臺積電2nm芯片最新消息
臺積電即將推出下一代先進工藝制程2nm芯片，臺積電2nm芯片棄用FinFET鰭式場效應晶體管技術，首次采用GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管技術，將于2025年開始量產。
臺積電2nm芯片與3nm芯片相比，芯片密度增加了1.1倍以上，將功耗降低25%至30%，性能提升10%至15%，2nm工藝將比其前身提供純性能提升。
據(jù)了解，臺積電計劃在臺灣再建4座工廠生產3nm芯片，并于2023年初上市，還將在2024年引進ASML下一代High-NA EUV最強光刻機。
綜合整理自有半導體行業(yè)觀察、新智元
審核編輯：湯梓紅
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工商網監(jiān)
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