化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）在半導(dǎo)體工業(yè)內(nèi)部得到了廣泛的應(yīng)用，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）加工處理的質(zhì)量不僅要通過最終的表面平面度，而且也要通過拋光時(shí)人為造成缺陷的程度來評(píng)價(jià)，這些人為造成的缺陷包括：1）碟形
2020-07-30 17:55:16
1407 
隨著薄膜厚度的增加而變化，阻止了NCD薄膜在需要光滑薄膜的器件中達(dá)到其全部潛力。為了減少這種粗糙度，薄膜已經(jīng)使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)進(jìn)行了拋光。羅技摩擦聚光拋光工具配備聚氨酯/聚酯拋光布和堿性膠體硅拋光液已被用于拋光NCD薄膜。用原子力顯微鏡、掃描電
2022-01-25 13:18:391786 
摘要 化學(xué)機(jī)械平面化后的葉片清洗，特別是刷子擦洗，是半導(dǎo)體器件制造的一個(gè)關(guān)鍵步驟，尚未得到充分了解。臨界粒子雷諾數(shù)方法用于評(píng)估在刷擦洗過程中去除晶圓表面的粘附顆粒，或者是否必須發(fā)生刷-粒子接觸?？紤]
2022-04-27 16:55:061226 
在芯片制造制程和工藝演進(jìn)到一定程度、摩爾定律因沒有合適的拋光工藝無法繼續(xù)推進(jìn)之時(shí)，CMP技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，是集成電路制造過程中實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的關(guān)鍵工藝。傳統(tǒng)的機(jī)械拋光和化學(xué)拋光去除速率均低至無法滿足
2023-02-03 10:27:053660 
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合，這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到一個(gè)墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉(zhuǎn)。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06359 
材料 去除的影響。重點(diǎn)綜述了傳統(tǒng)化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中的游離磨料和固結(jié)磨料工藝以及化學(xué)機(jī)械拋光的輔助增效工藝。同時(shí)從工藝條件、加工效果、加工特點(diǎn)及去除機(jī)理 4 個(gè)方面歸納了不同形式的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)，最后對(duì)碳化硅的化學(xué) 機(jī)械拋光技術(shù)的未來發(fā)展方向進(jìn)行了展望，并對(duì)今后研究的側(cè)重點(diǎn)提出了相關(guān)思路。
2024-01-24 09:16:36431 
本人5年工作經(jīng)驗(yàn)，主要負(fù)責(zé)半導(dǎo)體工藝及產(chǎn)品開發(fā)相關(guān)工作，工藝方面對(duì)拋光、切割比較精通，使用過NTS/DISCO/HANS等設(shè)備，熟悉設(shè)備參數(shù)設(shè)置，工藝改善等，產(chǎn)品開發(fā)方面熟悉新產(chǎn)品導(dǎo)入流程。目前本人已經(jīng)離職，尋找四川境內(nèi)相關(guān)工作，如有機(jī)會(huì)請(qǐng)與我聯(lián)系：***，謝謝！
2016-10-12 10:11:16
` 本帖最后由 firstchip 于 2015-1-20 10:54 編輯
北京飛特馳科技有限公司對(duì)外提供6英寸半導(dǎo)體工藝代工服務(wù)和工藝加工服務(wù)，包括：產(chǎn)品代工、短流程加工、單項(xiàng)工藝加工等
2015-01-07 16:15:47
隨著半導(dǎo)體工業(yè)沿著摩爾定律的曲線急速下降 ,驅(qū)使加工工藝向著更高的電流密度、更高的時(shí)鐘頻率和更多的互聯(lián)層轉(zhuǎn)移。由于器件尺寸的縮小、光學(xué)光刻設(shè)備焦深的減小 , 要求片子表面可接受的分辨率的平整度達(dá)到
2023-09-19 07:23:03
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
半導(dǎo)體工藝
2012-08-20 09:02:05
有沒有半導(dǎo)體工藝方面的資料啊
2014-04-09 22:42:37
半導(dǎo)體發(fā)展至今，無論是從結(jié)構(gòu)和加工技術(shù)多方面都發(fā)生了很多的改進(jìn)，如同Gordon E. Moore老大哥預(yù)測(cè)的一樣，半導(dǎo)體器件的規(guī)格在不斷的縮小，芯片的集成度也在不斷提升，工藝制程從90nm
2020-12-10 06:55:40
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-07-05 08:13:58
業(yè)界對(duì)哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一給定應(yīng)用存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-20 08:01:20
半導(dǎo)體工藝講座ObjectiveAfter taking this course, you will able to? Use common semiconductor terminology
2009-11-18 11:31:10
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
大家好！ 附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案，請(qǐng)參考，謝謝！有問題聯(lián)系我：*** szldqxy@163.com
2010-04-22 12:27:32
機(jī)械加工工藝分析 1 超精度研磨工藝 速加網(wǎng)機(jī)械的加工過程中對(duì)于其加工表面的粗糙程度有著嚴(yán)格的要求，如在（1～2）cm應(yīng)保持相同水平的粗糙精度，在傳統(tǒng)的加工工藝中一般采用硅片拋光來達(dá)到這一要求。而
2018-11-15 17:55:38
。加工工藝：MEMS技術(shù)基于已經(jīng)相當(dāng)成熟的微電子技術(shù)、集成電路技術(shù)及其加工工藝。它與傳統(tǒng)的IC工藝有許多相似之處，如光刻、薄膜沉積、摻雜、刻蝕、化學(xué)機(jī)械拋光工藝等，但是有些復(fù)雜的微結(jié)構(gòu)難以用IC工藝
2016-12-09 17:46:21
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個(gè)方面.
