北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡稱“晶亦精微”）成功通過科創(chuàng)板首次公開募股（IPO）審核，這標志著這家專注于半導體設備領域的公司將迎來新的發(fā)展機遇。晶亦精微主要從事化學機械拋光（CMP）設備及其配件的研發(fā)、生產、銷售以及相關的技術服務，為集成電路制造商提供關鍵設備支持。
2024-03-06 14:37:49
249 上海證券交易所（上交所）近日宣布，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡稱“晶亦精微”）的首次公開募股（IPO）已經成功過會，未來該公司將在科創(chuàng)板上市。晶亦精微是一家專注于半導體設備領域的公司，主要從事化學機械拋光（CMP）設備及其配件的研發(fā)、生產、銷售和技術服務。
2024-02-20 09:45:34296 北京晶亦精微科技股份有限公司（簡稱“晶亦精微”）科創(chuàng)板IPO順利過會，即將在上海證券交易所科創(chuàng)板上市。該公司專注于半導體設備的研發(fā)、生產、銷售及技術服務，特別是化學機械拋光（CMP）設備及其配件
2024-02-20 09:34:15171 CMP設備供應商北京晶亦精微傳來科創(chuàng)板IPO的新動態(tài)，引發(fā)行業(yè)關注。晶亦精微作為國內領先的半導體設備供應商，專注于化學機械拋光（CMP）設備的研發(fā)、生產和銷售，并為客戶提供相關技術服務。此次IPO
2024-01-31 14:34:33310 材料 去除的影響。重點綜述了傳統(tǒng)化學機械拋光技術中的游離磨料和固結磨料工藝以及化學機械拋光的輔助增效工藝。同時從工藝條件、加工效果、加工特點及去除機理 4 個方面歸納了不同形式的化學機械拋光技術，最后對碳化硅的化學 機械拋光技術的未來發(fā)展方向進行了展望，并對今后研究的側重點提出了相關思路。
2024-01-24 09:16:36431 
最后的拋光步驟是進行化學蝕刻和機械拋光的結合，這種形式的拋光稱為化學機械拋光(CMP)。首先要做的事是，將晶圓片安裝在旋轉支架上并且要降低到一個墊面的高度，在然后沿著相反的方向旋轉。墊料通常是由一種
2024-01-12 09:54:06359 
傳統(tǒng)的手工拋光打磨存在勞動強度高、拋光效果不穩(wěn)定、難以處理復雜形狀、安全風險和無法滿足高質量要求等痛點。因此，應用工業(yè)機器人進行自動化表面精加工的技術隨之崛起。
2024-01-11 11:03:37196 一種鋰電池內水去除工藝方法
2024-01-04 10:23:47174 
宏集推出七軸都帶有扭矩傳感器的柔性機械臂，通過類人類觸覺、力位控制策略與直觀易用的打磨app，實現(xiàn)均勻一致的打磨效果，打破“被動柔順”方案的不可控性與精度限制，使表面精加工技術效率和精度大幅提升
2024-01-03 13:36:22145 
CMP技術指的是在化學和機械的協(xié)同作用下，使得待拋光原料表面達到指定平面度的過程。化學藥水與原料接觸后，生成易于拋光的軟化層，隨后利用拋光墊以及研磨顆粒進行物理機械拋光，以清除軟化層。
2023-12-28 15:13:06409 12月27日消息，根據韓媒報道，SK海力士近日研發(fā)出了可重復使用的 CMP拋光墊技術，不僅可以降低成本，而且可以增強 ESG（環(huán)境、社會、治理）管理。
2023-12-27 13:48:50231 
需要指出的是，CMP 技術通過化學與機械作用使得待拋光材料表面達到所需平滑程度。其中，拋光液中化學物質與材料表面發(fā)生化學反應，生成易于拋光的軟化層。拋光墊和研磨顆粒則負責物理機械拋光，清除這一軟化層。
2023-12-27 10:58:31335 
HMDS，BARC是光刻工序中比較常用的化學品，但是它們并不能用顯影液除去，根據是什么？它們一定要除去嗎？有哪幾種去除的方式？
2023-12-22 10:29:55414 
磨削和研磨等磨料處理是生產半導體芯片的必要方式，然而研磨會導致芯片表面的完整性變差。因此，拋光的一致性、均勻性和表面粗糙度對生產芯片來說是十分重要的。
