功率MOSFET設(shè)計–功耗計算

功耗是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗的總和，傳導(dǎo)損耗也稱為靜態(tài)損耗。另一方面，開關(guān)損耗也稱為動態(tài)損耗?？?a href="http://ttokpm.com/tags/mosfet/" target="_blank">MOSFET功率損耗為：

Pdiss = Pconduction +Pswitching

需要注意的是：當(dāng)在不執(zhí)行連續(xù)開關(guān)的電路中使用MOSFET時，也就是MOSFET常開或常閉，并非在PWM模式工作，此時僅考慮傳導(dǎo)損耗即可。

Pconduction = Idrain x Rdson x Idrain

其中Pconduction表示傳導(dǎo)損耗，Idrain表示是漏極電流，Rdson是漏極到源極的導(dǎo)通電阻。

Pswitching = Pgatecharge + PCoss + Ptrise_tfall

Pgatecharge = 0.5 X Qgtotal X Vgate X Fsw

Pcoss = 0.5 X Coss X Vdrain 2 X Fsw

Ptrise_tfall = 0.5 X (trise + tfall) X Idrain X Vgate X Fsw

其中：

Pswitching是開關(guān)損耗；

Pgatecharge是MOSFET導(dǎo)通期間的功率損耗；

PCoss –是由于輸出動態(tài)電容引起的功率損耗；

Ptrise_tfall –是由于MOSFET漏極電壓的上升和下降時間造成的功率損耗

Qgtotal –是規(guī)格書中給出的總柵極電荷

Vgate –是施加的柵源電壓

Fsw –是開關(guān)頻率

Coss –是輸出動態(tài)電容

Vdrain –是最大漏極電壓電平

trise –漏極電壓的上升時間

tfall –漏極電壓的下降時間

審核編輯：湯梓紅