影響板級(jí)屏蔽罩效能的幾大因素
板級(jí)屏蔽罩(BLS)廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品或系統(tǒng)中,在解決電磁兼容問(wèn)題(如電磁干擾輻射、系統(tǒng)內(nèi)部干擾、射頻問(wèn)題等)中發(fā)揮重要作用。隨著終端客戶的要求不斷升級(jí),對(duì) BLS 的設(shè)計(jì)要求也日益提升。如今,客戶需要更高的頻段、更輕、更小巧,或較低高度的屏蔽材料等等。因此,工程師如何評(píng)估 BLS 產(chǎn)品的屏蔽效能 (SE) 就成為了關(guān)鍵。本文通過(guò)介紹實(shí)際模擬和測(cè)試匯總出影響板級(jí)屏蔽性能的幾個(gè)關(guān)鍵因素。本文可在工程師設(shè)計(jì)或選擇電磁干擾屏蔽解決方案過(guò)程中提供一定參考
孔徑對(duì)屏蔽效能的影響
要設(shè)計(jì)出一個(gè)完全封閉的 BLS 是不現(xiàn)實(shí)的,設(shè)計(jì)師通常需要在 BLS 上開(kāi)一些孔,以達(dá)到通風(fēng)排氣,或者進(jìn)行信號(hào)收發(fā),器件避讓等目的。本文提供了一些典型的 BLS 設(shè)計(jì)模型,通過(guò)比較這些模型的屏蔽效能,我們可以從中得出一些有用的 BLS 屏蔽應(yīng)用的設(shè)計(jì)原則。
孔徑大小的影響
在大部分應(yīng)用場(chǎng)景中,孔徑均不超過(guò) 2mm,在電磁學(xué)領(lǐng)域,這與電磁干擾波長(zhǎng)相比只是很小的長(zhǎng)度(即電小尺寸)。因此,單孔不可能形成有效的天線?,F(xiàn)在,假設(shè)我們需要在 BLS 蓋板上開(kāi)一列圓孔。以下哪種設(shè)計(jì)更適合用于電磁干擾屏蔽?(孔的總面積保持不變。)
通過(guò)對(duì)比電磁干擾模擬,萊爾德獲得了兩個(gè)設(shè)計(jì)模型的屏蔽效能數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)表明,孔越小,BLS 的屏蔽效能越好。 也就是說(shuō),孔尺寸對(duì)屏蔽效能的影響大于孔數(shù)量所產(chǎn)生的影響。
孔徑/間隙結(jié)構(gòu)的影響
在側(cè)壁或 BLS 框架與蓋板之間通常采用條狀孔。對(duì)于兩件式 BLS,由于裝配的局限性,蓋板和框架之間會(huì)有一定的間隙。這就形成了波導(dǎo)效應(yīng),會(huì)導(dǎo)致電磁干擾泄漏。所以我們應(yīng)該考慮增加一些搭接點(diǎn)來(lái)阻斷輻射路徑,下面中的例子顯示了不同設(shè)計(jì)帶來(lái)的不同屏蔽效能。要注意,即使我們將間隙寬度保持在 0.01 mm,這個(gè)微小的孔隙仍然會(huì)導(dǎo)致屏蔽效能大幅下降。
有更多研究表明,孔徑的長(zhǎng)邊尺寸對(duì)屏蔽效能起著決定性作用,而短邊則幾乎無(wú)此影響。因此,在實(shí)際應(yīng)用中,工程師應(yīng)避免采用長(zhǎng)狹縫孔設(shè)計(jì),即使空隙非常狹小。
材料對(duì)屏蔽效能的影響
BLS 最常使用的材料是冷軋鋼、不銹鋼和洋白銅。這些材料的導(dǎo)電性均很高。鑒于此,在計(jì)算屏蔽效能時(shí),我們可以忽略滲透率的影響。SE 的理論公式為:
SE ≈ R = 20 ·lg(η0/4η)
其中,η0是電磁干擾源的波阻抗,在平面波中此值為 377ohm;η是屏蔽材料的阻抗。為簡(jiǎn)單起見(jiàn),其表達(dá)方式為:
