調(diào)試過程中的電源紋波過大問題,分析了開關(guān)DC/DC電源中紋波產(chǎn)生的原因、紋波大小的影響因素,在理論分析了減小紋波的方法,并通過對(duì)實(shí)際電路參數(shù)的更改,降低了電源紋波值,將電源變的更加干凈。
2023-06-26 16:24:17786

為什么燈具要做高低溫沖擊試驗(yàn)報(bào)告?

沖擊試驗(yàn)過程中,經(jīng)高溫高壓試驗(yàn),不得出現(xiàn)表面脫漆、變色、開裂、材料變形等異常現(xiàn)象;沖擊試驗(yàn),燈具無漏電、點(diǎn)燈不亮等電氣異?,F(xiàn)象。 沖擊試驗(yàn)是瞬時(shí)和破壞性的。理論上,跌落試驗(yàn)也是一種沖擊。一般來說
2023-06-26 11:12:39

什么是電拋光smt鋼網(wǎng)工藝?

拋光smt鋼網(wǎng)是什么工藝,它與其他smt鋼網(wǎng)相比有哪些優(yōu)點(diǎn)呢,今天我們?yōu)榇蠹易錾钊氲闹v解,希望幫助大家在選購適合自己工廠真正需要的smt鋼網(wǎng)。
2023-06-19 10:17:44569

氧氣傳感器在化學(xué)工業(yè)中的應(yīng)用

化學(xué)工業(yè)(chemical industry)又稱化學(xué)加工工業(yè),泛指生產(chǎn)過程中化學(xué)方法占主要地位的過程工業(yè)。化學(xué)工業(yè)是從19世紀(jì)初開始形成,并發(fā)展較快的一個(gè)工業(yè)部門。化學(xué)工業(yè)在許多國家的國民經(jīng)濟(jì)
2023-06-16 10:28:14255

電阻分壓的實(shí)際值比理論值高近1V的,怎么回事

如上圖所示,有兩個(gè)電源,一個(gè)是12V輸入進(jìn)DCDC輸出5V給單片機(jī)供電。另一個(gè)電源是24V輸入,通過MOS管控制來對(duì)外輸出。其中24V電壓輸入通過R4 R7分壓進(jìn)單片機(jī)的ADC進(jìn)行電壓采樣。理論
2023-06-14 22:20:31

基于深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)的視覺反饋機(jī)械臂抓取系統(tǒng)

機(jī)械臂抓取擺放及堆疊物體是智能工廠流水線上常見的工序,可以有效的提升生產(chǎn)效率,本文針對(duì)機(jī)械臂的抓取擺放、抓取堆疊等常見任務(wù),結(jié)合深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)及視覺反饋,采用AprilTag視覺標(biāo)簽、后視經(jīng)驗(yàn)回放機(jī)制
2023-06-12 11:25:221214

行業(yè)方案|數(shù)商云化學(xué)品行業(yè)SRM供應(yīng)商管理系統(tǒng)解決方案

一、化學(xué)品行業(yè)背景分析 化學(xué)品行業(yè)被廣泛應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域,如農(nóng)業(yè)、食品、醫(yī)藥、建筑等。該行業(yè)的戶數(shù)龐大,種類繁多,市場廣闊。同時(shí),歷來受歡迎的使用化學(xué)品催生了越來越多的供應(yīng)商。這一切都導(dǎo)致了該行
2023-06-09 09:08:39328

一文讀懂CMP拋光

在現(xiàn)代工業(yè)中,表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求,往往需要進(jìn)行拋光處理。
2023-06-08 11:13:552653

藍(lán)寶石在化學(xué)機(jī)械拋光過程中的材料去除機(jī)理

化學(xué)腐蝕點(diǎn)處的濃度越高,腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動(dòng),我們假設(shè)在腐蝕點(diǎn)處的濃度可以保持初始時(shí)的濃度,腐蝕率以最快的速度發(fā)生,則拋光液不同的PH值對(duì)應(yīng)一個(gè)腐蝕率,由此可見,去除速率與PH值有關(guān),PH越高,速率越快。
2023-06-02 15:24:06347

keysight是德科技85050B機(jī)械校準(zhǔn)套件

精密機(jī)械校準(zhǔn)套件包含精密標(biāo)準(zhǔn)器件,用于通過 7 mm 接口表征 Keysight 網(wǎng)絡(luò)分析儀的系統(tǒng)誤差。 該套件還包含用于更改測試端口極性的適配器、用于驗(yàn)證和維護(hù)
2023-05-31 13:53:15