2021-01-01 07:13:12
一個(gè)比較經(jīng)典的半導(dǎo)體工藝制作的課件，英文的，供交流……
2012-02-26 13:12:24
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V/SOI 波導(dǎo)電路的化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)編號(hào)：JFSJ-21-064作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:14:11
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：III-V族半導(dǎo)體納米線結(jié)構(gòu)的光子學(xué)特性編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技 摘要：III-V 族半導(dǎo)體納米線 (NW) 由于其沿納米線軸對(duì)電子和光子
2021-07-09 10:20:13
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：半導(dǎo)體行業(yè)的濕化學(xué)分析——總覽編號(hào)：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對(duì)液體和溶液進(jìn)行
2021-07-09 11:30:18
0.000001 至 0.1% 的摻雜劑即可使半導(dǎo)體材料達(dá)到有用的電阻率范圍。半導(dǎo)體的這種特性允許在材料中創(chuàng)建具有非常精確電阻率值的區(qū)域。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲取：hlknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:38:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：CMOS 單元工藝編號(hào)：JFSJ-21-027作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圓生產(chǎn)需要三個(gè)一般過程：硅
2021-07-06 09:32:40
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：Ga-N 系統(tǒng)的熱力學(xué)分析編號(hào)：JFSJ-21-043作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：純冷凝和氣態(tài)鎵
2021-07-07 10:28:12
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaAs/Al0.4Ga0.6As微加速度計(jì)的設(shè)計(jì)與制作編號(hào)：JFSJ-21-042作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-07 10:22:15
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊(cè)編號(hào)：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測(cè)量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號(hào)：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學(xué)蝕刻編號(hào)：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導(dǎo)體具有許多特性，使其對(duì)高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用編號(hào)：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN的晶體濕化學(xué)蝕刻[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 目前
2021-07-07 10:24:07
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：IC制造工藝編號(hào)：JFSJ-21-046作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：集成電路的制造主要包括以下工藝
2021-07-08 13:13:06
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：InGaP 和 GaAs 在 HCl 中的濕蝕刻編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技關(guān)鍵字：InGaP，濕法蝕刻，蝕刻速率 在H3P04和H202不同含量
2021-07-09 10:23:37
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：n-GaN的電化學(xué)和光刻編號(hào)：JFKJ-21-820作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：在硅上生長(zhǎng)的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號(hào)：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長(zhǎng)的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：微鏡角度依賴性與蝕刻劑選擇編號(hào)：JFKJ-21-047作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html抽象的：在為微光學(xué)創(chuàng)建
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號(hào)：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個(gè)芯片上集成多個(gè)