因此,材料的傳導(dǎo)性 (σ) 是影響屏蔽效能的關(guān)鍵因素。要探明不同材料制成的 BLS 的屏蔽效能,一如往常,萊爾德進(jìn)行了多次比較模擬和測(cè)試。這些實(shí)驗(yàn)表明,不同材料的屏蔽效能值基本相同。甚至在完成了高溫高濕的老化測(cè)試后,屏蔽效能的結(jié)果也沒(méi)有發(fā)生明顯變化。
影響屏蔽的另一個(gè)重要因素是趨膚效應(yīng)。這是指高頻電流傾向于通過(guò)導(dǎo)體的外表面,而不是導(dǎo)體的內(nèi)部。因此,如果電磁屏蔽結(jié)構(gòu)采用了金屬化電鍍,那么屏蔽性能主要取決于此電鍍材料;而基底材料則不是那么重要。
在低頻率下,BLS 產(chǎn)品通常用于抑制通常由低阻抗源(例如,電感器、變壓器)引起的磁場(chǎng)。在這種情況下,電磁干擾屏蔽機(jī)制會(huì)變得較為復(fù)雜。在準(zhǔn)靜態(tài)磁場(chǎng)中,磁通量將被誘導(dǎo)通過(guò)具有較高磁導(dǎo)率的材料。因此,屏蔽效能是由屏蔽結(jié)構(gòu)材料厚度和磁導(dǎo)率決定。當(dāng)頻率升高時(shí),渦電流引起的反射損耗將占主導(dǎo)因素。也就是說(shuō),材料的傳導(dǎo)性成為影響屏蔽效能的關(guān)鍵因素。為了量化分析在低頻下不同材料的屏蔽效能,我們建立了一個(gè)模型來(lái)計(jì)算 BLS 的屏蔽效能。我們?cè)?BLS 的內(nèi)部和外部放置兩個(gè)線圈,并在 BLS 下方設(shè)置一個(gè)理想地平面。然后,我們通過(guò)測(cè)量有無(wú) BLS 的情況下線圈的耦合量數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算其屏蔽效能,此時(shí)屏蔽效能SE可表示為:
SE(dB)=S21(無(wú) BLS)- S21(有 BLS)
材料 | 電導(dǎo)率 | 相對(duì)磁導(dǎo)率 |
CRS(馬口鐵) | 6*106(S/m) | 100 |
洋白銅 | 3.57*106(S/m) | 1 |
坡莫合金 | 1*106(S/m) | 20000 |
下圖顯示了電磁仿真模型和結(jié)果。使用三種典型材料進(jìn)行建模。電性能參數(shù)如上表所示。我們發(fā)現(xiàn)坡莫合金在低于 100kHz 的頻率下表現(xiàn)最好。CRS 材料也適合用于低頻應(yīng)用,高于100k Hz 時(shí),鎳銀成為最佳屏蔽材料。此外,如果將材料厚度增加一倍,我們可以看到,屏蔽效能也會(huì)隨之提升。
* 注意,我們?cè)谀M中設(shè)置的磁導(dǎo)率是一個(gè)常數(shù),在現(xiàn)實(shí)中,金屬材料的磁導(dǎo)率會(huì)隨著頻率的增加而急劇下降。
其他因素(EMI干擾源、接地方式等)
本質(zhì)上,電磁干擾屏蔽的目標(biāo)是形成一個(gè)法拉第籠,將電磁場(chǎng)內(nèi)外隔離開(kāi)來(lái)。但 BLS 只提供了五個(gè)屏蔽面,它需要與 PCB 形成接地連接,以形成一個(gè)完整的籠體。我們還需要考慮其他可能會(huì)影響整體屏蔽性能的因素。以下是對(duì)我們研究結(jié)果的討論。
EMI干擾源
首先,我們注意到EMI干擾源(天線)的阻抗對(duì)屏蔽效能的影響微乎其微。通常情況下,高阻抗天線(如偶極子天線)會(huì)帶來(lái)更高的屏蔽效能或動(dòng)態(tài)范圍,但我們無(wú)法給出一個(gè)量化的數(shù)據(jù),因?yàn)椴煌奶炀€結(jié)構(gòu)本身會(huì)產(chǎn)生不同的影響結(jié)果。另一個(gè)需要重視的因素是屏蔽體和干擾源之間的距離。如果干擾源位于泄漏點(diǎn)附近,那么顯然會(huì)導(dǎo)致屏蔽效能減弱。這里有一個(gè)極端情況的示例。當(dāng)有信號(hào)線穿過(guò) BLS 的孔徑時(shí),電磁干擾泄漏就會(huì)變得非常嚴(yán)重。