2023-12-21 09:44:26491 
在北京亦莊項目建設方面，華海清科據公司的子公司華海清科北京在北京經濟技術開發(fā)區(qū)實行“華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產業(yè)化項目，用于公司開展化學機械拋光設備、減薄設備、濕法設備等高端半導體設備研發(fā)及產業(yè)化、建設周期預計26個月。
2023-12-07 16:30:58462 半導體制造業(yè)依賴復雜而精確的工藝來制造我們需要的電子元件。其中一個過程是晶圓清洗，這個是去除硅晶圓表面不需要的顆?；驓埩粑锏倪^程，否則可能會損害產品質量或可靠性。RCA清洗技術能有效去除硅晶圓表面的有機和無機污染物，是一項標準的晶圓清洗工藝。
2023-12-07 13:19:14235 CMP（Chemical Mechanical Polishing）即“化學機械拋光”，是為了克服化學拋光和機械拋光的缺點
2023-12-05 09:35:19416 
AD9781采用FPGA作為驅動，采用200MHz時鐘，F(xiàn)PGA數字信號給DAC輸出3MHz正弦波，但DAC輸出信號上疊加有時鐘二次諧波信號（400MHz），請問要如何去除DAC輸出信號上疊加的時鐘諧波信號？
2023-12-01 06:26:32
在晶圓生產工藝的結尾，有些晶圓需要被減?。ňA減薄）才能裝進特定的封裝體重，以及去除背面損傷或結；對于有將芯片用金-硅共晶封裝中的芯片背面要求鍍一層金（背面金屬化，簡稱背金）；
2023-11-29 12:31:26203 
化學機械研磨工藝操作的基本介紹以及其比單純物理研磨的優(yōu)勢介紹。
2023-11-29 10:05:09348 在芯片制造中，單純的物理研磨是不行的。因為單純的物理研磨會引入顯著的機械損傷，如劃痕和位錯，且無法達到所需的平整度，因此不適用于芯片制造。
2023-11-29 10:03:32327 
死銅呢? 有人說應該除去，原因大概是： 1、會造成EMI問題。 2、增強抗干擾能力。 3、死銅沒什么用。 有人說應該保留，原因大概是： 1、去了有時大片空白不好看。 2、增加板子機械性能，避免出現(xiàn)受力不均彎曲的現(xiàn)象。 PCB設計去除死銅的必要性： 一、我們不要死銅
2023-11-29 09:06:24432 
Python是一個強大的編程語言，提供了許多解決問題的方法和功能。其中一個常見的問題是如何去除列表中的重復數據。在本文中，我們將詳細介紹Python中去除列表中重復數據的幾種方法，包括使用循環(huán)
2023-11-21 15:49:14271 據鼎龍控股集團消息，鼎龍（仙桃）半導體材料產業(yè)園區(qū)占地218畝，建筑面積11.5萬平方米，項目總投資約10億元人民幣。經過15個月的建設，同時進入千噸級半導體oled面板光刻膠（pspi）、萬噸級cmp拋光液（slurry）和萬噸級cmp拋光液用納米粒子研磨法等
2023-11-17 10:56:40694 去除PCBA板工藝邊的方法大致可以分為三大類：V-cut分板機、銑割分板機和手動去工藝邊。如單純以品質觀點來看，銑割分板機（又稱銑刀式分板機，曲線分板機）效果，克服了V-cut分板機只能直線分割的局限性，主要利用銑刀高速運轉將多連片PCBA按預先編程路徑分割開來的設備
2023-11-16 17:21:44172 
化學機械拋光（CMP）是目前最主流的晶圓拋光技術，拋光過程中，晶圓廠會根據每一步晶圓芯片平坦度的加工要求，選擇符合去除率（MRR）和表面粗糙度（Ra）等指標要求的拋光液，來提高拋光效率和產品良率。
2023-11-16 16:16:35212 近年來，銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎，因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統(tǒng)上，化學機械拋光(CMP)方法用于制備銅細線。除了復雜的工藝步驟之外，該方法的一個顯著缺點是需要許多對環(huán)境不友好的化學品，例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188 
