在現(xiàn)代工業(yè)中,表面加工是至關(guān)重要的一環(huán)。為了達(dá)到所需的表面粗糙度、光潔度和平整度等要求,往往需要進(jìn)行拋光處理。
CMP(Chemical Mechanical Polishing)是一種目前非常流行的拋光工藝,它可以在短時間內(nèi)實現(xiàn)高質(zhì)量的表面加工。而CMP拋光墊則是CMP拋光過程中的重要材料之一,它的性能直接影響著CMP的拋光效果。
一、CMP拋光墊的成分
拋光墊是圓盤形的,最常見的是由硬質(zhì)多孔聚氨酯泡沫制成,并帶有狹窄的高縱橫比凹槽圖案。聚氨酯具有良好的彈性和耐磨性,可以在不斷的磨料作用下保持相對穩(wěn)定的性能。同時,聚氨酯的多孔結(jié)構(gòu)可以在拋光過程中緩沖拋光液和磨料顆粒的壓力,防止過度磨損。
這些微孔 能起到收集加工去除物、傳送拋光液以及保證化學(xué)腐蝕等作用,有利于提高拋光均勻性和拋光效率, 孔尺寸越大其運輸能力越強(qiáng)。
二、CMP拋光墊的用途
CMP拋光墊主要用于實現(xiàn)硅片、金屬、陶瓷等材料的平坦化拋光。由于CMP拋光墊的多孔結(jié)構(gòu)和軟性磨料材料,可以適應(yīng)不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu),達(dá)到不同表面加工的需求。
在微電子、半導(dǎo)體、光電等領(lǐng)域中,CMP拋光墊的使用越來越廣泛,尤其是在制造高性能晶體管、集成電路和MEMS等微納米器件中,CMP拋光墊的質(zhì)量和性能至關(guān)重要。
在CMP制程中,拋光墊的主要作用有:
①使拋光液有效均勻分布至整個加工區(qū)域,且可提供新補(bǔ)充的拋光液進(jìn)行一個拋光液循環(huán);
②從工件拋光表面除去拋光過程產(chǎn)生的殘留物(如拋光碎屑、拋光碎片等);
③傳遞材料去除所需的機(jī)械載荷;
④維持拋光過程所需的機(jī)械和化學(xué)環(huán)境。除拋光墊的力學(xué)性能以外,其表面組織特征,如微孔形狀、孔隙率、溝槽形狀等,可通過影響拋光液流動和分布,來決定拋光效率和平坦性指標(biāo)。
三、CMP拋光墊的廠家
CMP拋光墊是一種高科技材料,目前市場上供應(yīng)CMP拋光墊的廠家眾多,其中一些知名廠家包括:
1、美國3M公司
2.美國杜邦公司
3.美國陶氏化學(xué)
4.日本Nitto Denko公司
5.等
四、CMP拋光墊的選型和使用注意事項
在選擇CMP拋光墊時,客戶需要考慮以下因素:
1、硅片材料的性質(zhì)和要求
不同硅片材料的表面結(jié)構(gòu)和物理性質(zhì)不同,需要選擇適合的CMP拋光墊。
2、磨料顆粒的粒徑和形狀
磨料顆粒的大小和形狀對拋光效果有很大的影響,需要根據(jù)實際需求進(jìn)行選擇。
3、拋光液的配方和使用方法
不同的CMP拋光墊需要使用不同的拋光液,并且拋光液的使用方法也會影響拋光效果和CMP拋光墊的壽命。
使用CMP拋光墊時,需要注意以下事項:
1、避免過度壓力
過度壓力會加速CMP拋光墊的磨損,導(dǎo)致其壽命縮短。
2、定期更換CMP拋光墊
定期更換CMP拋光墊可以保證拋光效果和產(chǎn)品質(zhì)量,同時也可以延長設(shè)備壽命。
3、正確處理CMP拋光墊
CMP墊上的凹槽
CMP拋光墊是一種高科技材料,需要妥善處理。在使用和清洗時需要注意以下事項:
(1)使用時,避免碰撞、劃傷和撕裂等損傷拋光墊表面。
(2)清洗時,應(yīng)使用清潔的水和清潔劑,避免使用強(qiáng)酸、強(qiáng)堿等有害物質(zhì)。
(3)存儲時,應(yīng)避免陽光直射、高溫高濕和壓力等不利因素。
總之,CMP拋光墊是一種關(guān)鍵的半導(dǎo)體制造材料,對于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要的意義。在選擇和使用CMP拋光墊時,需要考慮多方面的因素,并且注意正確處理和維護(hù)設(shè)備和拋光墊,以保證最佳的拋光效果和長久的設(shè)備壽命。
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