下圖顯示了信號(hào)軌跡穿過(guò) BLS 的城堡狀槽口時(shí)電磁場(chǎng)的分布情況。如果我們進(jìn)行比較試驗(yàn),就會(huì)發(fā)現(xiàn),兩種場(chǎng)景下(電磁干擾源在 BLS 內(nèi)部以及穿過(guò) BLS 時(shí))的屏蔽效能截然不同。
BLS 接地
大多數(shù) BLS 是通過(guò)貼片安裝方式焊接到 PCB 上。在某些情況下,也需要穿孔組裝。這實(shí)際上是形成了源于 BLS 的部分對(duì)板接地。接地孔的數(shù)量也可能影響屏蔽質(zhì)量。因此,萊爾德完成了對(duì)三種接地方法的模擬研究。這些方法包括完全接地(通孔間隙_0.8mm)、部分接地(通孔間隙_7mm)和浮動(dòng)式(無(wú)接地通孔)。下圖顯示了三種不同接地方式的模型。
顯然,完全接地時(shí)的屏蔽效能最好。其次是部分接地。浮地的效果最低。此外,當(dāng) BLS 用浮地方式裝配在 PCB 時(shí),寄生電容起著重要的屏蔽作用。我們發(fā)現(xiàn),腔體的諧振點(diǎn)發(fā)生了改變,在某些頻率下時(shí),屏蔽效能值可能是負(fù)值。
BLS 內(nèi)部的介質(zhì)材料
在之前的研究中,我們并沒(méi)有考慮介質(zhì)材料對(duì)屏蔽效能的影響。但是,在實(shí)際工程應(yīng)用中,有許多電介質(zhì)元件安裝在 BLS 內(nèi)(例如,PCB 材料、導(dǎo)熱墊、電磁干擾吸波材料)。這些電介質(zhì)將影響屏蔽效能,尤其是改變腔體的諧振頻率點(diǎn)。一般而言,介質(zhì)材料會(huì)壓縮在其內(nèi)部傳播的電磁波的波長(zhǎng),這是因?yàn)樗瓤諝饣蛘婵站哂懈叩慕殡姵?shù) (ε=1)。介質(zhì)材料內(nèi)的波長(zhǎng)(εr.)是
其中λ0 是真空下的波長(zhǎng)。εr 是介質(zhì)材料的介電常數(shù)。波長(zhǎng)被壓縮會(huì)導(dǎo)致屏蔽出現(xiàn)兩種結(jié)果。其一,空腔諧振頻率點(diǎn)將被轉(zhuǎn)移到更低的頻率。其二,隨著波長(zhǎng)越來(lái)越短,電磁波更有可能從孔中漏出。因此,屏蔽效能會(huì)減弱。如圖所示,在 BLS 內(nèi)部涂一層吸波材料會(huì)得到不同的結(jié)果。由于吸波材料附著在內(nèi)部,BLS 成為一個(gè)損耗腔。諧振頻點(diǎn)被全部消除。這就是 BLS 和波材料組合解決方案的一個(gè)典型應(yīng)用,萊爾德通常將其稱(chēng)為多功能解決方案。
結(jié) 論
僅從結(jié)構(gòu)來(lái)看,BLS 只是一塊簡(jiǎn)單的金屬殼體。但在電磁干擾屏蔽性能方面,仍然有許多因素可以決定實(shí)際的屏蔽效能??偠灾?,BLS 的主要考慮因素是孔徑/孔,而與材料的電導(dǎo)率和磁導(dǎo)率有關(guān)的因素并非主要因素,但在低頻屏蔽應(yīng)用時(shí)應(yīng)考慮這類(lèi)因素。在較高頻率下,空腔諧振會(huì)大大削弱屏蔽效能。然而,目前已證明全波電磁干擾模擬在解決這些問(wèn)題方面特別有用。結(jié)合使用吸波材料,可以有效抑制高頻電磁干擾輻射。
審核編輯 :李倩
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