ESD的保護機理和主要測試模式有哪些？ ESD（Electrostatic Discharge）是靜電放電的縮寫，指的是靜電在兩個物體之間突然放電的現(xiàn)象。ESD是電子設備和電子元件面臨的主要故障來源
2023-11-07 10:21:47384 如何使用AT32F415比較器(CMP)？
2023-11-01 17:17:16316 
在PCB設計中，是否應該去除死銅（孤島）呢？ 在PCB（Printed Circuit Board）設計中，死銅（也稱之為孤島）是指沒有用于任何電氣連接的銅。孤島的存在并不影響電路的功能，但是可能會
2023-10-31 14:43:30928 AT32F421 CMP 使用指南描述了怎么使用AT32F421xx的比較器(CMP)。AT32F421系列內置一個超低功耗比較器CMP，它可用作獨立器件（I/O上提供了全部接口），也可以與定時器結合使用。
2023-10-24 08:07:14
這篇應用筆記描述了怎么使用AT32F415xx的比較器(CMP)。AT32F415系列內置兩個超低功耗比較器CMP1和CMP2，可以用于多種功能，包括：外部模擬信號的監(jiān)測控制及從低功耗模式喚醒，與內置定時器結合使用，進行脈沖寬度測量和PWM信號控制等。
2023-10-24 07:38:06
科瑞特DMC600系列是一款多功能的運動控制系統(tǒng)，主要應用于焊接、拋光、機械手等設備。實現(xiàn)多軸聯(lián)動，多種插補，如：直線、圓弧、拋物線、螺旋線插補等。下面以3軸拋光示教系統(tǒng)為例，舉例工件加工的編輯方法
2023-10-23 08:07:55379 
重要的角色。 在半導體清洗工藝中，PFA管的主要作用是用于傳輸、儲存和排放各種化學液體。這些化學液體可能是用于清洗半導體的試劑，也可能是用于腐蝕去除半導體表面的各種薄膜和污垢。在這個過程中，PFA管需要承受各種化學物質的侵
2023-10-16 15:34:34258 在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-09-24 17:42:03996 
兩個物體表面相互接觸即會產生相互作用力，研究具有相對運動的相互作用表面間的摩擦、潤滑與磨損及其三者之間關系即為摩擦學，目前摩擦學已涵蓋了化學機械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個細分研究方向，其研究
2023-09-22 09:13:04
服務內容廣電計量是國內鹽霧試驗能力較完善的權威檢測認證服務機構之一，為您提供專業(yè)的耐化學試劑試驗和產品評價。服務范圍本商品可提供針對汽車零部件、電動工具、家用電器、信息技術設備、醫(yī)療設備、電源設備
2023-09-21 16:55:57
兩個物體表面相互接觸即會產生相互作用力，研究具有相對運動的相互作用表面間的摩擦、潤滑與磨損及其三者之間關系即為摩擦學，目前摩擦學已涵蓋了化學機械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個細分研究方向，其研究
2023-09-20 09:24:04
0 兩個物體表面相互接觸即會產生相互作用力，研究具有相對運動的相互作用表面間的摩擦、潤滑與磨損及其三者之間關系即為摩擦學，目前摩擦學已涵蓋了化學機械拋光、生物摩擦、流體摩擦等多個細分研究方向，其研究
2023-09-19 10:07:41278 
性能和速度上同時滿足了圓片圖形加工的要求。CMP 技術是機械削磨和化學腐蝕的組合技術 , 它借助超微粒子的研磨作用以及漿料的化學腐蝕作用在被研磨的介質表面上形成光潔平坦表面[2、3] 。CMP 技術對于
2023-09-19 07:23:03
得益于半導體業(yè)界的繁榮，世界cmp拋光液市場正在經歷明顯的增長。cmp拋光液是半導體制造中的關鍵成分，在實現(xiàn)集成電路制造的精度和效率方面發(fā)揮了關鍵作用。隨著技術的發(fā)展，半導體的格局不斷重新形成，對cmp拋光液的需求從來沒有這么高過。
2023-09-14 10:28:36664 功能，內置可編程協(xié)議I/O控制器，提供了OPA運放、CMP電壓比較器、USART串口、I2C、SPI、定時器、12位ADC、Touchkey等豐富外設資源。 CH32X035系列提供最多2個可獨立配置