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響,并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215

化學(xué)傳感器原理及應(yīng)用 全面了解電化學(xué)化學(xué)傳感器

? 電化學(xué)傳感器是通過電化學(xué)反應(yīng)過程的電信號(hào)(一般包括電位、電流、阻抗等)對(duì)待測對(duì)象進(jìn)行檢測的一種化學(xué)分析技術(shù)。電化學(xué)傳感器因其對(duì)特殊靶標(biāo)例如血糖、尿酸、乳酸等代謝物、血?dú)?、農(nóng)藥殘留、重金屬離子
2023-05-31 08:39:002350

半導(dǎo)體制冷技術(shù)應(yīng)用--腫瘤免疫化學(xué)發(fā)光檢測儀

化學(xué)發(fā)光免疫分析法是將化學(xué)反應(yīng)系統(tǒng)與免疫系統(tǒng)相結(jié)合,用于檢測抗原或抗體。用化學(xué)發(fā)光試劑標(biāo)記抗原和抗體,既有免疫反應(yīng)的特異性,又具有化學(xué)發(fā)光反應(yīng)的高敏感性,操作方法簡單便捷,重復(fù)性好、無污染,在臨床
2023-05-30 16:12:16348

機(jī)器人復(fù)雜曲面打磨拋光主軸 全自動(dòng)高精度打磨很簡單

速科德Kasite打磨拋光主軸主要對(duì)高精度零件的加工處理,如汽車零部件、光纖接插件陶瓷加工、義齒加工雕銑等行業(yè)。這些高精度零件如果在拋光打磨過程中稍有誤差可能就會(huì)導(dǎo)致零件的報(bào)廢,造成較大的經(jīng)濟(jì)損失,因此一款高精度高性能打磨拋光主軸就顯得尤為重要。
2023-05-29 17:39:48743

管板換熱器熱與機(jī)械應(yīng)力分析

設(shè)計(jì)規(guī)范和有限元分析軟件的融合。目前分析設(shè)計(jì)絕大部分采用有限元軟件完成,但規(guī)范對(duì)如何運(yùn)用有限元軟件進(jìn)行壓力容器及其元件的設(shè)計(jì)和評(píng)估并未給出詳細(xì)的指導(dǎo)。
2023-05-23 14:52:25630

關(guān)于電磁理論的科普

電磁理論已是一門成熟的學(xué)科,其中發(fā)現(xiàn)對(duì)稱性思想作為主線之一貫穿于電磁理論發(fā)展的歷史,并起著非常重要的作用。
2023-05-22 14:38:38210

《運(yùn)放電路環(huán)路穩(wěn)定性設(shè)計(jì) 原理分析、仿真計(jì)算、樣機(jī)測試》+理論與實(shí)際結(jié)合加深理解和實(shí)戰(zhàn)運(yùn)用

符合實(shí)際要求的運(yùn)放電路,達(dá)到實(shí)際應(yīng)用的目的。首先,進(jìn)行簡單運(yùn)放電路分析,運(yùn)用反饋控制理論和穩(wěn)定性判定準(zhǔn)則進(jìn)行時(shí)域/頻域計(jì)算和仿真,當(dāng)計(jì)算結(jié)果和仿真結(jié)果一致時(shí)再進(jìn)行實(shí)際電路測試,使三者有機(jī)統(tǒng)一;然后
2023-05-22 12:37:54

用于柔性化學(xué)傳感器的功能性水凝膠

水凝膠由于其獨(dú)特的3D結(jié)構(gòu)、高滲透性、離子導(dǎo)電性和類組織機(jī)械性能,在柔性化學(xué)傳感器領(lǐng)域引起了相當(dāng)大的關(guān)注。
2023-05-18 09:30:27394

LPDDR4信號(hào)測試報(bào)告分析

項(xiàng)目,下面針對(duì)Fail項(xiàng)目來一項(xiàng)項(xiàng)分析。   二、 數(shù)據(jù)分析   開始分析前,我們先確認(rèn)這確實(shí)是Read Mode的分析報(bào)告,下圖是開始分析前抓的Waveform, DQS 和 DQ 相位
2023-05-16 15:43:05