2021-07-06 09:38:20
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：用于半導(dǎo)體封裝基板的化學(xué)鍍 Ni-P/Pd/Au編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技 隨著便攜式電子設(shè)備的普及，BGA（球柵陣列）越來越多地用于安裝在高密度
2021-07-09 10:29:30
清潔 - 表面問題：金屬污染的起源：來源：設(shè)備、工藝、材料和人力，Si表面的過渡金屬沉淀是關(guān)鍵。去污：可以對(duì)一些暴露于堿或其他金屬污染物的基材進(jìn)行去污。晶片不得含有任何污染薄膜。這通常在硅的 KOH
2021-07-01 09:42:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學(xué)蝕刻的比較編號(hào)：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
溫度和機(jī)械老化去除氧氣。10.去激活n 涉及添加化學(xué)物質(zhì)，如 Na2所以3, NH2 —— NH2?H2哦 哪個(gè)H 吸收乙 氧。11.環(huán)境的除濕是通過添加氧化鋁或硅膠來完成的。這些化學(xué)物質(zhì)從金屬表面
2021-07-01 09:40:10
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)簡(jiǎn)介編號(hào)：JFSJ-21-076作者：炬豐科技概括VLSI制造中使用的材料材料根據(jù)其導(dǎo)電特性可分為三大類：絕緣體導(dǎo)體半導(dǎo)體
2021-07-09 10:26:01
125、150 或 200 毫米（5、6 或 8 英寸）。然而，未加工的純硅有一個(gè)主要的電氣特性：它是一種絕緣材料。因此，必須通過良好控制的工藝來改變硅的某些特征。這是通過“摻雜”硅獲得的。金屬沉積過程：蝕刻過程：組裝過程描述：文章全部詳情，請(qǐng)加V獲?。篽lknch/xzl1019如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系作者刪除
2021-07-01 09:34:50
哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用？對(duì)此，業(yè)界存在著廣泛的爭(zhēng)論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用，但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP
2019-08-02 08:23:59
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
拋光工藝是指激光切割好鋼片后，對(duì)鋼片表面進(jìn)行毛刺處理的一個(gè)工藝。電解拋光處理后的效果要優(yōu)于打磨拋光，因此電解拋光工藝常用于有密腳元件的鋼網(wǎng)上。建議IC引腳中心間距在0.5及以下的（包括BGA）推薦用電解拋光。
2018-09-22 14:02:28
去的三十年里，III-V 技術(shù)（GaAs 和InP）已經(jīng)逐漸擴(kuò)大到這個(gè)毫米波范圍中。新近以來，由于工藝尺寸持續(xù)不斷地減小，硅技術(shù)已經(jīng)加入了這個(gè)“游戲”。在本文中，按照半導(dǎo)體特性和器件要求，對(duì)可用
2019-07-31 07:43:42
FPGA在系統(tǒng)中表現(xiàn)出的特性是由芯片制造的
半導(dǎo)體工藝決定的，當(dāng)然它們之間的關(guān)系比較復(fù)雜。過去，在每一節(jié)點(diǎn)會(huì)改進(jìn)
工藝的各個(gè)方面，每一新器件的最佳
工藝選擇是尺寸最小的最新
工藝。現(xiàn)在，情況已不再如此?！ ?/div>
2019-09-17 07:40:28
的美國(guó)派更半導(dǎo)體公司（PeregrineSemiconductorCorp.）開發(fā)的。在藍(lán)寶石底板上形成單晶硅薄膜，然后再利用CMOS工藝形成電路。作為采用具有良好絕緣性的藍(lán)寶石的SOS底板，與硅底板
2016-09-15 11:28:41
電化學(xué)和機(jī)械平坦化技術(shù)的新穎銅平坦化工藝———電化學(xué)機(jī)械拋光（ＥＣＭＰ）應(yīng)運(yùn)而生，ＥＣＭＰ 在很低的壓力下實(shí)現(xiàn)了對(duì)銅的平坦化，解決了多孔低介電常數(shù)介質(zhì)的平坦化問題，被譽(yù)為未來半導(dǎo)體平坦化技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)
2009-10-06 10:08:07
問個(gè)菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝 來個(gè)人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝 硅工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下：集成電路工藝（integrated
2009-09-16 11:51:34
;nbsp; 用激光對(duì)晶圓進(jìn)行精密劃片是晶圓-尤其是易碎的單晶半導(dǎo)體晶圓如硅晶圓刀片機(jī)械劃片裂片的替代工藝。激光能對(duì)所有
2010-01-13 17:01:57
絕大部分工藝都是相似的。各個(gè)工藝環(huán)節(jié)對(duì)純水的要求也是大同小異。我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中常用到的電鍍銅，錫，鎳金;化學(xué)鍍鎳金;PTH/黑孔;表面處理蝕刻等生產(chǎn)過程都需要用到不同要求的純水?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體用純水典型
2013-08-12 16:52:42
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展，高頻電路應(yīng)用越來越廣，今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41