2023-09-11 16:20:44
、USB PD及Type-C快充功能，內置可編程協(xié)議I/O控制器，提供了OPA運放、CMP電壓比較器、USART串口、I2C、SPI、定時器、12位ADC、Touchkey等豐富外設資源
2023-09-02 14:45:14
5nm制造工藝是什么呢？首先，我們需要了解一下納米級別的定義。納米級別是指長度范圍在1到100納米之間的物質，也就是說，它們比人類頭發(fā)的直徑還要小100倍。由于這種尺寸在物理和化學上具有獨特的特性，因此在信息技術、生物醫(yī)學和能源等領
2023-08-30 17:49:5717365 濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
肖特基二極管失效機理? 肖特基二極管（Schottky Barrier Diode, SBD）作為一種快速開關元件，在電子設備中得到了廣泛的應用。但是，隨著SBD所承受的工作壓力和工作溫度不斷升高
2023-08-29 16:35:08971 新的晶圓工藝工具包括高溫外延生長（>1,500°C）、熱離子注入、快速熱處理（RTP）和更快的脈沖原子層沉積。用于SiC 材料的晶圓研磨、CMP、拋光墊和漿料也在發(fā)生重大改進，包括剝離劑和清潔化學品在內的新材料可滿足設備和可持續(xù)性需求。
2023-08-28 15:21:35375 
近日，為填補國內集成電路市場上產業(yè)化CMP建模工具的空白，滿足芯片設計公司和晶圓制造廠的需求，廣立微正式推出CMP EXPLORER（簡稱“CMPEXP”）工具，保障芯片的可制造性和成品率，解決行業(yè)的痛點。
2023-08-28 15:13:34790 
光學加工是一個非常復雜的過程。難以通過單一加工方法加工滿足各種加工質量指標要求的光學元件。平面拋光機的基礎是加工材料的微去除。實現(xiàn)這種微去除的方法包括研磨加工、微粉顆粒拋光和納米材料拋光。根據
2023-08-28 08:08:59355 首先我們了解一下歐姆龍CMP指令，CMP指令是一種用于比較兩個數值的指令，常用于控制系統(tǒng)中的邏輯判斷和決策。該指令可以比較兩個16位的數據，如果它們相等，則將零標志位設置為1，否則將其清零。
2023-08-23 11:12:592434 
以粗糙度指標為例，電鍍工藝后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差，所以鍵合前需要對其表面進行平坦化處理，如化學機械拋光(CMP)，使得鍵合時Cu 表面能夠充分接觸，實現(xiàn)原子擴散，由此可見把控Bump
2023-08-17 09:44:330 2023-08-15 15:45:320 化學機械拋光（CMP）是晶圓制造的關鍵步驟，其作用在于減少晶圓表面的不平整，而拋光液、拋光墊是CMP技術的關鍵耗材，價值量較高，分別占CMP耗材49%和33%的價值量，其品質直接影響著拋光效果，因而
2023-08-02 10:59:473411 
20世紀60年代以前，半導體基片拋光還大都沿用機械拋光，得到的鏡面表面損傷是極其嚴重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶膠和凝膠拋光后，以SiO2漿料為代表的化學機械拋光工藝就逐漸代替了以上舊方法。
2023-08-02 10:48:407523 
本文通過對典型案例的介紹，分析了鍵合工藝不當，以及器件封裝因素對器件鍵合失效造成的影響。通過對鍵合工藝參數以及封裝環(huán)境因素影響的分析，以及對各種失效模式總結，闡述了鍵合工藝不當及封裝不良，造成鍵合本質失效的機理；并提出了控制有缺陷器件裝機使用的措施。
2023-07-26 11:23:15930 據漢思化學了解，隨著封裝尺寸的減小，3c行業(yè)移動電子產品的性能不斷得到擴展，從而使堆疊封裝(PoP)器件在當今的消費類產品中獲得了日益廣泛的應用。為了使封裝獲得更高的機械可靠性，需要對多層堆疊封裝
2023-07-24 16:14:45544 
