9.6.8 化學(xué)機(jī)械拋光墊和化學(xué)機(jī)械修整盤∈《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》
Chemical Mechanical Polishing Pad and Conditioning Disc
http://page.anjimicro.com
審稿人：浙江大學(xué) 余學(xué)功
https://www.zju.edu.cn
9.6 工藝輔助材料
第9章 集成電路專用材料
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關(guān)注
關(guān)注
5368文章
11173瀏覽量
358476
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
機(jī)械拋光用的什么設(shè)備和輔助品
機(jī)械拋光是一種通過物理或化學(xué)作用改善材料表面粗糙度和光澤度的過程。這個過程通常用于金屬、塑料、玻璃和其他材料的表面處理。機(jī)械拋光設(shè)備和輔助品的選擇取決于材料類型、拋光目的和預(yù)期的表面質(zhì)
機(jī)械拋光和電解拋光的區(qū)別是什么
機(jī)械拋光和電解拋光是兩種常見的金屬表面處理技術(shù)，它們在工業(yè)制造、精密工程、醫(yī)療器械、汽車制造、航空航天等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。這兩種技術(shù)各有特點(diǎn)和優(yōu)勢，適用于不同的材料和場合。下面將介紹這兩種拋光技術(shù)
鼎龍股份CMP拋光液業(yè)務(wù)突破：千萬元級訂單助力產(chǎn)能擴(kuò)張
近日，鼎龍股份宣布了其子公司武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司（簡稱“鼎澤新材料”）在CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）拋光液領(lǐng)域的重大進(jìn)展，標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈中的核心地位進(jìn)一步鞏固。這一里程碑式的成就，不僅彰顯了鼎龍股份在技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)能建設(shè)上的雙重飛躍，也為其在高端制造領(lǐng)域的持續(xù)
日本研發(fā)電化學(xué)機(jī)械拋光(ECMP)技術(shù)
的重大障礙。
傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）方法，雖行之有效，卻依賴大量拋光液，不僅推高了生產(chǎn)成本，也對環(huán)境構(gòu)成了不小的壓力。
為破解這一難題，日本立命館大學(xué)的研究團(tuán)隊創(chuàng)新性地研發(fā)了電化學(xué)機(jī)械拋光（ECMP）技
晶亦精微科創(chuàng)板IPO過會
北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡稱“晶亦精微”）成功通過科創(chuàng)板首次公開募股（IPO）審核，這標(biāo)志著這家專注于半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的公司將迎來新的發(fā)展機(jī)遇。晶亦精微主要從事化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）設(shè)備及其配件的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售以及相關(guān)的技術(shù)服務(wù)，為集成電路制造商提供關(guān)鍵設(shè)備支持
化學(xué)機(jī)械研磨拋光CMP技術(shù)詳解
本文介紹了半導(dǎo)體研磨方法中的化學(xué)機(jī)械研磨拋光CMP技術(shù)。
碳化硅晶片的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究
為實(shí)現(xiàn)碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現(xiàn)有的碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光 技術(shù)進(jìn)行了總結(jié)和研究。針對碳化硅典型的晶型結(jié)構(gòu)及其微觀晶格結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，簡述了化學(xué)機(jī)械拋光
半導(dǎo)體行業(yè)中的化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)
最后的拋光步驟是進(jìn)行化學(xué)蝕刻和機(jī)械拋光的結(jié)合，這種形式的拋光稱為化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉(zhuǎn)支架上并且要降低到
SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù)，降低成本并加強(qiáng)ESG管理
CMP技術(shù)指的是在化學(xué)和機(jī)械的協(xié)同作用下，使得待拋光原料表面達(dá)到指定平面度的過程。化學(xué)藥水與原料接觸后，生成易于拋光的軟化層，隨后利用
SK海力士研發(fā)可重復(fù)使用CMP拋光墊技術(shù)
需要指出的是，CMP 技術(shù)通過化學(xué)與機(jī)械作用使得待拋光材料表面達(dá)到所需平滑程度。其中，拋光液中化學(xué)物質(zhì)與材料表面發(fā)生
華海清科：12英寸超精密晶圓減薄機(jī)Versatile-GP300已獲得小批量訂單
在北京亦莊項目建設(shè)方面，華海清科據(jù)公司的子公司華海清科北京在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)實(shí)行“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，用于公司開展化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備、減薄設(shè)備、濕法設(shè)備等高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)及
CMP拋光墊有哪些重要指標(biāo)？
CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學(xué)機(jī)械拋光”，是為了克服化學(xué)拋光和機(jī)械拋光的缺點(diǎn)
?cmp工藝是什么？化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹
化學(xué)機(jī)械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢介紹。
芯秦微獲A+輪融資，用于化學(xué)機(jī)械拋光液產(chǎn)線建設(shè)
化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術(shù)，拋光過程中，晶圓廠會根據(jù)每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標(biāo)要求的拋光液，來提高
等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性
近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法用于制備銅細(xì)線。除了復(fù)雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點(diǎn)是需要許多對環(huán)境不友好的化學(xué)品，例如表面活性劑和強(qiáng)氧化劑。
工商網(wǎng)監(jiān)
評論