III-V族化合物,III-V族化合物是什么意思
III-V族化合物半導(dǎo)體;III-V group elements compound semiconductor 分子式：CAS號(hào)：
2010-03-04 12:16:163788 阿爾卡特朗訊貝爾實(shí)驗(yàn)室、Thales與CEA-Letu日前聯(lián)合宣布，CEA-Leti已加入III-V實(shí)驗(yàn)室，增強(qiáng)研發(fā)中心的產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力，該實(shí)驗(yàn)室居于全歐洲III-V半導(dǎo)體材料研究領(lǐng)域的最前沿
2011-04-09 09:41:201003 超平滑無損傷銅表面的超精密加工技術(shù)在微電子器件和微機(jī)電系統(tǒng)制造中具有廣泛的需求。目前，化學(xué)機(jī)械拋光作為常見的超精密加工技術(shù)，在超光滑超平整表面加工中得到廣泛應(yīng)用，但由于其加工過程中的機(jī)械作用
2018-02-04 10:01:45
0 化學(xué)機(jī)械拋光（chemical mechanical polishing，簡(jiǎn)稱CMP）技術(shù)幾乎是迄今惟一的可以提供全局平面化的表面精加工技術(shù)，可廣泛用于集成電路芯片、計(jì)算機(jī)硬磁盤、微型機(jī)械
2018-11-16 08:00:0014 摘要：化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是目前廣泛采用的幾乎唯一的高精度全局平面化技術(shù)。拋光后表面的清洗質(zhì)量直接關(guān)系到CMP技術(shù)水平的高低。介紹了各種機(jī)械、物理及化學(xué)清洗方法與工藝技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)，指出
2020-12-29 12:03:261548 半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理。
2021-03-19 17:07:23111 介紹了硅拋光片在硅材料產(chǎn)業(yè)中的定位和市場(chǎng)情況，化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)的特點(diǎn)，硅拋光片大尺寸化技術(shù)問題和發(fā)展趨勢(shì)，以及硅拋光片技術(shù)指標(biāo)，清洗工藝組合情況等
2021-04-09 11:29:5935 在亞微米半導(dǎo)體制造中，器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)，這幾乎是目前唯一的可以提供在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光的基本工作原理、發(fā)展?fàn)顩r及存在問題。
2021-04-09 11:43:519 在亞微米半導(dǎo)體制造中 ， 器件互連結(jié)構(gòu)的平坦化正越來越廣泛采用化學(xué)機(jī)械拋光 （CMP） 技術(shù) ， 這幾乎是目前唯一的可以提供在整個(gè)硅圓晶片上全面平坦化的工藝技術(shù)。本文綜述了化學(xué)機(jī)械拋光的基本工作原理、發(fā)展?fàn)顩r及存在問題。
2021-06-04 14:24:4712 氮化鎵晶片的化學(xué)機(jī)械拋光工藝綜述
2021-07-02 11:23:3644 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V的光子學(xué)特性 編號(hào)：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:0093 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號(hào)：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝?；?b class="flag-6" style="color: red">III-V半導(dǎo)體的器件，?這項(xiàng)工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
功率放大器在機(jī)械拋光研究中的應(yīng)用綜述
2021-08-27 16:46:3417 引言 化學(xué)機(jī)械拋光是實(shí)現(xiàn)14納米以下半導(dǎo)體制造的最重要工藝之一。此外，化學(xué)機(jī)械拋光后缺陷控制是提高產(chǎn)量和器件可靠性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。由于亞14納米節(jié)點(diǎn)結(jié)構(gòu)器件的復(fù)雜性，化學(xué)機(jī)械拋光引起的缺陷需要固定
2022-01-11 16:31:39442 
索引術(shù)語—清洗、化學(xué)機(jī)械拋光、乙二胺四乙酸、多晶硅、三氧化二氫。 摘要 本文為后化學(xué)機(jī)械拋光工藝開發(fā)了新型清洗液，在稀釋的氫氧化銨(NH4OH+H2O)堿性水溶液中加入表面活性劑四甲基氫氧化銨
2022-01-26 17:21:18550 
化學(xué)機(jī)械拋光最初用于玻璃和硅片拋光。隨著其功能的增加，化學(xué)機(jī)械拋光被引入到平面化層間電介質(zhì)(ILD)、淺溝槽隔離(STI)和用于片上多級(jí)互連的鑲嵌金屬布線中。該工藝適用于半導(dǎo)體加工
2022-01-27 11:39:13662 
的組成，我們研究了兩種類型的晶體表面形態(tài)，拋光和鈍化的薄膜，形成后的化學(xué)動(dòng)態(tài)(CDP)和/或化學(xué)機(jī)械拋光(化學(xué)機(jī)械拋光)在溶液中，飽和的溶劑和氧化劑，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在拋光蝕刻劑中，CDP和CMP工藝均能形成
2022-02-14 16:47:05447 
摘要 III-V材料與絕緣子上硅平臺(tái)的混合集成是一種很有前景的技術(shù)。二乙烯基硅氧烷-雙苯并環(huán)丁烯(簡(jiǎn)稱DVS-BCB或BCB)是作為一種技術(shù)出現(xiàn)適合在工業(yè)規(guī)模上實(shí)現(xiàn)這樣的集成。耦合為這些混合器