據介紹，在器件制造過程中，由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學機械拋光等工藝步驟的大幅增長，在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產物及殘留物堆積，這些晶邊沉積的副產物及殘留物驟增導致的缺陷風險成為產品良率的嚴重威脅。
2023-07-19 15:02:26607 電化學拋光(EP)通過選擇性地去除工件表面區(qū)域中的特定零件（如粗糙度和氧化物）形成鏡面狀表面。
2023-07-18 17:24:43550 
CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據工藝
2023-07-18 11:48:183030 
半導體產業(yè)鏈硅部件供應商盾源聚芯沖刺IPO上市! 近日，半導體產業(yè)鏈叩門A股消息頻傳，化學機械拋光(CMP)設備供應商晶亦精微，半導體功率器件企業(yè)華羿微電均在沖刺科創(chuàng)板上市。 硅部件供應商寧夏
2023-07-18 10:43:08368 
陶氏化學公司是粘合劑，輔助劑等在內的多種材料提供的高純度化學產品生產線的半導體核心化學材料的主要供應商，也供應全球重要的CMP材料包括拋光墊、拋光液等。
2023-07-18 09:59:07613 。 晶亦精微主要從事半導體設備的研發(fā)、生產、銷售及技術服務，主要產品為化學機械拋光(CMP)設備及其配件，并提供技術服務。目前主要為集成電路制造商提供8英寸、12英寸和6/8英寸兼容CMP設備，是國內唯一實現(xiàn)8英寸CMP設備境外批量銷售的設備供應商。
2023-07-14 11:01:15460 
電子發(fā)燒友網報道（文/劉靜）近日，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡稱：晶亦精微）科創(chuàng)板IPO獲上交所受理，保薦機構為中信證券。 晶亦精微成立于2019年，前身為四十五所CMP事業(yè)部，四十五
2023-07-11 17:25:01626 
電子發(fā)燒友網報道（文/劉靜）近日，北京晶亦精微科技股份有限公司（以下簡稱：晶亦精微）科創(chuàng)板IPO獲上交所受理，保薦機構為中信證券。 晶亦精微成立于2019年，前身為四十五所CMP事業(yè)部，四十五
2023-07-11 01:04:001336 
在前道加工領域：CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 CMP 則主要用于銜接不同薄膜工藝，其中根據工藝段來分可以分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL）
2023-07-10 15:14:333567 
據通州區(qū)馬駒橋鎮(zhèn)政府消息，華海清科集成電路尖端設備研發(fā)及產業(yè)化項目位于馬聚橋鎮(zhèn)智能制造基地，主要涉及化學機械光處理（cmp）設備，減薄機研發(fā)和產業(yè)化。如果該項目得以實現(xiàn)，將具備28納米以下尖端工程的cmp設備研究開發(fā)能力和每月加工20萬個12英寸再生晶片的能力。
2023-06-30 11:50:10711 CMP401 和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨立的輸入和輸出電源。獨立電源使輸入級可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用3 V或5 V電源供電，具體取決于接口
2023-06-28 17:22:15
CMP401和CMP402分別為23 ns和65 ns四通道比較器，采用獨立的輸入和輸出電源。獨立電源使輸入級可以采用+3 V至±6 V電源供電。輸出可以采用+3 V或+5 V電源供電，具體取決于
2023-06-28 17:19:58
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關的，導致失效發(fā)生的電學、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應力因素及其相互作用過程。根據應力條件的不同，可將失效機理劃分為電應力失效機理、溫度-機械應力失效