硅晶片的酸基蝕刻:傳質(zhì)和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機(jī)械化學(xué)工藝制備的。首先,硅單晶錠被切成圓盤(晶片),然后是一個(gè)稱為拍打的扁平過程,包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機(jī)械損傷,蝕刻之后是各種單元操作,如拋光和清洗之前,它已經(jīng)準(zhǔn)備好為設(shè)備制造。
2023-05-16 10:03:00584

模塊化機(jī)械臂上位機(jī)設(shè)計(jì)及下位機(jī)通信

本周完成機(jī)械臂上位機(jī)界面各模塊程序編寫,并借用師兄圖像識(shí)別代碼完成機(jī)械臂位置控制,此外本周還進(jìn)行了srtp結(jié)題材料準(zhǔn)備,撰寫研究報(bào)告
2023-05-10 11:02:061

如何讓自動(dòng)拋光設(shè)備達(dá)到理想的拋光效果

一、自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果因素自動(dòng)拋光機(jī)的拋光效果取決于多個(gè)因素,除了自動(dòng)拋光機(jī)本身的質(zhì)量以外,還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料,要拋光物件材質(zhì),操作者的經(jīng)驗(yàn)技術(shù)等,在條件都合適的情況下,自動(dòng)
2023-05-05 09:57:03535

你真的懂機(jī)械設(shè)計(jì)嗎?

機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理是機(jī)械工程中最基礎(chǔ)的內(nèi)容之一,它是通過對(duì)機(jī)械力學(xué)和材料力學(xué)的基本原理和公式進(jìn)行分析和計(jì)算,來進(jìn)行機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的過程。機(jī)械結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原理包括靜力學(xué)、動(dòng)力學(xué)、強(qiáng)度學(xué)和剛度學(xué)等方面的知識(shí)
2023-04-25 14:16:52739

《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā)

書籍:《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章:III-V族化學(xué)-機(jī)械拋光工藝開發(fā) 編號(hào):JFKJ-21-214 作者:炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)
2023-04-18 10:05:00151

利用有機(jī)電化學(xué)晶體管放大微弱的生物化學(xué)信號(hào)

人體內(nèi)的生物化學(xué)信號(hào)通常非常微弱,很難直接進(jìn)行檢測和分析。據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,美國西北大學(xué)(Northwestern University)的研究人員基于有機(jī)電化學(xué)晶體管開發(fā)了一種新方法
2023-04-15 09:38:241267

通過物聯(lián)網(wǎng)網(wǎng)關(guān)實(shí)現(xiàn)拋光設(shè)備數(shù)據(jù)采集遠(yuǎn)程監(jiān)控

拋光工作在電鍍、涂裝、陽極氧化等表面處理過程中發(fā)揮重要作用。早期的拋光工作由工人手動(dòng)操作,通過經(jīng)驗(yàn)和觀察進(jìn)行打磨拋光。此種作業(yè)方式既損害環(huán)境和身體健康,也具備較大的安全風(fēng)險(xiǎn)和人力成本,逐漸被自動(dòng)拋光
2023-04-14 10:21:59338

超精密拋光技術(shù),不簡單!

很早以前看過這樣一個(gè)報(bào)道:德國、日本等國家的科學(xué)家耗時(shí)5年時(shí)間,花了近千萬元打造了一個(gè)高純度的硅-28材料制成的圓球,這個(gè)1kg純硅球要求超精密加工研磨拋光、精密測量(球面度、粗糙度和質(zhì)量),可謂
2023-04-13 14:24:341685

研究報(bào)告丨汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告

自己的模板 研究 報(bào)告《 汽車MCU產(chǎn)業(yè)鏈分析報(bào)告》,如需領(lǐng)取報(bào)告,請(qǐng)關(guān)注公眾號(hào),后臺(tái)回復(fù) ? MCU? 即可領(lǐng)??! 聲明 : 本文由電子發(fā)燒友原創(chuàng) ,轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明以上來源。如需入群交流 ,請(qǐng)?zhí)砑?/div>
2023-04-12 15:10:02390

被卡脖子的半導(dǎo)體材料(萬字深度報(bào)告

根據(jù)SEMI數(shù)據(jù),2020年全球晶圓制造材料中,硅片占比最高,為35%;電子氣體排名第2,占比13%;掩膜版排名第3,占比12%,光刻膠占比6%;光刻膠配套材料占比8% ;濕電子化學(xué)品占比7%;CMP拋光材料占比6%;靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119

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