2022-02-24 14:02:481357 
幾乎所有的直接晶圓鍵合都是在化學(xué)機(jī)械拋光的基板之間或在拋光基板頂部的薄膜之間進(jìn)行的。在晶圓鍵合中引入化學(xué)機(jī)械拋光將使大量材料適用于直接晶圓鍵合，這些材料在集成電路、集成光學(xué)、傳感器和執(zhí)行器以及微機(jī)電系統(tǒng)中已經(jīng)發(fā)現(xiàn)并將發(fā)現(xiàn)更多應(yīng)用。
2022-03-23 14:16:001272 
采用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝，在半導(dǎo)體工業(yè)中已被廣泛接受氧化物電介質(zhì)和金屬層平面化。使用它以確保多層芯片之間的互連是實(shí)現(xiàn)了介質(zhì)材料的可靠和厚度是一致且充分的。在CMP過程中，晶圓是當(dāng)被載體
2022-03-23 14:17:511643 
機(jī)械拋光基本程序  要想獲得高質(zhì)量的拋光效果，最重要的是要具備有高質(zhì)量的油石、砂紙和鉆石研磨膏等拋光工具和輔助品。而拋光程序的選擇取決于前期加工后的表面狀況，如機(jī)械加工、電火花加工，磨加工等等。
2022-04-12 09:53:585215 CMP 所采用的設(shè)備及耗材包括拋光機(jī)、拋光液（又稱研磨液)、拋光墊、拋光后清洗設(shè)備、拋光終點(diǎn)(End Point)檢測(cè)及工藝控制設(shè)備、廢物處理和檢測(cè)設(shè)備等。
2022-11-08 09:48:1211572 半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經(jīng)聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會(huì)去關(guān)注它成品之前的過程，接下來我們就聊聊其工藝流程。今天我們來聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502034 
使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度的影響，并對(duì)工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級(jí)光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)鏈接：8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（CMP）∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》?
2022-03-01 10:40:56337 
審稿人：浙江大學(xué)余學(xué)功https://www.zju.edu.cn9.6工藝輔助材料第9章集成電路專用材料《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)鏈接：8.8.10化學(xué)機(jī)械拋光機(jī)（
2022-02-28 11:20:38271 超精密兩面拋光加工是化學(xué)機(jī)械拋光的應(yīng)用(CMP)技術(shù)性，借助產(chǎn)品工件、碾磨顆粒物、拋光劑和拋光輪的機(jī)械作用，在工件打磨拋光環(huán)節(jié)中，發(fā)生部分持續(xù)高溫和髙壓，使產(chǎn)品與碾磨顆粒物、拋光劑和拋光輪中間最直接
2022-11-01 11:38:532189 
CMP 主要負(fù)責(zé)對(duì)晶圓表面實(shí)現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個(gè)相互獨(dú)立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長(zhǎng)、擴(kuò)散、離子注入、化學(xué)機(jī)械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據(jù)工藝
2023-07-18 11:48:183030 
20世紀(jì)60年代以前，半導(dǎo)體基片拋光還大都沿用機(jī)械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴(yán)重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學(xué)機(jī)械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523 
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
重要的角色。 在半導(dǎo)體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲(chǔ)存和排放各種化學(xué)液體。這些化學(xué)液體可能是用于清洗半導(dǎo)體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導(dǎo)體表面的各種薄膜和污垢。在這個(gè)過程中，PFA管需要承受各種化學(xué)物質(zhì)的侵
2023-10-16 15:34:34258 化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術(shù)，拋光過程中，晶圓廠會(huì)根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標(biāo)要求的拋光液，來提高拋光效率和產(chǎn)品良率。
2023-11-16 16:16:35212 化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢(shì)介紹。
2023-11-29 10:05:09348 CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機(jī)械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
2023-12-05 09:35:19416 
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