2023-06-26 14:15:31603 
集成電路封裝失效機理是指與集成電路封裝相關的，導致失效發(fā)生的電學、溫度、機械、氣候環(huán)境和輻射等各類應力因素及其相互作用過程。
2023-06-26 14:11:26715 外，學生還就感興趣的課題做深入調研。師生共同討論調研報告，實現(xiàn)教學互動。調研的內容涉及光刻工藝、光刻成像理論、SMO、OPC和DTCO技術。
2023-06-20 10:51:43335 
電拋光smt鋼網是什么工藝，它與其他smt鋼網相比有哪些優(yōu)點呢，今天我們?yōu)榇蠹易錾钊氲闹v解，希望幫助大家在選購適合自己工廠真正需要的smt鋼網。
2023-06-19 10:17:44569 在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料，從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導體“刻蝕”工藝所采用的氣體和設備，在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571177 
北方某客戶在CMP設備使用了哈默納科執(zhí)行器SHA、RSF、HMA和FHA系列產品，滿足了客戶對于提高控制精度，高速定位，緊湊安裝空間的需求。
2023-06-14 09:48:39327 
機械臂抓取擺放及堆疊物體是智能工廠流水線上常見的工序，可以有效的提升生產效率，本文針對機械臂的抓取擺放、抓取堆疊等常見任務，結合深度強化學習及視覺反饋，采用AprilTag視覺標簽、后視經驗回放機制
2023-06-12 11:25:221214 
。常將金鍍在內層鍍層為鎳的板邊連接器突出觸頭上，金手指或板邊突出部分采用手工或自動電鍍技術，目前接觸插頭或金手指上的鍍金已被鍍姥、鍍鉛、鍍鈕所代替。其工藝如下所述:
1)剝除涂層去除突出觸點上的錫或錫
2023-06-12 10:18:18
在現(xiàn)代工業(yè)中，表面加工是至關重要的一環(huán)。為了達到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求，往往需要進行拋光處理。
2023-06-08 11:13:552653 
在化學腐蝕點處的濃度越高，腐蝕速率越快。在拋光過程中拋光液持續(xù)流動，我們假設在腐蝕點處的濃度可以保持初始時的濃度，腐蝕率以最快的速度發(fā)生，則拋光液不同的PH值對應一個腐蝕率，由此可見，去除速率與PH值有關，PH越高，速率越快。
2023-06-02 15:24:06347 
使用化學機械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進行了超精密拋光試驗，探究了滴液速率、拋光頭轉 速、拋光壓力、拋光時長及晶片吸附方式等工藝參數對晶片表面粗糙度的影響，并對工藝參數進行了優(yōu)化，最終 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子級光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062215 
納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
集成電路前道工藝及對應設備主要分八大類，包括光刻（光刻機）、刻蝕（刻蝕機）、薄膜生長（PVD-物理氣相沉積、CVD-化學氣相沉積等薄膜設備）、擴散（擴散爐）、離子注入（離子注入機）、平坦化（CMP設備）、金屬化（ECD設備）、濕法工藝（濕法工藝設備）等。
2023-05-30 10:47:121131 
表面處理是在基體材料表面上人工形成一層與基體的機械、物理和化學性能不同的表層的工藝方法。
2023-05-22 11:07:221514 
本文介紹了激光在碳化硅（SiC）半導體晶圓制程中的應用，概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理，并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-05-17 14:39:041222 
拋光硅晶片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過程中引起的機械損傷，蝕刻之后是各種單元操作，如拋光和清洗之前，它已經準備好為設備制造。
2023-05-16 10:03:00584 
晶圓清洗工藝的目的是在不改變或損壞晶圓表面或基板的情況下去除化學雜質和顆粒雜質。晶圓表面必須保持不受影響，這樣粗糙、腐蝕或點蝕會抵消晶圓清潔過程的結果
2023-05-11 22:03:03783 一、自動拋光機的拋光效果因素自動拋光機的拋光效果取決于多個因素，除了自動拋光機本身的質量以外，還包括使用工藝、選用什么樣的拋光輔料，要拋光物件材質，操作者的經驗技術等，在條件都合適的情況下，自動
2023-05-05 09:57:03535 手機板）的板，就一定要采用化學鍍鎳/金工藝（Et.Ni5.Au0.1）。有的廠家也采用整板鍍金工藝（Ep.Ni5.Au0.05）處理。前者表面更平整，鍍層厚度更均勻、更耐焊，而后者便宜、亮度好。
從
2023-04-25 16:52:12
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》 文章：III-V族化學-機械拋光工藝開發(fā) 編號：JFKJ-21-214 作者：炬豐科技 摘要 ? III-V材料與絕緣子上硅平臺的混合集成是一種很有前景的技術
2023-04-18 10:05:00151 
半導體材料和半導體器件在世界電子工業(yè)發(fā)展扮演的角色我們前幾天已經聊過了。而往往身為使用者的我們都不太會去關注它成品之前的過程，接下來我們就聊聊其工藝流程。今天我們來聊聊如何從原材料到拋光晶片的那些事兒。
2023-04-14 14:37:502034 
設備所替代。 自動化拋光設備一般是針對特定工藝特定工件而設計的非標設備，可以進行高效率的拋光打磨工作，常見的設備便是工業(yè)機器人。物通博聯(lián)工業(yè)智能網關可以采集各類打磨拋光設備、工業(yè)機器人內的控制器PLC數據，將各
2023-04-14 10:21:59338 
很早以前看過這樣一個報道：德國、日本等國家的科學家耗時5年時間，花了近千萬元打造了一個高純度的硅-28材料制成的圓球，這個1kg純硅球要求超精密加工研磨拋光、精密測量（球面度、粗糙度和質量），可謂
2023-04-13 14:24:341685 CMP0603AFX-3300ELF
2023-04-06 23:30:58
CMP1206-FX-5100ELF
2023-04-06 23:30:40
CMP0603-FX-1004ELF
2023-04-06 23:29:30
在整個晶圓加工過程中，仔細維護清潔的晶圓表面對于在半導體器件制造中獲得高產量至關重要。因此，濕式化學清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應用最重復的處理步驟。
2023-03-30 10:00:091940 
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886 。 因此，關于負極衰減機理研究的多是關于石墨材料的衰減機理。 電池容量的衰減包括存儲及使用時的衰減，存儲時的衰減通常與電化學性能參數變化(阻抗等)有關，使用時除電化學性能變化外， 還伴隨有結構等機械應力的變化、析鋰等現(xiàn)象。
2023-03-27 10:40:52538 根據SEMI數據，2020年全球晶圓制造材料中，硅片占比最高，為35%；電子氣體排名第2，占比13%；掩膜版排名第3，占比12%，光刻膠占比6%；光刻膠配套材料占比8% ；濕電子化學品占比7%；CMP拋光材料占比6%；靶材占比2%。
2023-03-25 09:30:544119
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工商網監(jiān)
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